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  • 美光宣布赞助第十四届全国运动会

    中国西安,2021 年 5 月 13 日 — 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)今日正式官宣成为中华人民共和国第十四届运动会(简称“第十四届全国运动会”)芯片类赞助企业。全运会是中国国内规模最大、水平最高的综合性运动会,每四年举办一次。第十四届全国运动会将于 2021 年 9 月 15-27 日在陕西省西安市举行,共设置 41 个比赛大项及 501 个比赛小项,预计将吸引来自全国各地的 14,000 多名运动员参赛。 美光的业务和运营已在中国市场扎根多年。公司连续三年荣获卓越职场® (Great Place to Work®) 机构颁发的“大中华区最佳职场”奖项,并于 2020 年荣膺前程无忧 “中国大学生喜爱雇主”称号。美光在中国大陆的运营版图包括位于西安的制造工厂、位于上海的设计中心,以及遍布上海、北京和深圳三地的客户实验室。美光在本地的客户及业务伙伴涵盖数据中心、智能边缘、计算设备等行业的领导厂商,共同推动着人工智能、5G 和高性能计算领域的全球行业创新。赞助第十四届全国运动会彰显了美光对支持员工生活和工作所在社区的一贯承诺。 美光全球运营执行副总裁 Manish Bhatia 表示:“中国是美光在全球最大的市场之一,也是孕育行业创新的关键地区。美光是内存和存储解决方案的技术领导厂商,我们非常自豪能够携手全运会,助力本次盛会在陕西省举办。” 美光始终致力于积极支持当地社区活动、慈善捐助及志愿者项目。成为第十四届全国运动会芯片类赞助企业是美光持续践行承诺的又一力证。公司于2020年在陕西省渭南市成立首个“美光儿童之家”,为 500 多名儿童送去关爱。美光还与西安市碑林区拉拉手特殊教育中心合作,在过去六年间为 4,000 多名自闭症儿童及其家人提供帮助。 美光西安位于西安高新技术产业开发区,是陕西省境内最大的外商投资企业之一,对当地经济做出了重要贡献,并在 2020 年中国出口企业 200 强中位列第 13 名。美光西安在公司全球运营布局中起着至关重要的作用,是美光 DRAM 芯片封装和测试及模组制造的全球卓越中心。美光西安将在 2021 年稍晚时间迎来十五周年庆。

    时间:2021-05-13 关键词: 美光 全国运动会 芯片

  • 美光发布第六次年度可持续发展报告,可持续项目成果显著,进一步坚定促进创新与社会发展的承诺

    中国上海,2021 年 5 月 7 日 — 内存和存储解决方案领先供应商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日发布《快步前行:美光 2021 年可持续发展报告》(Fast Forward: Micron’s 2021 Sustainability Report),凸显美光在特殊时期不但体现出企业韧性,更在促进创新、人、社区和制造等方面取得长足进展。 新冠疫情期间,美光继续推进各项可持续发展项目,其中包含部分前期投资,以达到 2028 年前投资约 10 亿美元 (折合约 65 亿元人民币) 用于环境保护的目标。这些环保项目包括:公司至 2030 年于全球范围内将温室气体 (GHG) 的排放量在 2018 年的基础上减少 75%,并实现75% 的废水再利用和95%的废弃物转移。美光还计划于2025 年底前在美国的所有制造工厂 100% 采用可再生能源。美光将2020年用以生产单块芯片的温室气体排放量在 2018 年的基础上减少了 36%,并将物料和废弃物的再利用和回收比率提升至 84%,较上一年提高了 3个百分点。 美光在多元、平等和包容举措方面也取得积极进展。公司已在全球范围实现弱势群体全面薪酬平等,涵盖基本工资、奖金和股票奖励等。为支持弱势社区的发展,美光投入超过 2.5 亿美元的现金和现金等价物,由弱势群体拥有的金融公司进行管理。此外,美光还增加了董事会中的女性成员席位。截至 2021 年 2 月,美光董事会的女性成员比例达到 50%。美光员工资源团体 (Employee Resource Group,ERG) 成员人数在2020年增长了 84%。这些ERG 组织是由美光员工主导的志愿者团体,关注有相同身份认知或经验的员工及其盟友,极大促进了美光内部及其员工所在社区实现包容发展。 美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示:“可持续发展是美光业务模式的基石,为此我们承诺将投入 10 亿美元 (约65 亿元人民币),并采用科学方法密切关注进展情况。我们在2020年向可持续发展目标迈近了一大步。美光克服了疫情带来的不确定性,在节能指标上取得了三倍的年增长,更加接近温室气体减排目标,并且实现了全面薪酬平等,这是我们实现全员包容目标的关键一步。” 美光在积极改善社区方面实现了新里程碑。美光基金会 (Micron Foundation) 在2020 自然年向多个慈善组织捐助近 2,400 万美元,其中包含一项 1,000 万美元的新冠肺炎抗疫基金。美光团队成员的配捐金额也增长了四倍,通过全球科学、技术、工程和数学 (STEM) 支持项目,全年受益的学生和教育工作者超过 65 万人。 加速可持续发展,增强技术领导力 美光有史以来首次实现在 DRAM 和 NAND 两大技术领域同时占据领先地位。美光 1α DRAM 技术将内存密度提升 40%,可为移动行业提供最低功耗的 DRAM 平台,实现了 15% 的节能。美光 176 层 3D NAND 闪存将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上,并将数据传输速率提升 33%。两项技术合璧,为构建更新颖、更高效的设备体验和创新基础架构奠定了数据基础,适用于数据中心和智能边缘等各类应用场景。 此外,美光最近还推出了车用 LPDDR5 内存,能效提升 20% 以上。该款低能耗 DRAM 助力实现智能汽车的高性能计算,同时大幅降低能耗,从而减少交通运输行业的温室气体排放。美光还于去年 9 月推出突破性的 GDDR6X 显存,实现了比前代产品更低的单任务功耗 (pJ/bit),因此更适合高能耗、高带宽需求的应用。GDDR6X 还能灵活调节功耗,用户可调低性能以节省能耗。 深受业界认可 美光的可持续发展深受业界认可,其中包括被列入道琼斯可持续发展北美指数 (North America Dow Jones Sustainability Index);所有生产设施获得责任商业联盟 (Responsible Business Alliance) 白金级认证;并于2018-2020连续三年获得大中华区最佳职场 (Great Place to Work) 奖项 。根据 2021 年 3 月Sustainalytics 环境、社会和治理的评分,美光名列半导体行业前 10%。美光还被列入 2019-2020 年“富时社会责任指数系列 (FTSE4Good Index Series)” (FTSE Russell,富时罗素)。 美光第六次年度可持续发展报告依据全球报告倡议组织 (GRI) 核心标准和可持续发展会计准则委员会(SASB) 半导体行业标准编写。

    时间:2021-05-07 关键词: DRAM 可持续发展 美光

  • 解读世界上最先进的1α DRAM工艺——专访美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran

    解读世界上最先进的1α DRAM工艺——专访美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran

    对于半导体器件而言, 制程工艺的缩放将带来效能提升和成本下降的多重利好,所以对于工艺制程向更小节点追求是整个行业的目标。但随着工艺节点的逐步缩减,小到一定的尺寸后,挑战并不来自于几何约束,而进入到了更微观的领域——因为电荷的尺寸本身并不会改变,所以工艺制程到10nm以下后面临的电荷积累的问题尤为突出。除此外,生产设备本身的计量水平的挑战也变得尤为突出。而对于DRAM器件而言,缩放的难度比起CPU等更为困难,因此在今天之前仅从数字上看,DRAM的工艺制程也对应着略落后于CPU的制程。但最近美光于业界内率先实现了DRAM工艺制程的突破,将DRAM的工艺跃进到了第四代——1α。对此笔者专门与美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran女士进行了采访,Thy Tran针对这一最新的DRAM工艺进行了详细的解读。 *美光DRAM制程集成副总裁Thy Tran* Micron 1α 的产品进入到用户的消费市场后,给终端用户的最直观的体验提升是什么?Thy Tran:美光的创新带来了业界功耗最低的移动DRAM,与上一代1z美光移动DRAM相比,实现了15%的节能。这使得5G移动用户可以在智能手机上进行更多任务操作,而不会牺牲续航。这一点很重要,因为智能手机的关键在于便携性,尽管用户希望手机能更快地执行更多的任务,但也不愿意牺牲续航或外形尺寸。例如,有些手机现在可以同时用两个摄像头拍摄视频。这对于像视频博主这样的人来说很有用,他们可以只使用一台设备同时摄录周围的环境和自己。然而,同时录制多个视频意味着要处理的数据量增加一倍,功耗也会随之增加一倍。如果为此续航会降低一半,或者手机要做得更大以容纳更大的电池,用户就不会觉得这一功能有什么用。在这种情况下,功耗降低15%为移动用户创造了对消费者来说更友好的体验。 1α还为PC市场提供了更节能的DDR4和LPDDR4解决方案,对于当前在家工作和在家学习的环境,笔记本电脑需要更长的续航时间,这为其带来了移动性优势。我们的汽车客户也在使用我们的移动低功耗DRAM,例如LPDDR4和LPDDR5,因此他们也能受益于这种节能特性。 低能耗对电动汽车和自动驾驶汽车尤其有利。随着ADAS和AI等数据密集型汽车技术的兴起,现代联网汽车目前运行的代码超过1亿行,每秒需要进行数百万亿次的运算,与数据中心的计算性能水平不相上下。这些汽车,或者称之为车轮上的数据中心,需要管理高性能计算,但不能让司机不断地为电动汽车充电或者加油以满足高耗电应用需求——因此,1α DRAM的能效也将有助于降低能耗,帮助自动驾驶汽车以更低的排放实现绿色交通的承诺。汽车所需的密集计算和处理带来的另一独特挑战是,所有的能量都会产生物理热量。在数据中心,我们可以通过风扇和水冷却等方式来管理热量,但在汽车中,热量很难释放出来。从用户体验的角度来看,司机们不愿意听到车内有嘈杂的风扇声,而且,对于成本敏感的汽车,水冷却并不实用。通过降低能耗,我们的1α低功耗DRAM还将减少自动驾驶汽车和智能汽车中多余的热量,实现对驾驶员来说更友好和更环保的体验。 普通工艺制程我们通常用40nm、22nm、7nm等数字直接来表示,在内存中使用1x、1y和1z等。请给我们分享下这种制程的节点的表达,与实际的“nm”有何关系?为何在DRAM上要采用不一样的工艺节点表达方式? Thy Tran:存储行业在节点与节点间往往遵循类似的规律。例如,在本世纪初我们处在180nm节点。大约十年前,我们来到22nm节点。正如您所知,几年前,我们在内存行业不再使用确切的数字,而是开始使用1x、1y和1z之类的术语。其原因很复杂,但很大程度上是因为确切的数字与性能没有很好的相关性。电路结构是三维的,使用线性的衡量方式并不适合。因此,每一个新字母都代表一个新的制程,表示性能有了很大的提高。特别是对于DRAM,节点的名称通常对应于最小特征尺寸,即内存单元阵列激活区的“半间距”的尺寸。对于1α,您可以将其视为10nm级别的第四代制程,其半间距在10nm到19nm之间。从1x纳米到1y、1z和1α,这一尺寸变得越来越小。我们是从1x开始的,但随着节点的不断缩小,要不断命名下一节点,就达到了罗马字母表的末尾。所以我们改用希腊字母alpha、beta、gamma等等。 EUV目前无法应用于DRAM生产的原因是什么?何时EUV可以满足DRAM生产需求?关于EUV,我们专有的创新多重曝光(multi-patterning)制程能够满足目前的性能和成本要求。通过我们的制程解决方案和先进的控制能力,我们可以满足技术节点的要求。 此外,EUV未必是制程发展的关键促成因素,而且目前EUV设备的性能也不如先进的浸润式光刻技术。虽然EUV技术还在改进,但其成本和性能仍然落后于当前的多重曝光和先进的浸润式光刻技术。其中一个原因是,EUV波长太短,光线不能透过玻璃,因此在进行EUV光刻时,传统的光学透镜不起作用。我们正在不断评估EUV,相信在未来三年内,EUV会取得必要的进展,在成本和性能上能够与先进的间距倍增和浸润式技术相竞争。当该技术符合我们的要求时,我们会在适当的时候引入。目前,美光拥有先进的光刻能力和间距倍增方法,可满足曝光要求,并拥有前沿的技术,以确保良好的层间堆叠。 美光的1α是如何突破物理极限的?之后的beta,gamma...将如何继续实现制程的缩进?一些物理限制和挑战包括:实现足够大的单元存储节点电容、阵列杂散(电阻和电容)以及曝光(即确定晶圆上的电路图案)等传统挑战。我们使用的制程和设备解决方案大大缩小了电路中的图案和特征尺寸,同时仍然满足电气要求,从而使我们能够不断向前迈进。 光刻能力决定了我们如何确定曝光流程。我们使用193nm浸润式光刻机和配备最新计算光刻技术的先进光刻掩膜板,从而实现了40nm以下制程。 为进一步发展,我们使用了四重曝光,这是一系列非光刻步骤,将一个大的特征尺寸分成两个,然后再分成四个特征尺寸,每个特征尺寸是原始特征尺寸的四分之一。早在2007年,美光就率先采用双重曝光开发了闪存产品。采用这一制程,我们可以精确地曝光出需要的细微特征尺寸,但是离一个完整的裸片还有很长的路要走,更不用说大批量生产了。我们只是刚刚勾画出一层的特征尺寸,而每个芯片有几十层。非常自豪的是,我们能够精确地控制层间的叠加。准确无误地做到这一点是让整个过程顺利进行的关键。然后我们必须把电路图案转变成功能电路器件,比如控制读写数据的晶体管以及可以存储代表1和0的电荷的高而薄的电容。这个过程意味着必须精确地控制材料构成以及这些材料的机械和电性能,并且每次都完全相同。我们充分发挥圆晶厂、实验室和合作伙伴的先进和创新优势,使这一切成为可能,并克服了DRAM扩展(或缩小)带来的物理挑战。我们对这个节点还采取了不同的方法,使风险承受能力更强。我们不是被动地等待数据以证明新技术可行,而是先行承担了更多的风险,然后开始确定缓解和降低风险的方法。这种基于工程知识和创新能力来博弈新方法的模式,使我们能够更积极地实现1α目标,同时为将来的节点应用这些新方法奠定了可扩展的基础。 展望未来,我们希望在后续节点(如beta和gamma)中继续这一创新,同样把重点放在制程改进上,并借鉴之前节点的经验教训。我们甚至利用从NAND团队那里学到的制程经验,他们最近推出了世界上第一款176层3D NAND,取得了业界领先的成就。此外,值得注意的是,我们的1α里程碑是通过技术开发、设计、产品和测试工程、制造和质量等各方面的协作来实现的——这是我们第一次进行如此全面的多学科协作,我们1α节点的领先优势充分证明了其可行性。我们希望通过同样的整体合作,在未来的节点上继续突破,使美光始终站在DRAM行业创新的最前沿。 *Quad patterning process flow (图片来源: Lam Research)*1α工艺的制造过程中是否有引入新类型的设备?我们的创新和创举无处不在:新材料,包括更好的导体、更好的绝缘体;用于沉积的新设备,修改或者有选择地去除、蚀刻这些材料。美光的领导团队非常愿意投资提升我们的节点领导优势,并提供了资源和新设备,全方位增强我们的制程能力。我们还将我们称之为晶圆厂的制造工厂发展成人工智能驱动的高度自动化工厂,不可不谓之奇迹。美光在世界各地拥有数以万计的科学家和工程师,致力于开发大家每天使用的内存、存储和加速器技术。我们设计电路、光掩膜技术、制程技术和封装技术,涉及从硅片到系统的各个领域。此外,美光拥有世界上最先进的智能工厂,世界经济论坛将我们新加坡和台湾地区工厂加入其Global Lighthouse Network(全球灯塔工厂网络),该网络包括了在应用第四次工业革命技术方面发挥了领导作用的很多领先制造商。美光是否有布局在DRAM的替代产品上?如果有的话,哪种产品和技术会是一种更有可能的更好的选择?对于应用,内存和存储技术有一个典型的性能与容量三角关系。三角形的顶部是DRAM,对于要求最苛刻的易失性应用,DRAM在数据延迟和耐久性方面是最好的。三角形的底部是闪存技术(TLC、QLC),它们是块存储应用的最佳选择。随着大量资本投资于创新设计,我们认为DRAM和NAND未来十年仍然会占据这种架构的顶部和底部。 美光不断探索新兴的内存技术,但我们的研究(如下所示)表明,DRAM仍然最适合低延迟易失性应用。MRAM,例如STTRAM,具有易于与逻辑半导体制程集成的优点,然而,STTRAM的数据延迟和能耗稍高于DRAM,耐久性也差一些,并且在密度方面还存在设计实现难点。因此,业界是否采用Logic+STTRAM还有待观察。RRAM是一种有趣的低延迟块存储技术,但目前还难以确定其面密度的经济性是否能带来广泛的市场部署。总的来说,新内存技术的研究和创新是非常激动人心的,但要赶超DRAM和NAND尚需时日。

    时间:2021-04-02 关键词: DRAM 内存 美光

  • 美光在全球范围实现公司弱势群体全面薪酬平等

    2021 年 3 月 30 日,中国上海 — Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布,公司已实现全面的全球员工薪酬平等,涵盖基本工资、奖金和股票奖励。去年,美光设定了实现全体员工薪酬平等的目标,并将其作为公司多元、平等和包容举措的关键支柱。该目标的实现代表了一个新的里程碑,体现了美光在人力实践中促进薪酬平等、包容性福利和公平的承诺,同时表明美光旨在营造一个重视并尊重每位团队成员的环境。 美光首席人力资源官 April Arnzen 表示:“为全体团队成员提供公平薪酬,对于提高员工的幸福感、热忱度和信心至关重要,决定了美光能否取得业务成功。许多公司仅关注基本工资,但我们认为完全的薪酬平等需要采取一种更全面的方式。同工同酬是促使员工蓬勃发展的包容性文化的根基。” 美光采用相关技术手段来分析和理解薪酬差异,并加以调整,从而消除弱势群体和相应的多数群体之间显著的薪酬差异。最初,美光将重点放在性别薪酬平等上,于 2018 年在全球范围内实现了女性薪酬平等。随后美光扩大了关注范围,将更多弱势群体纳入其中,包括残疾人、退伍军人、黑人和美国的西班牙裔及拉丁裔。 美光多元、平等和包容 (DEI) 副总裁 Sharawn Connors 指出:“实现所有团队成员的薪酬平等,并将我们的关注范围扩大至性别群体之外,这是一个重要的里程碑。创建一个公平的工作场所,使每个人都确信自己的薪酬公正、公平并与业绩挂钩,有助于我们吸引并留住最优秀的人才。” 美光致力于实现 DEI,并在公司的全球业务和运营中贯彻这些举措。美光在 2021 财年设定了战略高度的 DEI 承诺,涵盖包容、招聘、捐赠和投资弱势群体所有机构。

    时间:2021-03-30 关键词: 薪酬 DEI 美光

  • 美光新推出的 Crucial 英睿达 X6 移动固态硬盘产品,为消费者提供出类拔萃的性能、价值和便携性

    美光新推出的 Crucial 英睿达 X6 移动固态硬盘产品,为消费者提供出类拔萃的性能、价值和便携性

    关键优势: · 4TB 和 500GB 容量可使用户存储所有重要文档、视频、音乐、照片和游戏 · 读取速度高达 800MB/秒,存取数据和文件的速度比传统移动硬盘快 5.6 倍 · 外形设计十分小巧、轻便且方便携带,与消费者常用的设备无缝兼容 · 通过了2米 (6.5 英尺) 跌落测试,耐冲击,耐高温 · 多种移动固态硬盘容量设计为客户提供了跨 Crucial 英睿达 X6 和 Crucial 英睿达 X8 产品线的丰富选择 爱达荷州博伊西,2021 年 3 月 2 日 – 美光的电脑内存和存储全球消费品牌 Crucial® 英睿达™今天推出了备受认可的移动固态硬盘 (SSD) 产品组合的扩展产品,以丰富的价位为消费者提供更多的外部存储性能、容量和价值选择。即将上市的新产品包括高性能 4TB 移动固态硬盘,预计售价约为人民币3,999元;以及新推出的 500GB 移动固态硬盘,预计售价约为人民币579元。希望存储大型游戏库或为长途旅行存储更多电影的消费者将在 Crucial 英睿达 X6 中找到理想的解决方案。 美光消费产品事业部副总裁兼总经理 Teresa Kelley 表示:“我们的客户正在寻找价格合理、便捷、快速、可靠的存储方法,X6 移动固态硬盘产品线新增的两个容量选择进一步证明了我们对外接固态存储市场的承诺。毫无疑问,我们已经来到了固态存储的好处超过传统硬盘的时点。现在,通过提供容量选择多样的 Crucial 英睿达 X6 和高性能版 Crucial 英睿达 X8,我们可以为客户提供更强大的产品组合。无论是需要存储所有学校和专业文件,还是快速访问全部个人娱乐库,总有一款 Crucial 英睿达移动固态硬盘适合您。” 读取速度高达 800MB/秒,4TB 硬盘的运行速度比市场上的移动硬盘快 5.6 倍,而且通过了2米(6.5 英尺)跌落测试。与现有的 Crucial 英睿达 X6 移动固态硬盘阵容相似,4TB 和 500GB 版本率先为消费者提供这两种容量的紧凑型移动固态硬盘。备受认可的 Crucial 英睿达移动固态硬盘整个产品线可以与新款 USB-C 驱动设备兼容,例如个人电脑、Mac、PlayStation 5、Android 设备等。当与 Crucial 英睿达 USB-C 转 USB-A 适配器一起使用时,这些便携设备还可以与 PS4、Xbox One、XBOX S|X 系列以及其他 USB-A 设备一起使用。 所有 Crucial 英睿达 SSD 的设计和制造均基于相同的美光质量和工程创新技术,40 多年来,美光的内存和存储技术一直处于世界先进水平。不但如此,Crucial 英睿达固态硬盘在上市前还要经过数千小时的发布前验证和多种技术指标测试。

    时间:2021-03-03 关键词: 固态硬盘 Crucial 美光

  • 美光发布面向汽车安全应用的低功耗内存

    美光发布面向汽车安全应用的低功耗内存

    2021 年 2 月 25 日,中国上海 — 内存与存储解决方案领先供应商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布,已开始出样业内首款车用低功耗 DDR5 DRAM (LPDDR5) 内存。该款内存经过硬件评估,满足最高级别的汽车安全完整性等级 (ASIL) 标准,即 ASIL D。此外,美光还有一系列符合国际标准化组织 (ISO) 26262 标准、面向汽车安全的内存和存储新品。 该款 LPDDR5 DRAM 已通过功能安全评估,可用于高级驾驶辅助系统 (ADAS) 技术,包括自适应巡航控制系统、自动紧急刹车系统、车道偏离警告系统以及盲区侦测系统。它同时具备高性能、低功耗和低延迟特性,为满足日益增长的下一代汽车系统带宽需求提供了性能保障和发展空间。 美光嵌入式产品事业部企业副总裁兼总经理 Kris Baxter 表示:“自动驾驶能让我们的道路更加安全,但自动驾驶技术需要倚赖功能强大且可靠的内存,才能在极端环境下实时做出决策。为了满足不断增长的市场需求,我们优化了车用 LPDDR5,为未来的智能安全汽车提供优异的性能、质量和可靠性。” 随着电子元件成为保障行车安全的必要零部件,汽车制造商必须遵循严格的功能安全标准,确保安全机制能够在汽车发生故障时减轻风险。美光深谙功能安全与日俱增的重要意义,在公司内设立专项部门,根据汽车安全系统设计的内存要求与客户进行紧密协作。为了帮助客户履行复杂的合规义务,该部门在美光内部主导了 LPDDR5 上市,随附安全应用说明,并发布了行业首份由供应商提供的 DRAM 硬件评估报告。美光的硬件评估报告还由汽车安全领域的知名专业公司 exida 进行了独立评估和验证。通过在公司内部进行此项严格评估,美光旨在帮助汽车领域的客户简化系统设计,加快其产品上市。 exida 首席运营官兼首席安全专家 Alexander Griessing 表示:“功能安全是先进汽车系统开发过程中至关重要的一环,但到目前为止,内存在某种程度上受到了忽视,只被当作一种即买即用的商品。美光推出了领先业界的车用 LPDDR5,精准符合 ISO 26262 标准,为内存行业树立了新的标杆。提升对功能安全的关注将惠及各方,包括汽车制造商和需要先进、安全车辆的消费者。” 美光低功耗内存推动汽车创新和绿色出行 随着 ADAS 和自动驾驶技术应用的日益普及,数据采集和高效处理能力正逐渐成为汽车创新的关键所在。Gartner预测汽车内存的市场规模将在 2020 年 24 亿美元的基础上翻番,成长至 2024 年的 63 亿美元。伴随数据密集型汽车技术的崛起,如今配备 ADAS 的车辆运行超过 1 亿行代码,每秒需进行高达数百万亿次的数据处理,可匹敌数据中心。LPDDR5 能将数据访问速度提高 50%,将能效提升 20% 以上,从而有效应对这些需求。这使智能汽车能够近乎实时地处理和决策来自多个传感器和数据源的数据,例如雷达、激光雷达、高分辨率成像、5G 网络和光学图像识别等。 LPDDR5 的高能效可助力实现汽车的高性能计算,同时大幅降低电动汽车和传统汽车的能耗,从而实现更加环保的交通出行,减少尾气排放。美光的车用 LPDDR5 还加强了稳固性,可应用于极端温度范围,符合多种汽车可靠性标准,包括美国汽车电子协会的 AEC-Q100 规范和国际汽车工作组的 IATF 16949 标准。 通过功能安全评估的独特 DRAM,加快智能安全汽车上市 美光 LPDDR5 附带详细的功能安全说明文件,可在系统配置期间帮助客户开展全面的安全分析。美光提供硬件评估报告,严格依照 ISO 26262 标准,对广泛的功能安全分析进行了核验。为了满足更高的安全要求,LPDDR5 包含稳健的安全机制,可在运行期间检测和控制内存错误,系统集成商还可选择部署更多机制,从而进一步降低风险。 凭借高质量内存和存储解决方案,美光服务汽车市场 30 年,广受领先汽车制造商的青睐,累计行驶里程达万亿英里 [5] 。 美光深厚的专业知识源自与汽车领域客户的紧密协作,共同将内存设计集成到系统架构中,为 ADAS、车载信息娱乐系统、数字化座舱和机器学习提供支持。美光是汽车行业排名首位的内存供应商。

    时间:2021-02-25 关键词: 低功耗 内存 美光

  • 美光加入 The Valuable 500 倡议组织,进一步促进残疾人士融入公司团队

    2021 年 2月4 日,中国上海 — Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布,公司现已加入全球倡议组织 The Valuable 500,携手全球 400 多家领先企业的首席执行官 (CEO) ,致力提升公司对残疾人士的包容性。美光在半导体行业首先作出表率,承诺在董事会议程中讨论优先保障残疾人士的权利,并将在 2021 财年切实履行一项坚定承诺。 美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示:“促进多元、平等和包容是美光的一项核心任务。通过签署 The Valuable 500 承诺,我们正在为这场致力于领导和激发积极变革的全球运动添砖加瓦。在科技行业中营造包容残疾人士的环境必须群策群力;全行业的领导们应通力协作、共同承担责任。” The Valuable 500 是一项企业倡议,旨在充分利用各企业在国内外市场的影响力,号召这些企业的领导层及其品牌积极行动起来,帮助全球 13 亿残疾人士实现他们的社会和经济价值,从而激发系统性的变革。 The Valuable 500 创始人 Caroline Casey 表示:”通过加入 The Valuable 500,全球 415 家公司正通力合作,带领更多企业帮助雇员、客户以及整个价值链中的残疾人士更好地融入社会。美光在其工作场所中积极追求和倡导多元化,并努力营造一个机会均等的社会。我们非常期待美光的加入带来行业表率和影响力。” 这是美光持续推广多元、平等和包容 (DEI) 文化的又一重要举措。美光此前已明确承诺提升弱势群体地位、加强包容性文化和改善公司内外部DEI环境。美光 2021 年 DEI 承诺的其他内容还包括促进薪酬和福利平等、倡导种族和 LGBTQ+ (女同性恋、男同性恋、双性恋、跨性别者及酷儿)人群平等,并带动公司众多的供应链合作伙伴和当地社区。 美光激励员工共同参与盟友项目 美光最近推出了一系列由员工资源团体 (ERG) 组织和指导的盟友项目,以促进包容文化,并提高员工参与度。能人之士 (Capable),就是其中面向残疾团队成员及其盟友的员工资源团体。盟友项目近期的活动包括: · 为所有团队成员提供全球盟友培训,并将培训完成情况与激励性薪酬挂钩。 · 营造良好的工作环境,欢迎各种人才加入,并提供相关资源、技术援助和支持,以确保他们能够出色地完成工作。 · 在招聘中贯彻包容措施,要求面试名单中至少有两名应聘者来自弱势群体,并使用人工智能 (AI) 工具减少潜意识中的偏见,以实现公平选择应聘者。 美光促进平等经济业务机会 美光已加入多个非盈利成员组织,以帮助公司实现供应商多元化。作为全国少数群体供应商发展委员会 (National Minority Supplier Development Council) 的成员公司,美光积极为美国境内由少数群体开办的企业提供更多业务机会。此外,美光还是 WEConnect International 的全球成员公司,为美国境外由女性开办的企业提供机会。

    时间:2021-02-04 关键词: 盟友项目 残疾人士 美光

  • 美光发布1α DRAM 制程技术,引领DRAM技术革新

    美光发布1α DRAM 制程技术,引领DRAM技术革新

    内存和存储领域仍将保持高速增长势头 据Sumit分享,目前已经有多个成长动能因素交织在一起:汽车业需求逐步反弹,5G手机数量今年将实现翻倍增长,疫情带来的线上业务增多同样也发挥巨大推动作用。旺盛的内存和存储市场需求对于制造商的生产能力也提出了更高的要求,而这一部分的压力主要是集中在DRAM这边。据Sumit先生观察,在当前第一季度已经可以看到某些DRAM产品的价格有所上涨,并且随着全球经济复苏这种供给紧俏的现象还会持续下去。而在NAND端目前虽然市场供应充足,随着价格浮动市场会自行进行调节,在年底有望达到产能稳定。 在此次媒体会上,美光发布了其最新的1α DRAM 制程技术,这代表着业界DRAM技术的最高水平。对于美光上一代1z DRAM 制程,1α 技术将内存密度提升了 40%。采用该制程技术的LPDDR5产品将在实现更高性能同时达到更好的功耗表现,为一共行业提供15%节能的DRAM平台,帮助5G手机实现更长续航表现。1α 工艺制程提供了从8Gb~16Gb的密度,DDR4和LPDDR4产品也可以使用该新工艺来生产。所以针对有着存量市场的客户而言,可以采用更低成本实现系统性能提升,例如数据中心等。 从美光科技最新公布的财报信息来看,在截至去年12月3日的2021财年第一财季,美光科技营收较上一财年同期增12.23%。而随着2021年全球经济复苏、5G手机普及以及中国双循环和新基建的开启,美光在2021年的有着强劲的增长机会。在2021年作为NAND和DRAM技术先驱者的美光又将给我们带来哪些突破性的技术革新,让我们拭目以待。

    时间:2021-02-02 关键词: DRAM 内存 美光

  • 美光率先于业界推出 1α DRAM 制程技术

    美光率先于业界推出 1α DRAM 制程技术

    2021年 1 月 27 日,中国上海 — 内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司) 今日宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品。该制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。这是继最近首推全球最快显存和 176 层 NAND 产品后,美光实现的又一突破性里程碑,进一步加强了公司在业界的竞争力。 美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 先生表示:“ 1α 节点印证了美光在 DRAM 领域的领先成就,同时也是我们对前沿设计和技术不懈追求的成果。对比我们上一代的 1z DRAM 制程,1α 技术将内存密度提升了 40%,为将来的产品和内存创新提供了坚实的基础。” 美光计划于今年将 1α 节点全面导入其 DRAM 产品线,从而更好地支持广泛的 DRAM 应用领域——为包括移动设备和智能车辆在内的各种应用提供更强的性能。 美光继续领跑多个内存应用市场 美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 先生表示:“我们全新的 1α 技术将为手机行业带来最低功耗的 DRAM,同时也使美光于数据中心、客户端、消费领域、工业和汽车领域的 DRAM 客户受益匪浅。内存和存储预计是未来十年增长最快的半导体市场,美光凭借领先业界的 DRAM 和 NAND 技术,将在这个快速增长的市场中立于不败之地。” 美光的 1α 技术节点使内存解决方案更节能、更可靠,并为需要最佳低功耗 DRAM 产品的移动平台带来运行速度更快的 LPDDR5。美光为移动行业提供最低功耗的 DRAM 平台,实现了 15% 的节能[1],使 5G 用户在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多任务操作。 美光的 1α 先进内存节点提供 8Gb 至 16Gb 的密度,将助力美光现有的 DDR4 和 LPDDR4 系列产品延长生命周期,并能为美光在服务器、客户端、网络和嵌入式领域的客户提供更低功耗、更可靠的产品及更全面的产品支持,从而降低客户再次验证的成本。对于具备较长产品生命周期的汽车嵌入式解决方案、工业 PC 和边缘服务器等应用场景而言,1α 制程同样保证了在整个系统生命周期内更具优势的总体拥有成本。 供应情况 美光位于台湾地区的工厂已开始批量生产 1α 节点 DRAM,首先出货的是面向运算市场的DDR4 内存以及英睿达 (Crucial) 消费级 PC DRAM 产品。美光同时也已开始向移动客户提供 LPDDR4 样片进行验证。公司将在 2021 自然年内推出基于该技术的更多新产品。

    时间:2021-01-27 关键词: DRAM 制程技术 美光

  • 美光率先于业界推出1α DRAM制程技术

    2021年1月27日,中国上海——内存与存储解决方案领先供应商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布批量出货基于1α(1-alpha)节点的DRAM产品。该制程是目前世界上最为先进的DRAM技术,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。这是继最近首推全球最快显存和176层NAND产品后,美光实现的又一突破性里程碑,进一步加强了公司在业界的竞争力。 美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer先生表示:“1α节点印证了美光在DRAM领域的领先成就,同时也是我们对前沿设计和技术不懈追求的成果。对比我们上一代的1z DRAM制程,1α技术将内存密度提升了40%,为将来的产品和内存创新提供了坚实的基础。” 美光计划于今年将1α节点全面导入其DRAM产品线,从而更好地支持广泛的DRAM应用领域——为包括移动设备和智能车辆在内的各种应用提供更强的性能。 美光继续领跑多个内存应用市场 美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana先生表示:“我们全新的1α技术将为手机行业带来最低功耗的DRAM,同时也使美光于数据中心、客户端、消费领域、工业和汽车领域的DRAM客户受益匪浅。内存和存储预计是未来十年增长最快的半导体市场,美光凭借领先业界的DRAM和NAND技术,将在这个快速增长的市场中立于不败之地。” 美光的1α技术节点使内存解决方案更节能、更可靠,并为需要最佳低功耗DRAM产品的移动平台带来运行速度更快的LPDDR5。美光为移动行业提供最低功耗的DRAM平台,实现了15%的节能,使5G用户在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多任务操作。 美光的1α先进内存节点提供8Gb至16Gb的密度,将助力美光现有的DDR4和LPDDR4系列产品延长生命周期,并能为美光在服务器、客户端、网络和嵌入式领域的客户提供更低功耗、更可靠的产品及更全面的产品支持,从而降低客户再次验证的成本。对于具备较长产品生命周期的汽车嵌入式解决方案、工业PC和边缘服务器等应用场景而言,1α制程同样保证了在整个系统生命周期内更具优势的总体拥有成本。 供应情况 美光位于台湾地区的工厂已开始批量生产1α节点DRAM,首先出货的是面向运算市场的DDR4内存以及英睿达(Crucial)消费级PC DRAM产品。美光同时也已开始向移动客户提供LPDDR4样片进行验证。公司将在2021自然年内推出基于该技术的更多新产品。

    时间:2021-01-27 关键词: DRAM 内存 美光

  • 美光携手联想、联宝科技成立联合实验室,加速开发下一代PC和笔记本电脑

    2021年1月25日,中国上海——内存与存储解决方案领先供应商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布携手联想及联宝科技(联想旗下最大的制造和研发机构)成立联合实验室。该实验室是内存和存储业界首家同时联合原始设计制造商(ODM)及原始设备制造商(OEM)的联合实验室。这种独特的三方合作模式,将加快美光的DRAM和NAND前沿创新技术(例如GDDR6、LPDDR5、DDR5和PCIe 4.0 NVMe SSD)在联想产品设计中的应用,从而更好地满足用户的核心工作负载需求。 美光全球销售高级副总裁Mike Bokan先生表示:“美光始终致力于促进创新、推动科研和优化流程。通过与联想和联宝科技合作,我们希望能在客户产品开发早期就发现并解决技术问题,从而加快产品上市,同时确保卓越的质量和性能,以满足客户及行业需求。” 为了应对远程办公、远程教育及网络游戏市场需求的持续上升,三方公司的合作将聚焦加速PC及笔记本电脑的开发周期。美光将参与开发平台的测试和评估,并根据内存和存储需求为客户实现系统优化提供差异化的产品。本次合作不仅增强了联想的研发实力,而且还将确保未来产品规划与产品应用功能直接挂钩,推动个人计算设备在性能、功效和便携性方面实现突破。 联宝科技首席执行官柏鹏先生评论:“与美光建立联合实验室可谓强强联合,使我们能加快创新产品和前沿产品功能的开发节奏。我非常期待看到联宝科技与美光加深合作后取得的进一步成果。” 美光科技-联想-联宝实验室,进一步延续了美光与联想的长期合作伙伴关系。双方在过去二十余年于数据中心、智能边缘、客户端及移动通信等多个领域均开展了成功合作。 联想PC与智能方案开发副总裁Luis Hernandez先生评论:“内存与SSD是确保PC产品具备高性能、强续航和稳定系统的关键技术。我很高兴看到联想和联宝科技与行业领先的内存厂商美光进行合作,期待来自联合实验室的巨大贡献。”

    时间:2021-01-25 关键词: 联合实验室 PC 美光

  • 美光发布新品 Crucial 英睿达 X6 移动固态硬盘,助力用户随时随地快速访问数字内容

    美光发布新品 Crucial 英睿达 X6 移动固态硬盘,助力用户随时随地快速访问数字内容

    关键优势: · 容量高达 2TB,足够存储您所有的重要文件、视频、照片等 · 读取速度高达 540MB/秒,存取数据和文件的速度比传统移动硬盘快 3.8 倍 · 外形小巧轻便,方便携带,各种常用设备均能兼容 · 通过了2米跌落测试(6.5 英尺),耐冲击、耐高温 中国北京,2020 年 12月 8日 — 美光的电脑内存和存储全球消费品牌 Crucial (英睿达),今日宣布推出全新 Crucial® 英睿达 X6 移动固态硬盘 (SSD)。这款全新移动固态硬盘支持高速读取,容量大、性能高,是一款高性价比产品,扩大了美光备受认可的 SSD 产品组合,非常适合需要即时访问大量数字内容的用户。 美光消费产品事业部副总裁兼总经理 Teresa Kelley 表示:“现在,灵活访问数字内容是一项重要需求。Crucial 英睿达 X6 和 X8 移动固态硬盘的推出,令用户能随时随地享受到美光的前沿存储技术和优质产品。无论是远程工作、在家乐享天伦、准备上网课还是旅行探险,存储和访问数字文件都变得轻而易举,就算是没有互联网连接或没有云访问的情况下也一样轻松便捷。” Crucial 英睿达 X6 性能出色,外形小巧,尺寸与大多数无线耳机盒类似,重量不及一串钥匙,容量高达 2TB,可根据用户需求提供灵活的存储解决方案,而不会出现云存储带来的安全风险。这款小型硬盘的读取速度高达 540MB/秒,比大多数移动硬盘快 3.8倍。Crucial 英睿达 X6 的耐用性同样值得称道,通过了2米跌落测试,耐冲击、耐震动且耐高温。 X6 与多种最新的 USB-C 设备兼容:PC、Mac、iPad Pro、Android 等。与 Crucial 英睿达 USB-C 转 USB-A 适配器一起使用,X6 还可兼容 PS4、Xbox One 和其他 USB-A 设备。这款轻巧的硬盘可将海量照片、文件、游戏和电影存储在一个小尺寸便携式设备中,可谓是理想的解决方案。 所有 Crucial 英睿达 SSD 的设计和制造均基于相同的美光质量和工程创新技术,40 多年来,美光创造出很多世界上最先进的内存和存储技术。不但如此,Crucial 英睿达固态硬盘在上市前还要经过数千小时的发布前验证和多种质量检测,以出众品质赢得众多奖项。

    时间:2020-12-08 关键词: 移动固态硬盘 Crucial 美光

  • DDR5相比DDR4有什么新特性?

    关注+星标公众号,不错过精彩内容 编排 | strongerHuang 微信公众号 | 嵌入式专栏 由于DRAM本身的局限性,它的技术进步一直很痛苦。DDR3到DDR4的小进步花了五年;DDR4从2012年发布第一版到今天DDR5确定标准已经9年多,如果等到明年正式产品问世接近10年。 从DDR4到DDR5花了将近10年,DDR5将有什么重大突破? 它和现在市面上流行的DDR4有什么区别呢? 第五代双倍数据率同步动态随机存取存储器(英语:double data rate fifth-generation synchronous dynamic random-access memory,缩写DDR5 SDRAM)是一种正在开发的高带宽电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品。 嵌入式专栏 1 DDR5发展历史 2017年6月,负责计算机内存技术标准的组织JEDEC宣称,下一代内存标准DDR5将亮相,并预计在2018年完成最终的标准制定。 2017年9月22日,Rambus宣布在实验室中实现完整功能的DDR5 DIMM芯片,预期将在2019年开始量产。 2018年10月,Cadence和镁光公布了自己的DDR5内存研发进度,两家厂商已经开始研发16GB DDR5产品,并计划在2019年年底之前实现量产目标。 嵌入式专栏 2 DDR5的特性 1.性能改进 2. 更省电 DDR5从DDR4 1.2V进一步降低到1.1V,可以更加省电。 3.更大容量 DDR5内存将从8GB容量起步,最高可达单条32GB。 简单概括DDR5的特点有四个:更快的速度,更大的容量,更高的稳定性以及更低的能耗。 嵌入式专栏 3 DDR5和DDR4对比 DDR5是DRAM的下一步发展,带来了一系列旨在增强可靠性,可用性和可维护性(RAS)的新功能。降低功率;并大大提高性能。DDR4和DDR5之间的一些关键功能差异如下: 更多相关描述,可以进入美光(micron)官方网站查看。 ------------ END ------------ 后台回复『嵌入式软硬件综合内容』阅读更多相关文章。 关注 微信公众号『嵌入式专栏』,底部菜单查看更多内容,回复“加群”按规则加入技术交流群。 点击“阅读原文”查看更多分享,欢迎点分享、收藏、点赞、在看。 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-11-25 关键词: 存储器 美光

  • 美光出货全球首款 176 层 NAND,实现性能密度重大突破

    2020 年 11 月 12日,中国上海 — 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存,一举刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的重大提升。美光全新的 176 层工艺与先进架构共同促成了此项重大突破,使数据中心、智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用得以受益,实现性能上的巨大提升。 美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示:“美光的 176 层 NAND 树立了闪存行业的新标杆,与最接近的竞争对手同类产品相比,堆叠层数多出近 40%。结合美光的 CMOS 阵列下 (CMOS-under-array) 架构,该项技术帮助美光继续在成本方面保持行业领先优势。” 该款 176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构,是市场上最先进的 NAND 技术节点。与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比,176 层 NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上,极大地提高了应用的性能。美光的 176 层 NAND 采用紧凑型设计,裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近 30%,是满足小尺寸应用需求的理想解决方案。 采用突破性技术,发挥闪存巨大潜力,服务多元化市场 美光执行副总裁兼首席业务官 Sumit Sadana 表示:“采用美光的 176 层 NAND 后,我们的客户将实现突破性的产品创新。我们将在广泛的产品组合中部署这项技术,在 NAND 应用的各个领域中实现价值,重点把握 5G、人工智能、云和智能边缘领域的增长机会。” 美光 176 层 NAND 拥有全面设计和行业首屈一指的密度,应用广泛,在多个行业将不可或缺,包括移动设备存储、自动驾驶系统、车载信息娱乐以及客户端 (PC) 和数据中心的固态硬盘 (SSD)。 美光 176 层 NAND 的服务质量 (QoS) 进一步提升, 这对数据中心 SSD 的设计标准而言至关重要——它能更快应对数据密集型环境和工作负载,例如数据湖、人工智能 (AI) 引擎和大数据分析。对于 5G 智能手机而言,提升的 QoS 意味着多个应用程序启动和切换更加快速,带来流畅、反应迅速的移动体验,真正实现多任务处理和 5G 低延迟网络的充分利用。 在开放式 NAND 闪存接口 (ONFI) 总线上,美光第五代 3D NAND 也实现了行业领先的 1600 MT/秒最大数据传输速率,比此前提升了 33%。更快的 ONFI 速度意味着系统启动更迅速、应用程序性能更出众。在汽车应用中,这种速度将让车载系统在发动机启动后近乎即时地响应,从而为用户带来更好的体验。 美光正与业界开发者合作,将新产品快速应用到解决方案中。为了简化固件开发,美光 176 层 NAND 提供单流程 (single-pass) 写算法,使集成更为便捷,从而加快方案上市时间。 创新架构,实现出众的密度和成本优势 随着摩尔定律逐渐逼近极限,美光在 3D NAND 领域的创新对确保行业满足数据增长需求至关重要。为了实现这一目标,美光开创性地结合了堆栈式替换栅极架构、创新的电荷捕获技术和 CMOS 阵列下 (CuA)技术。美光的 3D NAND 专家团队利用专有的 CuA 技术取得了大幅进步,该技术在芯片的逻辑器件上构建了多层堆栈,将更多内存集成封装在更紧凑的空间中,极大缩小了 176 层 NAND 的裸片尺寸,提升了单片晶圆的存储容量。 同时,美光还将 NAND 单元技术从传统的浮动栅极过渡到电荷捕获,提高了未来 NAND 的可扩展性和性能。除了电荷捕获技术,美光还采用了替换栅极架构,利用其中的高导电性金属字线取代硅层,实现了出类拔萃的 3D NAND 性能。采用该技术后,美光将大幅度降低成本,继续领跑业界。 通过采用这些先进技术,美光提升了产品耐用度,这将使各种写入密集型应用特别受益,例如航空航天领域的黑匣子以及视频监控录像等。在移动设备存储中,176 层 NAND 的替换栅极架构可将混合工作负载性能提高 15%,从而支持超快速边缘计算、增强型人工智能推理以及图像显示细腻的实时多人游戏。 供应情况 美光 176 层三层单元 (TLC) 3D NAND 已在美光新加坡晶圆制造工厂量产并向客户交付,包括通过其英睿达 (Crucial) 消费级 SSD 产品线。美光将在 2021 日历年推出基于该技术的更多新产品。

    时间:2020-11-12 关键词: nand 闪存 美光

  • 雷军押注的LPDDR5内存战火再起:激烈较量中 美光再抛杀手锏

    出品 21ic中国电子网 王丽英 网站:21ic.com LPDDR(Low Power Double Data Rate )是JEDEC固态技术协会面向低功耗内存制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,设计之初即专门用于移动式电子产品应用。 JEDEC认为,LPDDR5有望对下一代便携电子设备(手机、平板)的性能产生巨大提升。 美光率先量产LPDDR5内存,小米10首发 今年2月,内存大厂美光率先宣布量产LPDDR5 DRAM芯片,并同时宣布首发于小米10智能手机。 作为客户,小米对LPDDR5赞不绝口。 雷军更是以“LPDDR5真牛”狂赞不已 。 据小米官方给出的数据,采用美光LPDDR5内存的小米10手机在内存性能方面有约30%的大幅提升。由于采用LPDDR5高性能内存,小米10手机在5G云游戏、AI运算等场景方面可以有效降低云游戏延迟、确保AI运算数据实时同步。在游戏(王者荣耀)场景中,采用LPDDR5可以省电约20%,在微信语音和视频场景应用中,可省电约10%。 雷军为此直呼,LPDDR5将是2020旗舰手机的标配 。 据悉,率先量产的美光LPDDR5运用领先的封装技术,单裸芯片12Gb,其传输速率最高6.4Gbps比 LPDDR4快了近一倍,比LPDDR4x快了20%以上,数据访问速度提高了50%。 三星量产速度最高/容量最大LPDDR5内存,采用EUV技术 8月30日,另一家存储大厂三星也宣布量产LPDDR5内存。据三星介绍,该16Gb LPDDR5内存基于其第三代10nm级(1z)工艺打造,是首款采用EUV技术量产的内存,达到了当时移动DRAM产品的最高速度和最大容量。由于采用了更先进的1z工艺制造,三星LPDDR5在尺寸上比上一代产品薄了30%,更能适应智能手机对多功能小体积的苛刻要求。 美光再抛杀手锏,宣布量产LPDDR5 DRAM多芯片封装产品 就在三星宣布推出容量更大的LPDDR5 DRAM芯片之后,10月21日,美光再次拿出杀手锏,宣布量产LPDDR5 DRAM多芯片封装产品。 据美光宣称,这是业界首款基于低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 的通用闪存存储(UFS)多芯片封装量产产品 uMCP5。该款多芯片封装产品搭载美光 LPDDR5 内存、高可靠性 NAND 以及领先的 UFS3.1 控制器,实现了此前只在使用独立内存和存储芯片的昂贵旗舰手机上才有的高级功能。 既有DRAM,又有NAND,且集成在一个紧凑封装中,使智能手机能够应对数据密集型 5G 工作负载,显著提升速度和功效。 美光uMCP5目前可提供四种不同的密度配置:128+8GB,128+12GB,256+8GB 和 256+12GB。 美光uMCP5产品将把LPDDR5推向中端手机等更广阔市场 美光移动产品事业部区域营销高级经理 Mario Endo在接受21ic电子网独家采访时表示,“ 虽然LPDDR5 的首次应用场景针对的是高端智能手机,而随着我们开发基于LPDDR5 的多芯片封装解决方案——uMCP5,这款产品将在明年被应用于中端智能手机 。”而且,不仅高中端手机,就连汽车、5G、人工智能等市场,也是美光LPDDR5的目标市场。 美光移动产品事业部区域营销高级经理 Mario Endo 据Mario Endo介绍,美光LPDDR5的速度和容量完全支持内置在移动处理器中的人工智能引擎,这些处理器依赖于美光的内置高速LPDDR5 内存来增强其机器学习能力。美光的LPDDR5 DRAM 数据访问速度提高了50%,从而满足了这些需求。美光LPDDR5 还支持5G 智能手机以高达6.4Gbps 的峰值速度处理数据,为了避免5G 数据传输遇到瓶颈,这项优势至关重要。 对于新量产的uMCP5产品,Mario Endo指出,在容量、速度和功耗等方面都取得了实质性的改进。在DRAM 层面,LPDDR5接口与LPDDR4x相比,带宽提高了50%,功耗降低了20%;而在NAND 层面,UFS3.1 接口单通道的带宽提高了一倍以上,最新的NAND 和控制器技术可节省20% 的器件级功耗。 美光的uMCP5 在一个11.5x13mm封装中提供了高达256GB的存储空间和12GB的DRAM。这是借助最新的技术节点使用高密度裸片实现的:DRAM端提供了12Gb单裸片;NAND端采用96 层(3D)技术提供了512Gb 单裸片;同时结合了美光的阵列下CMOS 设计,将CMOS 逻辑器件置于 NAND阵列之下。 Mario Endo预计,在未来几年内,uMCP5 将在整个移动市场得到广泛采用——尤其是LPDDR 的带宽增长了50%,弥补了与旗舰产品通常使用的层叠封装(PoP,Package-on-Package)器件的差距,而旗舰产品已经在使用LPDDR5。 正如Mario Endo所说,在小米10带动下,雷军振臂高呼下,高端的旗舰手机纷纷启用LPDDR5内存。据Mario Endo透露,除了小米10,摩托罗拉edge+ 手机中也采用了美光LPDDR5,截止采访时,美光已经向20 多家客户交付了LPDDR5产品。Mario Endo还表示,环视市场,三星、OPPO、One Plus(一加)、索尼等其他移动设备 OEM厂商也非常青睐LPDDR5 这项技术。 围绕LPDDR5技术的竞赛正酣,而美光祭出的uMCP5这记杀手锏,会在移动领域这片蓝海里掀起什么波澜?让我们拭目以待!  近期热度新闻 【1】 敢坐吗?无人驾驶出租车惊现北京街头! 【2】摩尔定律引发的技术革命下,中国半导体产业的机会 【3】 从荷兰进口DUV光刻机需要许可证吗?ASML如是解释 干货技能好文 【1】 探头问题大汇总!示波器测不准的看这里! 【2】眼见不一定为实!电阻、电容和电感的实际等效模型 【3】 什么是PID?讲个故事,秒懂! 优质资源推荐 【1】 终于整理齐了,电子工程师“设计锦囊”,你值得拥有! 【2】 半导体行业的人都在关注这几个公众号 【3】 电子工程师自我“修炼宝典” 21ic独家整理! 你和大牛工程师之间到底差了啥? 加入技术交流群,与高手面对面  添加管理员微信 免责声明:本文内容由21ic获得授权后发布,版权归原作者所有,本平台仅提供信息存储服务。文章仅代表作者个人观点,不代表本平台立场,如有问题,请联系我们,谢谢!

    时间:2020-10-24 关键词: 半导体 美光

  • 雷军押注的LPDDR5内存战火再起:激烈较量中,美光再抛杀手锏

    雷军押注的LPDDR5内存战火再起:激烈较量中,美光再抛杀手锏

    (21ic原创文章,未经许可,请勿微信公众号发布,其他平台转载,请注明来源,谢谢!) LPDDR(Low Power Double Data Rate )是JEDEC固态技术协会面向低功耗内存制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,设计之初即专门用于移动式电子产品应用。JEDEC认为,LPDDR5有望对下一代便携电子设备(手机、平板)的性能产生巨大提升。 美光率先量产LPDDR5内存,小米10首发 今年2月,内存大厂美光率先宣布量产LPDDR5 DRAM芯片,并同时宣布首发于小米10智能手机。 作为客户,小米对LPDDR5赞不绝口。雷军更是以“LPDDR5真牛”狂赞不已。 据小米官方给出的数据,采用美光LPDDR5内存的小米10手机在内存性能方面有约30%的大幅提升。由于采用LPDDR5高性能内存,小米10手机在5G云游戏、AI运算等场景方面可以有效降低云游戏延迟、确保AI运算数据实时同步。在游戏(王者荣耀)场景中,采用LPDDR5可以省电约20%,在微信语音和视频场景应用中,可省电约10%。 雷军为此直呼,LPDDR5将是2020旗舰手机的标配。 据悉,率先量产的美光LPDDR5运用领先的封装技术,单裸芯片12Gb,其传输速率最高6.4Gbps比 LPDDR4快了近一倍,比LPDDR4x快了20%以上,数据访问速度提高了50%。 三星量产速度最高/容量最大LPDDR5内存,采用EUV技术 8月30日,另一家存储大厂三星也宣布量产LPDDR5内存。据三星介绍,该16Gb LPDDR5内存基于其第三代10nm级(1z)工艺打造,是首款采用EUV技术量产的内存,达到了当时移动DRAM产品的最高速度和最大容量。由于采用了更先进的1z工艺制造,三星LPDDR5在尺寸上比上一代产品薄了30%,更能适应智能手机对多功能小体积的苛刻要求。 美光再抛杀手锏,宣布量产LPDDR5 DRAM多芯片封装产品 就在三星宣布推出容量更大的LPDDR5 DRAM芯片之后,10月21日,美光再次拿出杀手锏,宣布量产LPDDR5 DRAM多芯片封装产品。 据美光宣称,这是业界首款基于低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 的通用闪存存储(UFS)多芯片封装量产产品 uMCP5。该款多芯片封装产品搭载美光 LPDDR5 内存、高可靠性 NAND 以及领先的 UFS3.1 控制器,实现了此前只在使用独立内存和存储芯片的昂贵旗舰手机上才有的高级功能。 既有DRAM,又有NAND,且集成在一个紧凑封装中,使智能手机能够应对数据密集型 5G 工作负载,显著提升速度和功效。 美光uMCP5目前可提供四种不同的密度配置:128+8GB,128+12GB,256+8GB 和 256+12GB。 美光uMCP5产品将把LPDDR5推向中端手机等更广阔市场 美光移动产品事业部区域营销高级经理 Mario Endo在接受21ic电子网独家采访时表示,“虽然LPDDR5 的首次应用场景针对的是高端智能手机,而随着我们开发基于LPDDR5 的多芯片封装解决方案——uMCP5,这款产品将在明年被应用于中端智能手机。”而且,不仅高中端手机,就连汽车、5G、人工智能等市场,也是美光LPDDR5的目标市场。 美光移动产品事业部区域营销高级经理 Mario Endo 据Mario Endo介绍,美光LPDDR5的速度和容量完全支持内置在移动处理器中的人工智能引擎,这些处理器依赖于美光的内置高速LPDDR5 内存来增强其机器学习能力。美光的LPDDR5 DRAM 数据访问速度提高了50%,从而满足了这些需求。美光LPDDR5 还支持5G 智能手机以高达6.4Gbps 的峰值速度处理数据,为了避免5G 数据传输遇到瓶颈,这项优势至关重要。 对于新量产的uMCP5产品,Mario Endo指出,在容量、速度和功耗等方面都取得了实质性的改进。在DRAM 层面,LPDDR5接口与LPDDR4x相比,带宽提高了50%,功耗降低了20%;而在NAND 层面,UFS3.1 接口单通道的带宽提高了一倍以上,最新的NAND 和控制器技术可节省20% 的器件级功耗。 美光的uMCP5 在一个11.5x13mm封装中提供了高达256GB的存储空间和12GB的DRAM。这是借助最新的技术节点使用高密度裸片实现的:DRAM端提供了12Gb单裸片;NAND端采用96 层(3D)技术提供了512Gb 单裸片;同时结合了美光的阵列下CMOS 设计,将CMOS 逻辑器件置于 NAND阵列之下。 Mario Endo预计,在未来几年内,uMCP5 将在整个移动市场得到广泛采用——尤其是LPDDR 的带宽增长了50%,弥补了与旗舰产品通常使用的层叠封装(PoP,Package-on-Package)器件的差距,而旗舰产品已经在使用LPDDR5。 正如Mario Endo所说,在小米10带动下,雷军振臂高呼下,高端的旗舰手机纷纷启用LPDDR5内存。据Mario Endo透露,除了小米10,摩托罗拉edge+ 手机中也采用了美光LPDDR5,截止采访时,美光已经向20 多家客户交付了LPDDR5产品。Mario Endo还表示,环视市场,三星、OPPO、One Plus(一加)、索尼等其他移动设备 OEM厂商也非常青睐LPDDR5 这项技术。 围绕LPDDR5技术的竞赛正酣,而美光祭出的uMCP5这记杀手锏,会在移动领域这片蓝海里掀起什么波澜?让我们拭目以待!

    时间:2020-10-23 关键词: 雷军 技术专访 lpddr5 美光

  • 美光量产全球首款基于 LPDDR5 DRAM 的多芯片封装产品

    美光量产全球首款基于 LPDDR5 DRAM 的多芯片封装产品

    2020 年 10 月 21 日,中国上海 —— 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.今日宣布量产业界首款基于低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 的通用闪存存储(UFS)多芯片封装产品 uMCP5。美光 uMCP5 将高性能、高密度及低功耗的内存和存储集成在一个紧凑的封装中,使智能手机能够应对数据密集型 5G 工作负载,显著提升速度和功效。该款多芯片封装产品搭载美光 LPDDR5 内存、高可靠性 NAND 以及领先的 UFS3.1 控制器,实现了此前只在使用独立内存和存储芯片的昂贵旗舰手机上才有的高级功能。uMCP5 的出现使诸如图像识别、高级人工智能(AI)、多摄像头支持、增强现实(AR)和高分辨率显示等最新技术能在中高端手机上予以普及,从而惠及更多的消费者。 美光高级副总裁兼移动产品事业部总经理 Raj Talluri 表示:“要将 5G 的潜力从宣传层面变为现实,需要智能手机能够应对通过网络和下一代应用程序传输的海量数据。我们的 uMCP5 在单个封装中结合了最快的内存和存储,为颠覆性的 5G 技术带来了更多可能,帮助消费者从容应对数据挑战。” 美光 uMCP5 为 5G 生态系统带来出类拔萃的速度和效率 本次发布是美光于今年三月宣布 uMCP5 出样的延续,为移动市场设定了新标准,成为首款使用最新一代 UFS NAND 存储和低功耗 DRAM 的多芯片封装产品。如今的智能手机需要存储和处理海量数据,这使基于 LPDDR4 的中端芯片组的内存带宽变得捉襟见肘,带来的后果是视频分辨率降低、出现影响体验的延迟,以及部分功能受限。 借助 LPDDR5,美光将内存带宽从 3,733 Mb/秒大幅提高至 6,400 Mb/秒,即使在处理大数据量时,也可为移动用户提供无缝、即时的体验。 高通公司(Qualcomm)产品管理副总裁 Ziad Asghar 表示:“5G 为智能手机提供了前所未有的速度与云连接。我们很高兴看到 uMCP5 面世,为新一代手机带来符合 5G 速度的内存,并保证了一流的游戏体验、差异化的摄像头、AI 功能,以及更快的文件传输。” uMCP5 专为下一代 5G 设备而设计,能轻松快速地处理和存储大量数据,且无需在性能和功耗之间进行妥协。高性能的内存和存储使 uMCP5 能够充分支持 5G 下载速度,并同时运行更多应用程序。 美光 uMCP5 的主要特性包括: · 续航时间大幅延长:在 uMCP4 的成功基础上,美光将 LPDDR5 内存用于 uMCP5,实现了 5G 网络的完全利用;与 LPDDR4 相比,功耗降低了近 20%。此外,美光的 UFS 3.1 功耗比其前代产品 UFS 2.1 减少 40%。对于智能手机用户而言,即使在使用耗电的多媒体应用程序或数据密集型功能(如 AI、AR、图像识别、游戏、沉浸式娱乐等)时,也能有更长的续航时间。 · 下载速度快:与美光此前基于 UFS 2.1 的解决方案相比,美光 uMCP5 释放了 5G 性能的全部潜力,持续下载速度可以加快 20%。 · 耐用度提升:美光 uMCP5 NAND 的耐用度提升了约 66%,可以允许 5,000 次擦写,成倍增加了设备的可擦写次数和数据量,而不会降低设备性能。即使对于重度手机用户而言,也能有效延长智能手机的使用寿命。 · 业界领先的带宽:采用 uMCP5 的设备最高将支持 6,400 Mb/s 的 DRAM 带宽,与上一代 LPDDR4x 的 4,266 Mb/s 带宽相比,增加了 50%。这使移动用户可以同时运行多个应用程序而不会影响体验。增加的带宽也使智能手机中的 AI 计算摄影获得了更高质量的图像处理,为用户带来专业的摄影能力。美光是业界首家支持全速 LPDDR5 的供应商。 最新闪存性能:美光 uMCP5 还采用了最快的 UFS 3.1 存储接口,与其上一代 UFS 2.1 产品相比,顺序读取性能提高了一倍,写入速度加快了 20%。 节省空间的紧凑设计:美光利用其多芯片封装专业知识以及所掌握的制造和封装技术,以最紧凑的尺寸设计 uMCP5,从而实现了更纤薄、更灵活的智能手机设计。与独立版本的 LPDDR5 和 UFS 解决方案相比,美光 uMCP5 多芯片封装可节约 55% 的印刷电路板空间。节省的空间使手机制造商能够最大限度地提升电池容量或增加其他功能,例如摄像头、手势元件或传感器。美光可提供高达 12 GB LPDDR5 和 512 GB NAND 的多个容量配置选择。 美光 uMCP5 的供应情况 uMCP5 现在已经可以批量生产,有四种不同的密度配置:128+8 GB,128+12 GB,256+8 GB 和 256+12 GB。

    时间:2020-10-21 关键词: umcp5 美光 芯片

  • 美光量产全球首款基于 LPDDR5 DRAM的多芯片封装产品

    美光量产全球首款基于 LPDDR5 DRAM的多芯片封装产品

    内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布量产业界首款基于低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 的通用闪存存储(UFS)多芯片封装产品 uMCP5。美光 uMCP5 将高性能、高密度及低功耗的内存和存储集成在一个紧凑的封装中,使智能手机能够应对数据密集型 5G 工作负载,显著提升速度和功效。该款多芯片封装产品搭载美光 LPDDR5 内存、高可靠性 NAND 以及领先的 UFS3.1 控制器,实现了此前只在使用独立内存和存储芯片的昂贵旗舰手机上才有的高级功能。uMCP5 的出现使诸如图像识别、高级人工智能(AI)、多摄像头支持、增强现实(AR)和高分辨率显示等最新技术能在中高端手机上予以普及,从而惠及更多的消费者。 美光高级副总裁兼移动产品事业部总经理 Raj Talluri 表示:“要将 5G 的潜力从宣传层面变为现实,需要智能手机能够应对通过网络和下一代应用程序传输的海量数据。我们的 uMCP5 在单个封装中结合了最快的内存和存储,为颠覆性的 5G 技术带来了更多可能,帮助消费者从容应对数据挑战。” 美光 uMCP5 为 5G 生态系统带来出类拔萃的速度和效率 本次发布是美光于今年三月宣布 uMCP5 出样的延续,为移动市场设定了新标准,成为首款使用最新一代 UFS NAND 存储和低功耗 DRAM 的多芯片封装产品。如今的智能手机需要存储和处理海量数据,这使基于 LPDDR4 的中端芯片组的内存带宽变得捉襟见肘,带来的后果是视频分辨率降低、出现影响体验的延迟,以及部分功能受限。 借助 LPDDR5,美光将内存带宽从 3,733 Mb/秒大幅提高至 6,400 Mb/秒,即使在处理大数据量时,也可为移动用户提供无缝、即时的体验。 高通公司(Qualcomm)产品管理副总裁 ZiadAsghar 表示:“5G 为智能手机提供了前所未有的速度与云连接。我们很高兴看到 uMCP5 面世,为新一代手机带来符合 5G 速度的内存,并保证了一流的游戏体验、差异化的摄像头、AI 功能,以及更快的文件传输。” uMCP5 专为下一代 5G 设备而设计,能轻松快速地处理和存储大量数据,且无需在性能和功耗之间进行妥协。高性能的内存和存储使 uMCP5 能够充分支持 5G 下载速度,并同时运行更多应用程序。 美光 uMCP5 的主要特性包括: 续航时间大幅延长:在 uMCP4 的成功基础上,美光将 LPDDR5 内存用于 uMCP5,实现了 5G 网络的完全利用;与 LPDDR4 相比,功耗降低了近 20%。此外,美光的 UFS 3.1 功耗比其前代产品 UFS 2.1 减少 40%。对于智能手机用户而言,即使在使用耗电的多媒体应用程序或数据密集型功能(如 AI、AR、图像识别、游戏、沉浸式娱乐等)时,也能有更长的续航时间。 下载速度快:与美光此前基于 UFS 2.1 的解决方案相比,美光 uMCP5 释放了 5G 性能的全部潜力,持续下载速度可以加快 20%。 耐用度提升:美光 uMCP5 NAND 的耐用度提升了约 66%,可以允许 5,000 次擦写,成倍增加了设备的可擦写次数和数据量,而不会降低设备性能。即使对于重度手机用户而言,也能有效延长智能手机的使用寿命。 业界领先的带宽:采用 uMCP5 的设备最高将支持6,400 Mb/s 的 DRAM 带宽,与上一代 LPDDR4x 的4,266 Mb/s 带宽相比,增加了 50%。这使移动用户可以同时运行多个应用程序而不会影响体验。增加的带宽也使智能手机中的 AI计算摄影获得了更高质量的图像处理,为用户带来专业的摄影能力。美光是业界首家支持全速 LPDDR5 的供应商。 最新闪存性能:美光 uMCP5 还采用了最快的 UFS 3.1 存储接口,与其上一代 UFS 2.1 产品相比,顺序读取性能提高了一倍,写入速度加快了 20%。 节省空间的紧凑设计:美光利用其多芯片封装专业知识以及所掌握的制造和封装技术,以最紧凑的尺寸设计 uMCP5,从而实现了更纤薄、更灵活的智能手机设计。与独立版本的 LPDDR5 和 UFS 解决方案相比,美光 uMCP5 多芯片封装可节约 55% 的印刷电路板空间。节省的空间使手机制造商能够最大限度地提升电池容量或增加其他功能,例如摄像头、手势元件或传感器。美光可提供高达 12 GB LPDDR5 和 512 GB NAND 的多个容量配置选择。 美光 uMCP5 的供应情况 uMCP5 现在已经可以批量生产,有四种不同的密度配置:128+8 GB,128+12 GB,256+8 GB 和 256+12 GB。

    时间:2020-10-21 关键词: DRAM lpddr5 美光

  • 英睿达X8移动SSD,速度十倍于HDD

    英睿达X8移动SSD,速度十倍于HDD

    英睿达X8移动SSD将是下述内容主要介绍对象,希望大家通过本文可以对它有所认识和了解。 英睿达X8移动SSD使用了USB 3.2 Gen2 Type-C接口,最大顺序读写速度可达1050MB/s,十倍于HDD。尺寸则只有110x53x11.5mm,净重100g,同样也是远远优于移动机械硬盘。 英睿达X8移动SSD采用的是来自美光的96层3D QLC NAND,单Die容量为1Tb(133GB),8 Ddie封装,因此单颗闪存的容量高达1TB,只需要2颗就能达到2TB的容量。 在缓存方面,内置2GB容量的美光D9XPG DRAM,能够保证4K读写速度达到顶级TLC SSD的水准。动态SLC缓存算法的加入则能保障稳定而高速的顺序写入速度。 在写入寿命方面,我们手上这块英睿达X8 2TB移动SSD为300TBW,与顶级500GB TLC SSD相当(比如三星EVO 970 500GB)。 英睿达X8 2TB移动SSD详细参数如下: 上述便是小编这次为大家推荐的内容,希望大家喜欢,想了解更多内容,请关注我们网站哦。

    时间:2020-10-15 关键词: ssd 英睿达 美光

  • Crucial P5:美光自研控制器高端SSD

    Crucial P5:美光自研控制器高端SSD

    Crucial P5是美光最近推出的一款M.2 2280的消费级SSD,采用的是PCIe 3.0 x4,使用的是NVMe 1.3协议,有250GB、500GB、1TB和2TB四个版本。Crucial的高端消费级SSD一直缺位,此前发布了一款叫P1的算是入门,现在发布了P5,作为美光的高端SSD,P5的步子迈得不算大。 官方数据显示,P5顺序读3400M/s,顺序写3000MB/s(250GB版本的顺序写只有1400MB/s),容量越大,读性能就越好。IOPS方面,4K随机读写最高能达到43万/50万 IOPS,整体性能参数在同类SSD中算是比较高的。 官方文档显示,P5支持许多高级功能,比如动态写加速( dynamic write acceleration),P5的SLC Cache可以根据工作负载调整大小,从而可以减少写放大和优化性能。 此外,P5还支持自适应的热保护,以平衡性能和耐用性,而且,它的温度传感器不仅在控制器上有,在NAND芯片上也有,温度如果超过70度会限速,如果超过85度会关闭SSD。 P5不仅强调性能,在数据保护方面,支持全硬件的加密方式。写入寿命方面,每250GB最多写入150TB,1TB版本支持写入0.6PB,2TB版本支持写入1.2PB。1TB的实际可用容量只有930GB,大约是将9%的容量做了OP。 除了美光原厂颗粒,还有多个数据完整性措施,加上LDPC、ECC什么的,在数据安全可靠性方面用户可以完全不用担心。 P5采用的是单面设计,方便放在移动设备里,1TB版本的板子上有2块512GB 96层TLC NAND芯片,每块NAND芯片封装了8个die,另外还有1GB的LPDRAM内存。 主控芯片方面,P5采用的是美光自家的六核控制器(DM01B2),是一款8通道的NVMe控制芯片。美光也终于用上了自研的控制器,下一步应该拿出来PCIe 4.0的了吧。 自研控制器,自己的TLC芯片加上酷炫的外形设计,不禁对它的性能跑分感到好奇~ 一、基准性能测试 测试主机平台配置如下,16年的老配置了: 我们将使用Crystal Disk Info、ATTO Disk Benchmark、AS SSD、Anvil's Storage Utilities、PCMark 8和TxBench分别进行基准测试。 二、Crystal Disk Info Crystal Disk Info通常是用来查看磁盘信息的一个工具,能显示存储设备的一些特性和运行状况。 从已知信息来看,无论是通电次数还是通电时间,还有写入数据量来看,都不算是全新的盘了,多少对性能是有一些影响的,可能更真实一些吧。 三、ATTO DISK BENCHMARK ATTO DISK BENCHMARK 是最经典的磁盘测试工具之一,而且是厂商特别看重的一个测试规范,因为数据一般比较好看。测试中我们使用默认设置,ATTO用的是原始(Raw)或未压缩数据。 从64KB开始,写性能就开始接近标称的3000MB/s,从4MB数据块开始,读性能也基本稳定在标称的3400MB/s,随着数据块的增大,性能整体还是非常稳定的。 当开启压缩负载之后,性能整体有明显降低,且基本上读性能要比写性能下降的更厉害。 四、Crystal Disk Benchmark Crystal Disk Benchmark可以测随机4K IOPS性能和顺序读写吞吐带宽,之前版本显示的不是特别清楚,而比较新的Crystal Disk Benchmark 7.0.0看的更清楚。另外,跟以前版本对比的时候注意测试项目有变化,比如队列深度和线程。 顺序读写带宽与标称的数据差不多,测试表现还是很不错的。 队列深度32的时候,16线程的4K读性能能达到40万,4K写IOPS能达到近50万,这一数据与标称的数据差不多。 延迟数据对于一款消费级SSD来说,其实意义非常有限,仅供参考。 五、AS SSD Benchmark 如果说SSD厂商最喜欢的是ATTO Disk Benchmark的话,那可能普通用户最喜欢的就是AS SSD Benchmark了,因为它测的场景都不太利于发挥性能,SSD在过程中挑战比较大,可能更接近于真实使用体验。 顺序读写的吞吐带宽与标称的数据相差略大。 4K随机IOPS数值则与Crystal Disk Benchmark相差很小,读写大约37万/50万,可见其4K IOPS表现真的可以很强。 文件拷贝速度方面,镜像文件的拷贝速度是最快的,但与标称值仍有不小差距。 六、ANVIL STORAGE UTILITIES ASU也是非常常见的测试工具,它预置了多种SSD基准测试,测试类型也非常丰富,显示的特别清楚。 4MB数据块顺序读写性能与标称的差距较大,IOPS方面,测的是4K QD 16读有大约20万IOPS,写有30万IOPS。 七、TxBENCH TxBench与Crystal Disk Benchmark很像,但是它支持的测试负载更多一些,因为它可以自定义一些测试,设置QD队列深度和线程。另外,如果SSD支持安全擦除的话可以在这里完成相关操作。 默认配置实测数据如上图,顺序读写跟官方标称的数据差不多。IOPS部分这里不直接显示,不过,我们可以将MBx256进行一次换算,得出IOPS数据。 八、PCMark8 PCMark 8的存储测试可以创建一系列真实的测试场景,比如测试打开战地三,魔兽世界之类的游戏,还有微软的Office软件,以及Adobe软件时的表现,针对真实场景下的实际参考价值更多一些。 整体而言,P5在顺序读写和4K随机读写方面的表现都还算不错,尤其是4K随机读写性非常的出众。大体上与三星的970 EVO Plus接近,同时,价格比三星相隔大约30美金,看970 EVO Plus的朋友也可以看看P5。 除此之外,P5作为后来者,并不是完全跟着别人跑,它还有全盘硬件加密和温度保护等亮点技术。对于美光来说,自研控制器才是最大亮点,同样作为闪存颗粒大厂的英特尔和三星都有自己的控制器,从P5开始,美光也有了完全属于自己的高端方案。

    时间:2020-10-05 关键词: 控制器 ssd 美光

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