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  • 美光出货全球首款 176 层 NAND,实现性能密度重大突破

    2020 年 11 月 12日,中国上海 — 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存,一举刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的重大提升。美光全新的 176 层工艺与先进架构共同促成了此项重大突破,使数据中心、智能边缘平台和移动设备等一系列存储应用得以受益,实现性能上的巨大提升。 美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示:“美光的 176 层 NAND 树立了闪存行业的新标杆,与最接近的竞争对手同类产品相比,堆叠层数多出近 40%。结合美光的 CMOS 阵列下 (CMOS-under-array) 架构,该项技术帮助美光继续在成本方面保持行业领先优势。” 该款 176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构,是市场上最先进的 NAND 技术节点。与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比,176 层 NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上,极大地提高了应用的性能。美光的 176 层 NAND 采用紧凑型设计,裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近 30%,是满足小尺寸应用需求的理想解决方案。 采用突破性技术,发挥闪存巨大潜力,服务多元化市场 美光执行副总裁兼首席业务官 Sumit Sadana 表示:“采用美光的 176 层 NAND 后,我们的客户将实现突破性的产品创新。我们将在广泛的产品组合中部署这项技术,在 NAND 应用的各个领域中实现价值,重点把握 5G、人工智能、云和智能边缘领域的增长机会。” 美光 176 层 NAND 拥有全面设计和行业首屈一指的密度,应用广泛,在多个行业将不可或缺,包括移动设备存储、自动驾驶系统、车载信息娱乐以及客户端 (PC) 和数据中心的固态硬盘 (SSD)。 美光 176 层 NAND 的服务质量 (QoS) 进一步提升, 这对数据中心 SSD 的设计标准而言至关重要——它能更快应对数据密集型环境和工作负载,例如数据湖、人工智能 (AI) 引擎和大数据分析。对于 5G 智能手机而言,提升的 QoS 意味着多个应用程序启动和切换更加快速,带来流畅、反应迅速的移动体验,真正实现多任务处理和 5G 低延迟网络的充分利用。 在开放式 NAND 闪存接口 (ONFI) 总线上,美光第五代 3D NAND 也实现了行业领先的 1600 MT/秒最大数据传输速率,比此前提升了 33%。更快的 ONFI 速度意味着系统启动更迅速、应用程序性能更出众。在汽车应用中,这种速度将让车载系统在发动机启动后近乎即时地响应,从而为用户带来更好的体验。 美光正与业界开发者合作,将新产品快速应用到解决方案中。为了简化固件开发,美光 176 层 NAND 提供单流程 (single-pass) 写算法,使集成更为便捷,从而加快方案上市时间。 创新架构,实现出众的密度和成本优势 随着摩尔定律逐渐逼近极限,美光在 3D NAND 领域的创新对确保行业满足数据增长需求至关重要。为了实现这一目标,美光开创性地结合了堆栈式替换栅极架构、创新的电荷捕获技术和 CMOS 阵列下 (CuA)技术。美光的 3D NAND 专家团队利用专有的 CuA 技术取得了大幅进步,该技术在芯片的逻辑器件上构建了多层堆栈,将更多内存集成封装在更紧凑的空间中,极大缩小了 176 层 NAND 的裸片尺寸,提升了单片晶圆的存储容量。 同时,美光还将 NAND 单元技术从传统的浮动栅极过渡到电荷捕获,提高了未来 NAND 的可扩展性和性能。除了电荷捕获技术,美光还采用了替换栅极架构,利用其中的高导电性金属字线取代硅层,实现了出类拔萃的 3D NAND 性能。采用该技术后,美光将大幅度降低成本,继续领跑业界。 通过采用这些先进技术,美光提升了产品耐用度,这将使各种写入密集型应用特别受益,例如航空航天领域的黑匣子以及视频监控录像等。在移动设备存储中,176 层 NAND 的替换栅极架构可将混合工作负载性能提高 15%,从而支持超快速边缘计算、增强型人工智能推理以及图像显示细腻的实时多人游戏。 供应情况 美光 176 层三层单元 (TLC) 3D NAND 已在美光新加坡晶圆制造工厂量产并向客户交付,包括通过其英睿达 (Crucial) 消费级 SSD 产品线。美光将在 2021 日历年推出基于该技术的更多新产品。

    时间:2020-11-12 关键词: 美光 nand 闪存

  • ASIC热潮再现 搅动2013年3110亿美元半导体市场

    ASIC热潮再现 搅动2013年3110亿美元半导体市场

      根据全球技术研究和咨询公司Gartner最新预测,2013年全球半导体总收入预计将达3,110亿美元,与2012年相比,增长4.5%。由于经济疲软,再加上库存调整的因素,Gartner下调了在第三季度所做的2013年半导体收入将达3,300亿美元的预测。   分析师也将2012年半导体收入预估下调至2,980亿美元,比2011年下滑3%。Gartner曾在今年第三季度预计2012年收入可望达3,090亿美元,比去年微增0.6%。   Gartner首席分析师PeterMiddleton表示:“迫在眉睫的财政悬崖、持续发展的欧债危机、趋缓的新兴市场增长以及区域的紧张局势都降低了我们对2012年以及2013年半导体收入的增长预测。自2012年下半年开始,半导体库存水平已处于高峰,主要是因为个人电脑需求量降低以及市场供过于求。”   2012年半导体市场因DRAM价格未能回升而进一步走弱。Gartner预测,当供应量增长趋缓预计将让市场进入供不应求的阶段时,DRAM市场直到 2013年下半年才会开始复苏。这将是半导体产业的转折点,内存市场可望以15.3%的增长率率先回稳,2014年半导体总收入预计将比2013年增长 9.9%,达到3,420亿美元。   “苹果效应”预计将在2013年持续发酵,有望带动NAND产业与特定应用集成电路(ASIC)的收入,增长率分别达17.2%和9.4%。 Gartner将苹果的A4、A5以及A6应用处理器皆列在ASIC类别,因其为专门为苹果设计和独家使用的定制化处理器。ASIC也将受惠于将于 2012年底至2013年上市的新一代视频游戏机。   2012年个人电脑产量预计将下滑2.5%。2013年个人电脑总产量预计将持续疲软,然而,Ultra-MobilePC(UMPC)将在少数地区呈现强劲增长。经济环境不佳除了会让用户在采用平板电脑之际,仍延长他们的个人电脑使用时间,也将延长个人电脑的生命周期。   2012年与2013年的整体手机产量增长幅度预计呈现趋缓走势,主要是因为经济不景气导致短期手机需求下降。不过,基本款智能型手机的产量却逐步增加,主要是受惠于消费者从传统手机转换至智能手机的换机潮所致。其中特别值得注意的是,入门款的Android手机在新兴市场的采用率持续加速上升,并将成为增长的主要驱动力。   2013年全球智能手机的产量增长率预计将达33%。此外,Gartner也将原本在第三季度对2013年平板电脑的产量预测从1.698亿台上调至 2.071亿台,年增幅达38.5%。AmazonKindleFire、GoogleNexus 7,和苹果iPad Mini的销售成功意味着具有竞争力价格的小尺寸平板电脑拥有大量商机,而白牌平板电脑市场优于市场预期的表现,则拉高了整体产量的预测。  

    时间:2020-09-06 关键词: DRAM 半导体市场 智能手机 asic nand

  • 浅析国产存储面临的挑战

    浅析国产存储面临的挑战

    当你与一位半导体存储器行业的老投资者交谈时,你会看到,他面对这个模棱两可行业所表现出的冷静态度。因为破坏利润的因素总是存在,而一些因素可能会压倒你在投资时候的乐观逻辑。 今天的话题之一是,NAND行业在其20多年的历史后进入了真正的转型时期之一。3D NAND正在成熟,带来了前所未有的高密度和低成本,从而在数据中心和移动设备中带来了新的机会。 在这些新应用的驱动下,TAM正在上升。在强劲的需求和一些产能限制的支撑下,利润也在上升。但并非每家公司都同样受益。 三星占据了40%的收入份额,利润份额可能更大。三星之下,是受到动荡波及的第二大生产商——东芝,正如我们先前所讨论的那样,东芝的动荡和竞争对手的技术优势为镁光和英特尔带来了黄金机会,让它们在行业中占据了一定比例的收入和利润份额。 存储产业将在2020年面临挑战 这是好日子,对吗?没错,如果我们只考虑未来几年的话,的确如此,但是2020年以后呢? 在这项业务中,PE倍数总是受制于供应和需求的面对面的特性。随着物联网的兴起和数据中心的新机遇,需求似乎相对确定。但是供应怎么样?更大的密度与持续的技术进步可能吓到了一些人,但常常被人遗忘的是,从平面到3D的初始转换会增加40%的芯片成本,此后每一步推进的过程再从晶圆供应中减去10-15%。 总之,当行业最终将平面晶圆转换为2019年的第3代(在某些情况下是第4代)时,2016年130万wpm的NAND容量将缩小到仅500kwpm。 毫无疑问,NAND行业正在增加3D的容量——镁光和英特尔各自建立了新的3D制造厂,其他供应商也在增加。但问题是,行业纪律一直保持得很好。除此之外,我们面临着平面转换的中断和3D产量的问题,所有这些因素的结合使得2017年NAND比特的增长低于40%的复合年均增长率。 根据预测,排除现在的需求关系(即需求趋势为40-45%的复合年均增长率),行业未来的供应动力应当是以下因素的函数: (1)晶圆厂设备供应商将更强的蚀刻带来,使得芯片层数在2018年内超越64层。 (2)字符串堆叠(String stacking)在3-4层的堆叠中有效。 (3)3D产量提高到与平面产量相等(90% +),只有老牌厂商在吹嘘这一点。 (4)东芝的收购时间是否严重拖延了Flash Ventures的Fab 6。 如果所有这些因素都圆满解决,那么在2019年或2020年,行业可能处于供过于求的状况。如果问题并未解决,那么45%的需求很有可能压倒超过15-20%的供给量。现实应该在中间的某个地方,所以折中一下,我同意老牌厂商的同伴给出的几率。 无论如何,三星将得到40%的份额,但是镁光和英特尔可以从东芝、西部数据和SK海力士取得更多份额,前提是没有其他变化影响总供给方程。就我个人而言,(正如我所写的),我觉得需求将超过目前的估计,但即使我的乐观预测不成立,情况也是行业的健康牢牢掌握在供应商手中。即使所有的技术推动因素都实现了,对于供应商的稍许约束也将保持行业良好的利润。

    时间:2020-07-30 关键词: nand

  • 闪存33年来最大革命 铠侠提晶圆级SSD新技术

    闪存33年来最大革命 铠侠提晶圆级SSD新技术

    东芝是NAND闪存的发明人,1987年推出了全球首个NAND芯片,迄今已经33年了。如今继承东芝衣钵的是铠侠存储,他们提出了一种大胆的SSD技术—;—;晶圆级SSD,不再需要做什么外壳、PCB、接口,这可是33年来闪存技术最重要的技术革命了。 我们现在使用的SSD硬盘有复杂的生产流程,NADN工厂生产出来NAND晶圆,然后切割称各种芯片,接着是封装、检测,然后在SMT生产线上集成到PCB上,还要再加上外壳、logo等等,反正这个流程很长,费时费力。 铠侠提出的晶圆级SSD可以省却大部分流程,生产出来的NADN晶圆就可以当成SSD硬盘使用,直接连接数百个闪存核心使用,其他的封装、SSD成品等过程不要了,这样做不仅能够节省时间、降低成本,更重要的是晶圆级SSD性能强大,能够轻易实现百万级IOPS。 不过铠侠这个技术还处于早期阶段,还没有具体的产品,也主要是针对数据中心市场设计的,消费级SSD恐怕还是得使用传统的流程。

    时间:2020-07-20 关键词: ssd 铠侠 nand 闪存

  • 三星电子拟投资8万亿韩元在平泽建NAND闪存生产线

    三星电子拟投资8万亿韩元在平泽建NAND闪存生产线

    6月2日消息,据国外媒体报道,三星电子日前表示,计划投资8万亿韩元(约合人民币466亿元)在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。 三星电子 生产线建设上月已经开始,预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。 三星电子表示,此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命,以及5G普及而来的NAND需求。 上月,三星电子还透露,已在平泽投资建设生产线,新产线专注于基于极紫外光刻(EUV)技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设,预计明年下半年开始量产5nm芯片。 三星电子表示,加上平泽生产线,韩国将拥有7条芯片制造产线。 三星电子去年4月曾提出“半导体愿景2030”,计划到2030年对系统芯片研发和生产技术领域投资133万亿韩元(约合人民币7658亿元)。

    时间:2020-06-19 关键词: 三星 三星电子 nand 闪存

  • SK海力士进军PCIe 4.0 SSD:密度世界第一、轻松32TB

    SK海力士进军PCIe 4.0 SSD:密度世界第一、轻松32TB

    SK海力士今天正式发布了最新款的企业级SSD PE8000系列,包括PE8010、PE8030、PE8111三款型号,这也是其首款PCIe 4.0 SSD,无论存储密度、容量还是性能都是世界一流的,甚至是超一流的。 PE8010、PE8030都配备了SK海力士自产的96层堆叠4D TLC NAND闪存颗粒,搭配自研主控,最大容量8TB,兼容U.2、U.3接口,其中PE8010面向读取密集型应用,PE8030则为读写混合应用而优化。 性能方面,持续读写速度最高均可达8.3GB/s、3.7GB/s,随机读写速度最高则可达1100K IOPS、320K IOPS。 相比于去年的上代产品,持续读取性能提升103%,随机写入性能提升357%,另外最大功耗为17W。 PE8111则是针对读取密集型负载的超大容量版本,应用了世界第一的128层堆叠4D TLC NAND闪存颗粒,单颗容量1Tb(128GB),相比于上一代的512Gb颗粒只需一半数量的闪存芯片就可以达成同等容量,同样数量闪存芯片则容量轻松翻番。 PE8111现有最大容量为16TB,E1.L接口形态,同时正在开发32TB版本。 它特别针对OCP(开放计算项目)存储平台而优化,持续读写速度最高3.4GB/s、3.0GB/s,随机读写速度最高700K IOPS、100K IOPS。 SK海力士表示,PE8010、PE8030 SSD已经向客户出样,PE8111下半年出样。 资料图:SK海力士的NAND、SSD

    时间:2020-05-04 关键词: pcie 4.0 ssd sk海力士 企业级 nand 闪存

  • 第四代QLC闪存SSD的价格将非常接近HDD

    第四代QLC闪存SSD的价格将非常接近HDD

    闪存颗粒主要有SLC、MLC和TLC、QLC四种闪存颗粒,至于更新一代的PLC闪存目前尚无定论。日本PCWatch网站分析NADN闪存的发展趋势,指出QLC闪存至少会发展四代产品。 在经历将近两年的下跌之后,固态硬盘终于在2019年年底开始涨价,幅度甚至超过60%。不过SSD产品价格在最近稍有松动,不过价格依然不便宜。 第一代是英特尔于2018年发布660P,采用64层3D堆栈;第一代QLC闪存无论性能还是可靠性都不尽如人意。 英特尔在2019年推出665P系列就采用第二代QLC闪存,96层的3D堆栈,性能和可靠性大幅提升,1TB版寿命从200TBW提升到了300TBW。 第三代QLC闪存在2019年年底开始陆续发布,堆栈层数达144层,存储密度是96层堆栈1.5倍,用于硬盘的话,1TB版的售价会降至9300日元,实际售价约7000日元。 第四代QLC闪存堆栈层数会提升到192层,存储密度将会是是144层堆栈的1.33倍,成本降低至上一代的3/4水平,1TB固态硬盘的售价是7000日元,实际售价约5000日元。 1TB容量的第四代QLC闪存固态硬盘能够降成本降低到300元左右,比机械硬盘略高。不过PCWatch的计算太理想化,再考虑到市场等环境因素下,其售价无法完全理想化。 更何况,目前QLC闪存的固态硬盘在大文件写入的情况下,失速非常严重,部分I/O性能甚至不如传统的HDD机械硬盘。

    时间:2020-05-01 关键词: 内存 hdd qlc nand 闪存

  • 外媒称疫情将影响NAND闪存产能 售价将会大涨

    外媒称疫情将影响NAND闪存产能 售价将会大涨

    据国外媒体报道,NAND闪存芯片去年第四季度的出货量环比有明显增长,整体行业的营收也有提升。 从外媒的报道来看,NAND闪存去年第四季度的出货量,较第三季度增长了近10%,NAND闪存行业的收入则是环比增长约8.5%,达到了125.5亿美元。 据悉,NAND闪存去年第四季度的出货量和收入环比增长近10%,主要是由于数据中心的需求增加,芯片供应商也得以将库存降至正常水平。 对于2020年的第一季度,外媒预计NAND闪存的出货量将环比下滑或者持平,但价格可能会有上涨,有望抵消出货量下滑的影响。在收入方面,外媒是预计至少能与上一季度持平。 上游产业链表示,NAND闪存合同价格将在2020年上涨40%。这将包括硬件产品,例如存储卡、USB闪存驱动器和固态驱动器。SSD的合同价格已经下降了几年,在生产问题导致NAND产量下降之后,特别是这波疫情影响下,会直接影响产能。

    时间:2020-04-20 关键词: 产能 nand 闪存

  • 新增需求中国市场占50%

    新增需求中国市场占50%

    三星电子作为存储器大厂,同样受到数据中心的影响。2019年,数据中心需求在第四季度迅速增长,促使诸如SSD之类的相关存储器市场呈现供不应求状态。据集邦咨询数据,三星电子第四季度NAND Flash营收达到44.51亿美元,较上一季度增长11.6%。 一大批存储器大厂被数据中心带动,利润上升。2019年第四季度,西部数据出货量季增24%,NAND Flash营收达18.38亿美元,较上季度增长12.6%。美光第四季度出货量增加近15%,平均销售单价亦小幅上升,整体营收较上季度增长18.1%,达14.22亿美元。 “从全球的半导体市场结构来看,计算机领域的市场份额占全球市场的1/3左右,消耗了全球45%左右的存储器。由于AI、云计算、自动驾驶等技术还未形成大规模的落地场景,数据中心需求逐渐成为支撑半导体产业发展的重要支柱。2020年,随着全球数据中心进入快速建设周期,服务器内存的需求增长有望达到20%,将成为半导体复苏的第一股势能。”赛迪顾问分析师吕芃浩对记者说。 “从2016年开始,数据中心的需求逐年增加。2019年,在全球竞争激烈的大背景下,服务器总出货情况受到了影响,但对于数据中心来说,需求依然是稳定的。目前,在此领域仍未见低迷的趋势。”集邦咨询分析师刘家豪对《中国电子报》记者说。 5G、AI助推发展,相关难题仍需克服 2019年,服务器市场增长放缓,但下半年开始,市场需求逐渐好转,数据中心成为驱动市场的主力。刘家豪预测,2020年数据中心主要成长来自Amazon Web Service(AWS)与Facebook,除亚太区新建数据中心需求外,租赁厂房的需求也逐渐攀升,成长仍超10%。放眼2020年,数据中心服务器市场需求力度将延续。 随着2020年的到来,更多的创新技术、成熟技术将在数据中心中被采用。随着5G通信、人工智能的发展,数据中心将进一步加强新型服务于终端用户。康普企业网络北亚区副总裁陈岚认为,数据中心供应商已经看到了转型的必要性。2020年,5G等先进技术将首次应用于数据中心,而机器学习及其他AI技术的应用也将创造新的学习和工作方式,以此最大限度地提高员工生产力。这意味着,在新的一年中,数据中心供应商将有更多的机会发展和增强其现有业务,尽管要充分利用这些技术优势,至少还需要几年时间。 目前,数据中心建设也面临一些压力。Xilinx 数据中心事业部产品营销副总裁Donna Yasay对记者表示,目前对于数据中心来说,联网危机是最大的压力之一。“数据中心网络流量爆炸性增长,大量计算资源浪费于联网,目前,80%以上的云服务器节点不提供接入,数据中心联网卸载很难实现。”Donna Yasay说。 数据中心需要解决的正是建设周期长、能耗高、架构弹性和运维等方面的问题。“数据中心能耗问题,是当前有待解决的难题。目前,全球数据中心的耗电量约占总能耗的3%,节能减排和降低运营成本面临着巨大挑战。由于传统数据中心建设缓慢、初期投资成本大等弊端,急需数据中心实现模块化,使之具备快速部署、弹性扩容、运维简单、高效节能等特点。此外,早期的垂直架构资源无法共享,而且缺乏弹性,资源利用率低,无法满足云计算到边缘计算的需求,因此需要一种更加灵活和高效的方法来设计、构建、运行新的数据中心。”吕芃浩说。 增速远超平均水平,中国市场容量将占全球30% 根据观研天下最新报告,由于移动互联网、物联网、大数据等互联网细分行业崛起,中国数据中心市场规模增速远高于全球平均水平,过去5年复合年增长率达到37.8%。未来5年,中国IDC市场规模将持续增长,预计2020年中国新增数据中心市场容量将占全球总增幅的50%左右,并有望在2022年达到美国现有存量规模。 吕芃浩向记者介绍,推动中国数据中心企业发展有几个因素。首先,中国数据中心仍处于高速的建设发展时期,政府重视云计算、物联网、宽带和下一代网络的发展,给建设数据中心建设带来极大利好因素。其次,由于本次疫情爆发的影响,在线教育、远程医疗、视频会议等应用提供服务的云平台得到广泛推广,传统的人工模式也将朝向智能模式迈进,这无疑将推动未来数据中心和超算中心的快速发展。 刘家豪认为,中国国内相关服务已经面临市场饱和。“目前来看,数据中心的成长,更多是来自以中国为核心向外拓展的海外市场的发展动能。然而,境外市场的导入与建设将会面临巨大的挑战,尤其相较于北美已深耕的全球性市场。”刘家豪说。

    时间:2020-03-21 关键词: Flash nand

  • NAND闪存一个月涨价20% SSD硬盘价格全面上涨

    NAND闪存一个月涨价20% SSD硬盘价格全面上涨

    闪存跌价已经两年了,但是现在好日子要结束了。 自从6月份东芝、西数位于日本的NAND闪存工厂断电停工一个月之后,闪存市场就一直有各种涨价的传闻,听多了大家觉得这就是狼来了,实际上并不是,Q3季度闪存价格就已经开始收窄,这两个月来价格甚至是突变。 从闪存价格来看,11月底到现在的12月底价格涨势最为明显,从闪存市场的报价来看,512Gb TLC闪存在11月底不过4.10美元,现在已经达到了4.32美元,涨幅大约5%。 5%听起来不多,但很多产品情况并不一样,部分产品涨幅接近10%,更夸张的是部分闪存一个月来的涨幅接近20%,这就很夸张了。 这还只是NAND闪存层面的涨价,实际上闪存涨价传递到中端产品涨价又是另外一回事了,SSD硬盘的价格最近已经大不同了。 首发上市时1TB价格不过829元 12月11日,我们报道了西数蓝盘SN550硬盘上市的消息,250GB、500GB、1TB分别售价299、469、829元。 这几天价格已经是899元了 不过半个月功夫,西数蓝盘SN550硬盘就全面涨价了,1TB现在要899元了,这个价格不是说过去两周缓慢涨的,直到26号价格还没变,然后就涨到了899元,涨幅12%。 对于涨价,行业分析总会从5G手机爆发、数据中心需求回温之类的说辞解释,实际上并没有这么复杂,5G手机这才多大点量,根本不可能现在就影响市场方向,本质上就是今年几大供应商削减产能导致的,从而导致了市场供需发生了变化。 闪存还是只是一方面,DRAM内存的价格才是关键,目前来看还没有太明显的涨价,市场预期是明年Q2之前涨不起来,但现在的情况恐怕等不了那么久,明年Q1季度的合约价谈判被爆已经有变化了,反正跌价是不可能的了,就看涨多少、什么时候涨了。

    时间:2020-02-10 关键词: 芯片 硬盘 西数 nand 闪存

  • 集邦咨询:2020年第一季NAND闪存价格持续上涨 SSD将涨价

    集邦咨询:2020年第一季NAND闪存价格持续上涨 SSD将涨价

    1月3日消息,日前,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)发布预测报告称,基于淡季需求表现不淡、供给增长保守以及供应商库存已下降,各类产品合约价在2020年第一季均可望持续上涨。 其中,消费及企业级SSD的供需缺口较eMMC/UFS显著,将使SSD产品涨价幅度高于嵌入式产品。 展望第二季度,受惠于下半年的智能手机以及游戏主机等新产品的生产备货,以及准备进入传统旺季,预期涨价态势得已延续。 集邦咨询表示,由于消费级SSD合约价自高点连跌7个季度,与传统硬盘的成本差距已经不远,在2019年第二季起刺激笔记本电脑搭载SSD的比重及容量显著上升。 但6月中旬后,铠侠/西数日本四日市厂区发生跳电问题导致供给量下降,带动eMMC/UFS、SSD成交价格在第三季中止跌,晶圆市场则迅速反弹,第三季上涨近20%,eMMC/UFS及SSD合约价也在第四季翻涨。 从需求来看,尽管2019年第四季度合约价上涨,导致消费级SSD需求放缓,但数据中心客户积极准备2020年新开案需求,拉货动能优于预期,使得第四季的企业级SSD已浮现供不应求的情形,预期2020年第一季合约价将有所支撑。 此外,移动设备端也因准备苹果2020年上半年的新机上市,备货需求从第四季起涌现。总体而言,2020年第一季NAND闪存将呈现淡季不淡。 在供给面,由于供应商自2019年第二季起已处于盈亏平衡,或甚而呈现亏损,不得不调降2020年的资本支出,产能扩张与3D层数提升的时程都较以往保守。 统计各厂规划,2020年位元产出增长仅略高于30%,是历年来规划目标的低点,加上2019年的供给位元已因跳电事件而下调,连续两年的产出增长都不到35%,是第一次出现的景象,也使得2020年全年供需更显紧张。

    时间:2020-02-07 关键词: 价格 ssd 上涨 涨价 nand 闪存

  • 长江存储的Xtacking闪存获年度技术突破奖 国产自主可控

    长江存储的Xtacking闪存获年度技术突破奖 国产自主可控

    紫光旗下的长江存储今天宣布,在北京举行的“2020中国IC风云榜”上,长江存储公司获得了备受瞩目的年度技术突破奖,长江存储执行董事,紫光集团联席总裁刁石京代表公司领奖。 作为紫光集团芯片板块核心企业,长江存储通过闪存基础架构和制造工艺的创新,成功打造了世界首款基于Xtacking架构的64层三维闪存。此款产品自2019年9月量产以来,已经通过多项行业认证,并进入主流客户供应链,得到了市场的认可。 根据长江存储之前的消息,2019年9月份该公司量产国内首个64层堆栈的3D闪存,采用了自研Xtacking架构,核心容量256Gb。 长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高的存储密度。 Xtacking可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元,这样有利于选择更先进的制造工艺。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合。 相比传统3D NAND闪存架构,Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。 目前,世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps,而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。 自2016年成立以来,长江存储作为集3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,一直着力提供完整的存储器解决方案,为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案。

    时间:2020-02-06 关键词: 长江存储 年度技术突破 xtacking nand 闪存

  • 三星韩国芯片工厂断电 DRAM和NAND闪存生产暂停

    北京时间1月1日消息,三星电子公司周三表示,在周二下午发生大约一分钟的断电事故后,其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。 较早时韩联社援引消息来源报道称,此次断电是因为区域电力传输电缆出现问题,目前部分DRAM和NAND闪存的生产已经暂停,预计需要大约两到三天时间才能全面恢复。 韩联社援引一位分析师的话称,这一事件可能有助于抑制三星电子大量芯片库存的增加。 三星周三在一份声明中表示,正在检查生产线以备重新启动,并正在评估造成的损失。 据一位直接知情人士称,此次事故可能造成数百万美元损失,但没有造成重大破坏。 2018年,三星平泽工厂一次半小时的断电造成了据估计高达500亿韩元(约合4332万美元)的损失。

    时间:2020-02-06 关键词: DRAM 三星 芯片 nand

  • 铠侠日本四日市晶圆厂发生火警,NAND Flash价格或上涨?

    铠侠日本四日市晶圆厂发生火警,NAND Flash价格或上涨?

    今(8)日消息,原名东芝存储器的铠侠(Kioxia)位于日本四日市的晶圆6厂传出火警。铠侠对客户发出通知,指2020年1月7日上午6点10分,该公司位于日本三重县四日市的Fab6工厂,内部设备发生火警,火势很快被扑灭,没有造成任何人员伤亡,相关的起火原因及工厂生产设备的损害状况,目前仍进行调查与统计中,等相关损害统计资料完成,若对客户的供货造成影响,将会在第一时间内通知。对于此次铠侠的晶圆厂发生火警,业界推测,因火灾发生在工厂的无室内,可能造成该无尘室短期内无法正常运作,对今年第一季NAND Flash的供货与价格恐多少会有影响。近段时间以来,全球存储产业意外不断。2019年12月31日,韩国三星电子于华城厂区也发生了短暂的跳电事件,导致部分NAND产线和DRAM产线生产暂停。损失或超过数百万美元。此外,2019年6月15日,铠侠位于日本三重县四日市的工厂,也在发生大约 13 分钟的跳电情况。当时包含 Fab2、Fab3、Fab4、Fab5 以及 Fab6 在内的全体厂区于皆受冲击,使得整个 NAND Flash 的供应链供货都受到了影响,而且时间长达一整季。随着这几次存储厂发生的意外,业界都普遍预料将使得 NAND Flash 的价格有进一步上涨的空间。

    时间:2020-01-24 关键词: Flash nand

  • 三星 DRAM和NAND工厂断电 分析师:有利于清理库存

    三星 DRAM和NAND工厂断电 分析师:有利于清理库存

    2020年1月1日,三星电子公司表示,在发生大约一分钟的断电事故后,其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。目前正在检查生产线以备重新启动,并评估造成的损失。 看到这则消息,不少人联系到之前三星、海力士、东芝、美光等存储芯片工厂遭遇的火灾、停电、跳闸等事故,不少人会心一笑。 据韩媒报道,此次三星华城芯片工厂断电是因为区域电力传输电缆出现问题,目前三星部分DRAM和NAND闪存的生产已经暂停,预计需要大约两到三天时间才能全面恢复。 对于此次事故可能造成的损失,一位直接知情人士称,没有造成重大破坏,损失可能只有数百万美元。 三星作为全球第一大内存及闪存供应商,此次停电将会对闪存及内存走势带来深远影响,影响供应的话,内存、闪存涨价的速度将会大幅提前,就7月份的西部数据断电事故来说,当时对西数造成的总经济损失是3.4亿美元,其引发的连锁效应导致市场闪存价格上涨23%,此次依旧处于内存价格的转折点,如果影响到供应的话,内存、闪存涨价的速度将会大幅提前,不用等到Q1季度末甚至Q2季度了。 根据TrendForce的数据显示,目前三星的DRAM晶圆月产能为46.5万片。其中,三星出现断电事故的Fab 17工厂的DRAM晶圆产能就达到了12.5万片/月。如果三星Fab 17的DRAM产线全部停产3天来估算,就意味着DRAM晶圆供应可能将减少1.25万片。而根据此前的预计,整个2020年1月的DRAM晶圆供应将为129.5万片,此次事故减少1.25万片,就相当于减少了全球1%的DRAM产能供应。虽然看上去并不算多,但或将会对DRAM市场价格走势带来不小的影响。 瑞穗分析师已经表态,这次意外对三星清库存很有利。

    时间:2020-01-22 关键词: DRAM 三星 芯片 nand

  • 2019年SSD回顾:NAND层数不断增加 TLC仍是主流

    近日,老牌硬件媒体AnandTech发表文章总结了2019年SSD的发展,AnandTech认为在过去的一年里,固态硬盘的NAND层数在不断增加,QLC SSD开始进入入门级的市场,但是TLC仍是主流和高端SSD的首选。 AnandTech表示,2018年闪存价格大幅下跌是因为各家原厂的64层3D NAND进展太好的结果,导致市场竞争格外激烈。SSD的降价趋势在2019年放缓,因为英特尔(Intel)、美光(Micron)和海力士(SK Hynix)等厂商选择了放慢脚步,把更多的精力投入到生产96层Nand中去。因此,今年大部分产品还是停留在64层NAND。 第一款96层NAND的固态硬盘于2018年7月发布,但直到2019年96层才真正投入使用。三星是第一个推出新一代3D NAND消费级SSD的公司,但970 EVO Plus上也只有92层。 SK海力士已经开始使用其128层 3D NAND采样固态硬盘,并将在2020年消费电子展上公布零售型号。从历史上看,他们一直试图在层数上超过市场上的其他公司,但更多的是为了弥补其3D NAND密度上的其他缺陷。 展望未来,英特尔有望在2020年凭借144层 QLC NAND在层数上领先。 今年QLC NAND进入了入门级NVMe SSD市场,三星和英特尔等厂家都推出了响应的产品,在价格上很有吸引力,但是TLC NAND仍然是主流和高端SSD的第一选择。

    时间:2020-01-17 关键词: 芯片 ssd tlc nand

  • 兆易创新与贸泽电子签署全球分销协议,支持现货即发

    兆易创新与贸泽电子签署全球分销协议,支持现货即发

    中国北京(2020年1月16日) — 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)今日宣布与领先的半导体和电子元件分销商贸泽电子(Mouser Electronics)签署全球分销协议。此次与贸泽电子达成战略合作关系,有助于进一步扩大兆易创新的SPI NOR、SPI NAND及Parallel NAND Flash等丰富产品线的覆盖范围和供货能力,从而更方便快捷地向全球设计工程师和采购者提供产品。 兆易创新高可靠性的GD25 SPI NOR Flash具有从512Kb至1Gb不同容量的选择,可提供四种电压规格和多种封装形式,包括高达8 Mbit的业界最小USON封装(1.5 mm x 1.5 mm)和WLCSP封装。  兆易创新GD5F SPI NAND和GD9F Parallel NAND产品采用1.8V和3.3V供电,可分别提供1Gb、2Gb、4Gb和8Gb的产品容量。NOR Flash和NAND Flash产品均为低功耗和高性能嵌入式应用而设计,例如工业、消费电子、物联网、移动、计算、网络及通信。兆易创新全系列SPI NOR Flash产品均已通过AEC-Q100标准认证,适用于汽车领域应用。  兆易创新执行副总裁、存储器业务部门总经理舒清明先生表示:“贸泽电子不仅专注于快速向设计工程师和采购商推出新产品,还能够提供优质的客户服务。我们很高兴与贸泽电子携手合作,让全球客户能够更方便快捷地采购我们的创新型Flash产品。”

    时间:2020-01-16 关键词: Flash 兆易创新 nor 贸泽电子 nand

  • 三星芯片进入寒冬,DRAM 合约价提前“小涨”

    三星芯片进入寒冬,DRAM 合约价提前“小涨”

    据悉,2020年第一季度DRAM合约价格预测,由原先的“大致持平”调整为“小涨”,价格正式提前翻转向上。 据集邦咨询半导体研究中心最新调查,随着近一个月来 DRAM 现货价格持续走扬,加上 2019 年 12 月 31 号三星华城厂区发生跳电,虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响,但观察到各产品类别买方备货意愿进一步增强。     对于三星来说,他们发布的四季度业绩指引,称运营利润将减少 34%至 60.9 亿美元;年利润减少 53%至 240 亿美元,创 2015 年最低,以及 10 年来最大降幅。此外,四季度营收下降 0.5%至 500 亿美元。 三星电子表示,其第四季度营业利润降幅将小于预期,表明内存芯片价格触底反弹的速度快于此前分析师的预期。 全球经济疲软抑制了数据中心客户的之处,内存芯片库存量上升影响了其价格,受此影响,此前持续繁荣了两年的内存芯片行业迎来寒冬,2018 年末开始,作为全世界规模最大的内存芯片制造商,三星芯片业务的经营一直处于挣扎。 不过三星并不担心,因为芯片价格已经出现了反弹的势头,因此今年外界对于该行业的情绪较为乐观,预计市场对内存芯片需求今年将会回归。 集邦咨询表示,在标准型内存方面,虽然第一季的价格仍在议定中,但集邦咨询预估持平甚至小涨的可能性高。之前在中美贸易关系的不确定性下,大部分销往美国的笔电都赶在 2019 年第四季度出货,导致 2020 年第一季度的出货较为疲弱。

    时间:2020-01-13 关键词: DRAM 三星 Flash 内存芯片 行业资讯 nand

  • 三星将向中国芯片厂再投资80亿美元:欲用创新压制

    三星将向中国芯片厂再投资80亿美元:欲用创新压制

    据韩国媒体报道称,三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资,以促进NAND闪存芯片的生产。据预计,由于供应有限,以及对5G设备和网络需求的不断上升,明年全球内存芯片市场将出现反弹。 三星是世界上最大的NAND闪存芯片制造商,NAND闪存芯片可以永久保存数据,普遍用于移动设备、存储卡、USB闪存驱动器和固态驱动器中。三星2017年曾宣布,未来三年将向生产NAND闪存芯片的西安工厂投资70亿美元。在此之前,三星早些时候还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元。 此次80亿美元的投资是三星西安闪存芯片项目的二期的第二阶段投资,之前的 108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元,第一阶段投资约70亿美元,第二阶段为80亿美元。 二期项目预计于2021年下半年竣工,建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元。 有分析人士表示,三星为了打击国产自主内存,正在加大投资,以保证足够的创新。今年9月,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。 三星

    时间:2020-01-01 关键词: 三星 芯片 nand芯片 nand

  • 西数谈QLC闪存:将在1XX层时代爆发 要做QLC闪存领导者

    西数谈QLC闪存:将在1XX层时代爆发 要做QLC闪存领导者

    如同HDD硬盘中的SMR技术一样,QLC闪存现在也有人人喊打的趋势,究其原因就在于QLC闪存性能、可靠性比TLC闪存更差,但是现在的价格还没有达到预期。对厂商来说,六大原厂今年都量产了QLC闪存,不过西数认为QLC闪存要到1XX层时才会爆发。 在参加富国银行年度技术峰会的时候,西数技术与战略总裁Siva Sivaram回答了分析师提问,在回应如何看待QLC闪存的问题时,Siva Sivaram表示西数传统上一直是先进闪存技术的领导者,首发了MLC及TLC闪存。 对于QLC闪存,Siva Sivaram表示它正处于一个微妙的点,因为相比新一代TLC闪存它的收益不是那么大,不过西数认为在升级到1XX层之后,QLC闪存就会变得更加重要了,而西数要做QLC闪存的领导者。 简单来说,西数认为目前96层堆栈的QLC闪存相比TLC闪存没多少优势,无法发挥出成本及容量上的优点,要等到堆栈层数更多,达到1XX层(通常是指128层)之后才会显示出优势。 西数现在有消费级QLC闪存,也有针对企业级的QLC闪存,在他们看来QLC闪存更适合企业级用户—;—;这个也不意外,实际上QLC闪存首发就是针对数据中心市场的,其大容量低成本的优势适合替代HDD硬盘而非MLC、TLC闪存硬盘。

    时间:2020-01-01 关键词: 3d闪存 qlc 西数 nand 闪存

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