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PWM方式开关电源中IGBT的损耗分析
在电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为高性能开关器件，广泛应用于PWM(脉宽调制)方式工作的开关电源中。IGBT的损耗直接影响开关电源的效率、热设计及可靠性。因此，深入分析IGBT在PWM方式下的损耗特性，对于优化开关电源设计具有重要意义。
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IGBT的损耗与结温计算：深入探讨与公式解析
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为电力电子领域的核心元件，其损耗与结温的计算对于电路的设计与优化至关重要。本文将从IGBT的损耗类型出发，详细阐述其计算方法，并进一步探讨结温的计算公式与步骤，以期为工程师们提供有益的参考。
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你了解IGBT的结构吗？IGBT通态漂移区少子分布仿真分析
在下述的内容中，小编将会对IGBT的相关消息予以报道，如果IGBT是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
在电力电子技术的快速发展中，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为关键的功率半导体器件，广泛应用于电动/混合动力汽车、工业变频器、太阳能逆变器等领域。这些应用领域对设备的可靠性和性能要求极高，因此，现代IGBT/MOSFET栅极驱动器必须具备高效的隔离功能和强大的功率处理能力。本文将深入探讨现代IGBT/MOSFET栅极驱动器在提供隔离功能时的最大功率限制及其实现机制。
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IGBT 国内与国外厂商，可替代的有哪些？
什么是IGBT 所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。
