驱动器

rs232和rs485结合的电路图

LTE1334芯片以充电泵结合RS232和RS485为一体。此器件有加倍器，反向充电泵，使RS232和RS485能在单5V供电下工作。应用中可以设置成4个RS232驱动器/接收器，加上2个RS485驱动器/接收器，或者一个RS485驱动器/接收器和两

浅析一种LIN协议驱动器的原理及应用设计

引言：LIN总线做为CAN总线的有效补充，在低端车身电子领域替代CAN总线，既能满足功能要求，又能节约成本，在对成本更加敏感的国产车上得到大规模应用。不同于CAN总线有专门的协议驱动器，用户不用管理底层的通信而直

iWatt数字调光驱动器提供无闪烁调光 支持热插拔

标签：LED 照明 光源 驱动器iWatt两款LED 调光控制器(iW3602，iW3612)可进行初级侧调节、前切相和后切相调光、AC/DC数字PWM，其目标瞄准了100V/230V 交流离线LED照明应用市场。这两款LED调光控制器专为隔离或非隔离

铝电解电容的长串LED boost驱动器简介

TV和显示器背光、路灯、停车场照明经常使用长串LED，这类系统需要一个能够产生高压的电流驱动器。本参考设计利用MAX16834构建了一个这样的驱动器，能够获得非常高的调光比。 该参考设计利用MAX16834构建一个boost

箝位放大器AD8037PIN二极体驱动器电路

该电路能以最高10MHz的频率工作，具有出色的开关性能，总传播延迟为15ns。通过改变增益或箝位元电压，可以调整输出电压和电流，以适应不同的应用。箝位放大器AD8037原本设计

箝位放大器AD8037PIN二极体驱动器电路

该电路能以最高10MHz的频率工作，具有出色的开关性能，总传播延迟为15ns。通过改变增益或箝位元电压，可以调整输出电压和电流，以适应不同的应用。箝位放大器AD8037原本设计用于驱动ADC，可提供箝位输出以保护ADC输入

PIN二极体分立开关驱动器开关电路图

图中给出了一个提供高开关速度的典型分立开关驱动器的原理图。这种驱动器既可以采用“片线”（混合）结构来实现，也可以采用“表贴”（SMT）器件来实现。需要的印刷电路板面积多于混合结构。

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ADA4858-3用作PIN二极体驱动器

图中可以在输入端增加一个缓冲门，使该电路相容TTL或其它逻辑。对此电路的要求是将TTL0V至3.5V输入信号摆幅转换为互补-1.5V至+3.5V摆幅，用于驱动PIN二极体。R1、R2、R3和U1C形成该电路的-1.5V基准电压，内部负电压C

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TI推出首款集成型 1.8V 及 3.3V 七通道继电器驱动器

21ic讯 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款集成型七通道继电器驱动器(relay driver)，可支持最低 1.8V 到最高 5V 的低电压继电器。该 ULN2003LV 继电器驱动器以单个器件取代多个分立式组件，以更低电压驱动电信

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照明级驱动设计技术基础（二）

上接：照明级驱动设计技术基础三、 功率因数校正美国能源部(DOE)“能源之星”(ENERGYSTAR)固态照明(SSL)规范中规定任何功率等级皆须强制提供功率因数校正(PFC)。这标准适用于一系列特定产品，如嵌灯、橱柜

照明用LED驱动芯片的技术趋势荟萃

随着LED的进一步发展，其效用或从电源产生光输出的能力只会继续提高。其次，LED照明具有环保的特点，不需要处理、暴露和弃置于冷阴极荧光灯(CCFL)中常见的有毒水银蒸气。最后，白炽灯泡在使用约1000小时以后，常常需

PI针对LED照明推出75 W单级驱动器

集成式PFC/CC转换器芯片可将LED高棚灯、停车场照明灯和路灯驱动器的效率提升至92%以上 世界上效率最高、使用寿命最长的离线式LED驱动器IC的制造商Power Integrations公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布为其Lin

TEC9607共阳极LED数码显示驱动器

Power Integrations 推出 75 W Single-Stage 驱动器

21ic讯 Power Integrations (Nasdaq：POWI) 这家全球最节能、使用寿命最长之离线式 LED 驱动 IC 制造商，今天宣布其 LinkSwitch®-PH IC 系列加入两个新成员。这两个新装置能让最高达 75 W 的商用照明应用享有 Si

飞思卡尔推出面向小型引擎电子控制单元的模拟集成电路

21ic讯 飞思卡尔半导体公司(Freescale Semiconductor)日前宣布，面向运输、工业及消费应用的小型内燃机推出单缸(MC33813)和双缸(MC33814)电子控制半导体。这些用于控制小型引擎的模拟集成电路能够降低设计复杂性及物

用M-LVDS实现真正多点接口总线

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MOSFET驱动器及功耗计算介绍

我们先来看看MOS关模型： Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是 耗尽区电容