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  • 英伟达实现Adobe Premiere Pro GPU加速

    英伟达实现Adobe Premiere Pro GPU加速

    英伟达公司是全球可编程图形处理技术领袖。与ATI(后被AMD收购)齐名,专注于打造能够增强个人和专业计算平台的人机交互体验的产品。英伟达已经开发出了五大产品系列,以满足特定细分市场需求,包括:GeForce、Tegra、ION、Quadro、Tesla。公司不断为视觉计算树立全新标准,其令人叹为观止的交互式图形产品可广泛用于从平板电脑和便携式媒体播放器到笔记本与工作站等各种设备之上。 根据英伟达官方微博的消息,用GeForce GTX 16 系列产品实现Adobe Premiere Pro GPU加速,在台式机上,GTX 1660Ti的视频编辑速度可达UHD 630核显的8倍。IT之家曾报道,英伟达去年发布了GTX 16系列显卡,包括移动端和桌面端,与RTX 系列相比,GTX 16系列不支持光线追踪。 英伟达的测试显示,在配备16GB RAM、Intel Core i7-8750H CPU(集成UHD 630显卡)的笔记本上,移动款的GTX 1660 Ti在ADOBE Premiere Pro上的视频渲染速度是UHD 630核显的5倍。在32GB RAM、Intel Core i9-9900K CPU(集成UHD 630显卡)的台式机平台上,GTX 1660 Ti的视频渲染速度是UHD 630核显的8倍。英伟达表示,Adobe Premiere Pro 2019性能测试基于Lumetric调色和GPU加速效果开启后的1080p和4K视频的播放及渲染的FPS。

    时间:2020-03-06 关键词: 播放器 16 gtx uhd geforce 630核显

  • 全球首款16.1英寸全面屏轻薄本本,售价5499元起

    在今天下午的新品发布会上,荣耀不仅推出了全新的荣耀9X系列手机,还推出了荣耀MagicBook Pro笔记本电脑,官方称这是全球首款16.1英寸全面屏轻薄本。据官方介绍,荣耀MagicBook Pro采用四边超窄边框设计,将16.1英寸无界全面屏放入15.6英寸小机身中,90%超大屏占比,IPS全高清16:9屏幕,同时具备100%sRGB广色域。机身采用精妙工艺打磨一体成型,轻至1.7kg,薄至16.9mm。性能方面,荣耀MagicBook Pro搭载全新第八代英特尔酷睿i7-8565U处理器,全新英伟达MX250独立显卡,拥有游戏本级别风扇马达,内置56Wh电池,支持14小时长续航,全系采用PCIe SSD,DDR4双通道内存,支持双天线千兆WLAN和蓝牙5.0。接口方面,荣耀MagicBook Pro有三个USB3.0、一个USB-C全功能、1个HDMI和一个耳机麦克风二合一接口。其它方面,荣耀MagicBook Pro采用隐藏式摄像头,摄像头设计在了顶部的按键里面,可按需开启。同时支持指纹式电源键,内置独立安全芯片,开机进入系统一键完成。支持荣耀Magic-link 2.0魔法互传,可一碰传录屏、视频、图片、文档、共享剪贴板。荣耀MagicBook Pro i5版本售价5499元,i7版本售价6199元,首销优惠200元,7月29日0点发售。此外还有16GB+1TB顶配版本,目前正在测试中,将于8月发售,售价7999元。

    时间:2019-08-19 关键词: 16 1英寸

  • 史上最大最贵:苹果16 寸 MacBook Pro 10 月发布

    最新消息称,苹果将在 10 月推出搭载 16寸 屏幕的 MacBook Pro。这是苹果历来尺寸最大的笔电产品。据悉,新机将由广达、鸿海组装,为两大代工厂传统旺季业绩增添柴火。由于硬体再升级,售价也可望是苹果笔电新高价,业界估可能超过新台币9万元,甚至挑战10万元。   苹果已在官网揭露「全新款MacBook Pro推出,日期敬请期待」的讯息。供应链透露,新MacBook Pro搭载16吋LCD 屏幕,而非 OLE D面板,由乐金显示器(LGD)供货。 供应链消息传出,16寸苹果新笔电屏幕分辨率 3072×1920,比目前最高显示规格15.4寸、2880×1800还要更高,厚度维持前一代水准,代工厂预计9月正式出货,产品定位介于 iMac 与 Mac Pro 之间,主要提供给专业领域的工作者使用。 依据往例,苹果通常在 10 月举行 Mac 相关产品发表会,供应链预期,今年新机也会在10月发表,与9月的iPhone发表会做区隔。市场预估,苹果除了推出16吋MacBook Pro之外,也会同时推出13.3吋新款MacBook Pro和MacBook Air 。   供应链认为,新款16吋MacBook Pro硬体规格将更强悍,预料售价也会「相当昂贵」,将高于现在MacBook Pro。目前在台湾苹果官网上,最高阶机种MacBook Pro售价近9万元。 苹果今年5月才为15吋MacBook Pro常态性更新处理器和修正蝴蝶键盘问题,等于时隔四个月后,再推出16吋MacBook Pro。其实,现在不少PC品牌商如宏碁、华硕都有窄边框萤幕笔电产品,仅苹果MacBook产品线还未大改版及使用窄边框设计。 市调机构Gartner最新公布数据则指出,苹果今年第2季PC市占率约6%,略低于去年同期,市占排名第四。法人认为,随着苹果下半年旺季推出新笔电产品,将有助提振Mac产品线营运。

    时间:2019-07-25 关键词: 苹果 pro 16 macbook

  • ATmega8/16的AD转换实验

    /********************************************************************程序名称:片内模数转换演示实验时钟频率:内部RC 1M引脚 :接键盘与显示部分 **PC0.......PC7 键盘与显示a.....g** **PD0.......PD7 键盘与显示1.....8** **PA0 模拟电压** **Aref 电源正极**********************************************************************/#include#include#include#include#pragma interrupt_handler ad:15unsigned long m=0;unsigned int adc,adc1=0,adc2=0,adc3=0,adc4=0,l;const unsigned char f[]= { 0x7e,0x0c,0xb6,0x9e,0xcc,0xda,0xfa,0x0e,0xfe,0xde };//码段转换void adcc(void) { PORTA=0x00; DDRA=0xf0; PORTD=0x00; DDRD=0xff; PORTC=0x00; DDRC=0xff; ADMUX=0x40; //ADC状态寄存器定义 ADCSRA=0x8e;//ADC状态寄存器定义 SREG=0x80;//开放全局中断 ADCSRA|=BIT(ADSC);//启动一次转换 }/*******************************************状态寄存器设置******************/void Delay(void){unsigned int a, b;for (a = 1; a

    时间:2018-07-30 关键词: 16 atmega8 ad转换

  • 南京高新区16个项目集中签约如何让80亿变800亿

    高新区是南京市科创高地,高新技术企业密集,近日南京高新区总投资80亿元的16个产业项目集中签约,签约的一批重大项目必将助推南京高新区实现“更高”、“更新”发展,建设成为全市自主创新的战略高地、战略性新兴产业的核心载体、转方式调结构的重要引擎、抢占世界高新技术产业制高点的前沿阵地。希望高新区努力为项目建设和发展提供全程贴心优质的服务,营造一流的服务环境和创业创新生态,加强科技创新载体建设,推动产业项目落地生根、开花结果。 南京高新区举办重大项目签约暨生命科技岛开园仪式,据介绍,此次集中签约的16个产业项目集中在集成电路、生物医药、软件信息、智能制造和金融等高新区主导产业领域,预计建成投产后可实现产值超800亿元。 参加签约的代表企业和项目有展讯通信、强新科技集团、“阿里云创客+”项目、猪八戒网络项目、省产业技术研究院智能制造研究所项目、国电南瑞无线充电设备及新能源汽车项目、中国赛宝(南京)工业和信息化检测认证中心项目等。这些项目将为高新区推进供给侧结构性改革、实现产业能级提升注入新的强大动力。当天开园的高新区生命科技岛是高新区为发展生物医药产业新建的科创载体,总投资4亿元,总建筑面积11.7万平方米,目前已有美国强新科技、以色列ADAMA药品研发、省产研院工业生物技术研究所等多个项目入驻。 省委常委、市委书记黄莉新对项目的签约和生命科技岛的开园表示祝贺。她说,近年来,南京发挥丰富的科教人才资源优势和厚实的产业基础优势,积极对接国家重大发展战略,大力发展“五型经济”,推动“四名城”建设,经济发展质量和效益持续提升。

    时间:2016-08-12 关键词: 集成电路 16 南京

  • 泰克推出PCI Express 4.0测试解决方案, 支持16 GT/s数据速率

    泰克科技日前宣布,为其PCI Express (PCIe)套装测试解决方案提供一系列增强功能,支持16 GT/s数据速率,为业内提供第一个支持PCIe 4.0结构的发射机和接收机自动测试解决方案。 PCIe 4.0技术提高了数据速率,同时也带来了许多全新的测试挑战,如通道损耗大大提高,总抖动预算缩紧,链路培训和定时要求更加复杂。随着设计裕量缩小,准确的特定标准测量解决方案在调试、设计检验和互操作能力测试中发挥着至关重要的作用。泰克最新PCIe 4.0和3.0测试解决方案与DPO70000SX高性能示波器相结合,全面满足了所有上述需求。 “随着各种重大行业规范不断进化,如PCIe,我们的测试测量工具也必须保持同步发展。”泰克科技公司高性能示波器总经理Brian Reich说,“DPO70000SX示波器提供了无可比拟的准确度和扩充能力,与我们的PCIe解决方案增强功能相结合,使得广大客户能够调试和检验是否满足PCIe最新版规范,同时缩短一致性测试时间,提升生产效率。” PCIe 4.0发射机测试 泰克为DPO/DPS70000SX和DPO/MSO70000DX高性能示波器开发的选项PCE4提供了最新PCIe 4.0基本规范专用的新型发射机(Tx)测量,包括100 MHz基准时钟,其实现了皮秒级抖动要求,适用于所有四代PCI Express规范,即2.5、5.0、8.0和16.0 GT/s。其他增强功能有:支持最新U.2外形(原SFF-8639);新增优化功能,把整体测试时间缩短了大约30%。同样这些功能还作为泰克为PCI Express 3.0技术提供的解决方案——选项PCE3的增强功能提供。 PCIe 4.0接收机测试 泰克现在支持PCIe 4.0和PCIe 3.1a基本规范接收机测试。通过这些解决方案,泰克BERTScope误码率测试仪和泰克高性能实时示波器自动校准压力眼图张开,测试接收机合规性和抖动容限。这些解决方案采用行业标准方法,由泰克与合作伙伴Granite River Labs共同提供,拥有简单的用户界面,自动执行PCIe测试,明显缩短设备校准时间。这些解决方案还支持循环通过各种定时和电压参数,采用用户定义的量程,创建二维结果图。 行业验证 PCI Express基本规范修订版4.0第0.7版相当复杂,内容有1,000多页,测试工程师迅速上手面临着极大的挑战。泰克与行业机构密切合作,如PCI-SIG®,帮助把行业规范测试要求转换成简便易用的交钥匙式测试解决方案,提供清楚简明的特性分析报告。 DPO70000SX满足第四代性能要求 为满足迅速发展的云计算和存储市场需求,工程团队正面向下一代串行标准做好准备,他们需要一个测量平台,为PCIe 4.0和其他标准中使用的高数据速率信令方案提供高度准确一致的测量。作为泰克最新的示波器家族,与前几代示波器相比,DPO70000SX为第四代串行总线提供了大量的优势,包括: ·高带宽、低噪声ATI通道,提供了最佳信号保真度和最宽的测量裕量 ·灵活的结构,并留有发展空间,可以在客户站点配置仪器,带宽从23 GHz到70 GHz,并使停机时间达到最小 ·业内最佳的触发功能,25 GHz边沿触发带宽,简便地捕获最快的信号 ·高性能时基,在当今最快速的标准上提供异常准确的定时和抖动测量 ·集成计数器/定时器,实现高精度定时测量,检定设计,调试问题

    时间:2016-06-30 关键词: PCI 泰克 测试解决方案 16 express4.0 gt/s

  • 泰克推出PCI Express 4.0测试解决方案, 支持16 GT/s数据速率

    泰克科技日前宣布,为其PCI Express (PCIe)套装测试解决方案提供一系列增强功能,支持16 GT/s数据速率,为业内提供第一个支持PCIe 4.0结构的发射机和接收机自动测试解决方案。 PCIe 4.0技术提高了数据速率,同时也带来了许多全新的测试挑战,如通道损耗大大提高,总抖动预算缩紧,链路培训和定时要求更加复杂。随着设计裕量缩小,准确的特定标准测量解决方案在调试、设计检验和互操作能力测试中发挥着至关重要的作用。泰克最新PCIe 4.0和3.0测试解决方案与DPO70000SX高性能示波器相结合,全面满足了所有上述需求。 “随着各种重大行业规范不断进化,如PCIe,我们的测试测量工具也必须保持同步发展。”泰克科技公司高性能示波器总经理Brian Reich说,“DPO70000SX示波器提供了无可比拟的准确度和扩充能力,与我们的PCIe解决方案增强功能相结合,使得广大客户能够调试和检验是否满足PCIe最新版规范,同时缩短一致性测试时间,提升生产效率。” PCIe 4.0发射机测试 泰克为DPO/DPS70000SX和DPO/MSO70000DX高性能示波器开发的选项PCE4提供了最新PCIe 4.0基本规范专用的新型发射机(Tx)测量,包括100 MHz基准时钟,其实现了皮秒级抖动要求,适用于所有四代PCI Express规范,即2.5、5.0、8.0和16.0 GT/s。其他增强功能有:支持最新U.2外形(原SFF-8639);新增优化功能,把整体测试时间缩短了大约30%。同样这些功能还作为泰克为PCI Express 3.0技术提供的解决方案——选项PCE3的增强功能提供。 PCIe 4.0接收机测试 泰克现在支持PCIe 4.0和PCIe 3.1a基本规范接收机测试。通过这些解决方案,泰克BERTScope误码率测试仪和泰克高性能实时示波器自动校准压力眼图张开,测试接收机合规性和抖动容限。这些解决方案采用行业标准方法,由泰克与合作伙伴Granite River Labs共同提供,拥有简单的用户界面,自动执行PCIe测试,明显缩短设备校准时间。这些解决方案还支持循环通过各种定时和电压参数,采用用户定义的量程,创建二维结果图。 行业验证 PCI Express基本规范修订版4.0第0.7版相当复杂,内容有1,000多页,测试工程师迅速上手面临着极大的挑战。泰克与行业机构密切合作,如PCI-SIG®,帮助把行业规范测试要求转换成简便易用的交钥匙式测试解决方案,提供清楚简明的特性分析报告。 DPO70000SX满足第四代性能要求 为满足迅速发展的云计算和存储市场需求,工程团队正面向下一代串行标准做好准备,他们需要一个测量平台,为PCIe 4.0和其他标准中使用的高数据速率信令方案提供高度准确一致的测量。作为泰克最新的示波器家族,与前几代示波器相比,DPO70000SX为第四代串行总线提供了大量的优势,包括: ·高带宽、低噪声ATI通道,提供了最佳信号保真度和最宽的测量裕量 ·灵活的结构,并留有发展空间,可以在客户站点配置仪器,带宽从23 GHz到70 GHz,并使停机时间达到最小 ·业内最佳的触发功能,25 GHz边沿触发带宽,简便地捕获最快的信号 ·高性能时基,在当今最快速的标准上提供异常准确的定时和抖动测量 ·集成计数器/定时器,实现高精度定时测量,检定设计,调试问题

    时间:2016-06-30 关键词: PCI 泰克 测试解决方案 16 express4.0 gt/s

  • 16 通道DVR完整硬件和软件参考设计

    科胜讯系统公司携手Grain Media 推出针对安全和监控应用的 16 通道数字视频录像机(digital video recorder, DVR)的完整硬件和软件参考设计。新的参考设计基于科胜讯的多通道视频解码器和 Grain Media 先进的H.264 压缩 SoC 解决方案。 科胜讯系统公司产品营销高级副总裁Phil Pompa 表示:“目前全球的企业都在增加他们的视频监控的规模和范围,为他们的应用提供更高水平的安全性,这推动了对高密度视频录像系统的需求。我们共同开发的参考设计有助于制造商快速开发出高密度的视频监控和安全产品,以满足不断增长的市场需求。与 Grain Media 合作也让科胜讯接触和服务于更多的客户。” Grain Media 销售和产品营销总监 Raymond Lai 表示:“我们与科胜讯合作开发的项目为我们的客户提供了针对高通道监控设备的最好的系统架构。这款具有竞争力的平台可以提供卓越的系统性能,包括用于多通道 IP 监控设备的卓越的视频和影像质量。许多的视频监控设备制造商都在中国及台湾地区,而科胜讯和 Grain Media 工程设计中心也在这两个地方。地理位置的优势可为我们共同的客户提供实时的本地支持、更高水平的服务,帮助他们进一步简化设计流程。” 新的参考设计有助于制造商开发出支持 16 通道编码、录像和播放功能的、优化的视频监控 DVR。该参考设计还具有双/三显示输出功能。其他功能还包括支持嵌入式键盘和遥控器功能,无需外部微控制器和针对整个系统操作的晶振。 该设计平台基于科胜讯的两个CX25838 视频解码器。该解码器具有业界最低的每通道功耗和散热能力,集成了有 10 位模数转换器和 5 线梳状滤波器的 8 个业界标准NTSC/PAL视频解码器,以实现卓越的数字输出质量,同时降低噪声,提供低压缩比特率。该解码器还内置了集成 IC 间音频(Inter-IC Sound, I2S)输入的 8 通道单声道模数转换器。其他功能还包括可编程运动检测逻辑、48个通用输入/输出(general input/output,GPIO)引脚,以实现最大的设计灵活性和产品定制。 该解决方案平台还包括Grain Media 采用嵌入式Linux 操作系统的GM8186/GM8187 H.264 SoC,以实现低比特率的高质量视频性能。采用540MHz CPU 和高达810MHz DDR2 的强大SoC 都针对 16 通道DVR系统进行了优化。 该参考系统平台还支持多种外设接口,包括 SATA 2.0 端口、USB OTG 和主机、键盘扫描、遥控器、HDMI、VGA 和 NTSC/PAL 显示输出。它还包括一个PCI 接口,以支持视频分析等增值功能。 科胜讯的视频产品组合包括针对具有数字视频录像功能的监控和安全产品的解码器和媒体桥。该公司还提供低功耗视频编码器解决方案,可实现采用被动红外技术传感器的视觉验证,用于住宅的“智能家庭”和商用安全应用。

    时间:2015-08-11 关键词: 参考设计 16 通道 嵌入式处理器 dvr

  • SSD大革命:闪迪,16TB

    固态硬盘(SSD)是目前大家比较关注的存储介质,并被认为将是未来取代机械硬盘,成为主流的存储介质。对于用户尤其是企业用户来说,固态硬盘存储容量偏小一直是影响其普及的一个重要原因。 近日,作为业内领先的固态硬盘厂商,闪迪(SanDisk)发布了业界首个4TB的SAS固态硬盘,此款产品的名字为Optimus MAX(擎天柱),从这么霸道的名字我们可以看出闪迪进军企业级硬盘市场的决心与信心。 闪迪新发布的Optimus MAX(擎天柱)固态硬盘的随机读取能力高达75000 IOPS,写入也达到15000 IOPS。新发布的产品主要是针对数据库、数据仓库等读取密集型工作负载的应用中。 ▲Optimus MAX(擎天柱)固态硬盘。 同时,此款产品采用了多项先进的技术,19纳米EMLC芯片,能够每天完成一到三次的完全擦除/写入,大大提升固态硬盘的寿命。平均故障时间约为250万小时/次。并且此款产品还提供了5年的质保时间。闪迪的EverGuard技术可在电源故障的情况下保护数据。这一4TB的固态硬盘需要消耗7瓦特电力。 Optimus MAX不仅提升了SAS接口SSD的容量,而且因为把SAS硬盘的性能提升到了一个可媲美企业级SATA固态硬盘的水平,所以可真正作为企业级硬盘的替代品。作为传统数据中心主要的存储介质的机械硬盘将面临着巨大的挑战。 除了发布了新的4TB产品,闪迪还确认明年固态硬盘的容量会升级到6TB、8TB!到2016年,单块固态硬盘的容量将高达16TB。那样的话至少在容量方面SSD将一举超越机械硬盘! ▲闪迪SSD发展路线。 对于用户来说,这样的更新速度可以说是一个大好消息,尤其是对于一些特殊应用的企业公司,越来越大的SSD存储空间无疑使其在企业应用中占得先机,但笔者也不禁要问,如此快速的增长速度,是否会带来大跃进后遗症? 首先,容量的快速增长是否会带来质量的隐忧?容量的快速增长虽然能够满足越来越大的数据存储需求,但是存储用户并不是只关心存储容量,同时数据安全方面也是同样重要。固态硬盘的数据保护技术是否能够跟得上发展需求,这是一个未知数。 其次,大容量=高价格,用户是否负担得起。对于很多用户来说,尤其是企业用户来说,在选择企业产品的时候,不仅重视产的性能、稳定性,还会更多的考虑性价比,虽然性能上去了,但是如此大容量的固态硬盘相信也不会便宜,高价格同样阻止固态硬盘的发展。 总结:闪迪此次发布会4TB SAS接口硬盘无疑对业界是一个好消息,但是对于传统的机械硬盘来说,无疑为一个催命符,其将可能在数据中心取代传统的机械硬盘,这值得希捷、西数等传统硬盘厂商重视。

    时间:2014-05-11 关键词: tb ssd 16 大革命

  • 抢苹果A9 台积电推16nm FinFET+

    据业内人士透露,台积电(TSMC )可能改进16nm代工业务,增加两个更先进的工艺,从而与英特尔和三星电子的14nm代工业务竞争。根据台积电原本路线图,16nm FinFET工艺有望在2014年底试生产,但是,现在台积电决定在年底推出16nm FinFET +工艺,并且在2015年至2016年推出更先进的16nm FinFET工艺。消息人士表示,台积电16FinFET +工艺预计将在2015年初进入批量生产,并可能有助于台积电赢得苹果A9处理器订单。根据摩根大通证券表示,因为芯片面积缩减,某些无晶圆厂的移动客户可直接采用16nm FinFET +工艺取代之前的20nm工艺。消息人士指出,台积电更先进的16nm工艺被暂时命名为16nm FinFET Turbo。

    时间:2014-04-03 关键词: nm 苹果 16 finfet

  • 台积电16nm年底试产 超大晶圆14厂贡献比已36%

    台积电3日对媒体展示14厂区域规划与新进完整布局;台积电发言人孙又文表示,台积电16奈米年底试产进度领先竞争对手,而超超大晶圆14厂去年贡献比已36%,南科厂区全部贡献占比则42%。据台积电指出,14厂P1至4期的营业额已在2012年占台积电营业额达到36%。而南科厂区全部贡献占比42%。台积电14厂P1至P4是4个足球场大面积;而外界关注未来台积电20/16奈米产出后,14厂的营收贡献比重。 台积电发言人孙又文回应提问表示,台积电16奈米是20奈米制程的延伸,20奈米明年第一季量产,而16奈米今年底试产进度领先竞争对手,而随着超超大晶圆14厂P5/6、15厂等加入后,未来贡献比重仍将仍将升高。 据了解,由于台积电P5至P6产能规划“只做20/16奈米”,三星与英特尔、格罗方德、设备商等各界关注,因此台积电尚属商业机密而处于保密中尚无可说明细节。台积电超大晶圆14厂P5所规划办公室可容纳3000位员工,目标在明年到位,同时P6工程在建,平常约有万名工作员建厂协助。

    时间:2013-10-08 关键词: nm 晶圆 16 36%

  • 卡位16/14纳米市场商机 晶圆厂决战FinFET制程

    鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14纳米市场商机,台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投资FinFET技术,并各自祭出供应链联合作战策略,预计将于2014~2015年陆续投入量产,让晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。 FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14纳米市场商机,并建立10纳米发展优势,台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术,并已将开战时刻设定于2014?2015年;同时也各自祭出供应链联合作战策略,期抗衡英特尔和三星等IDM的规模优势,让整个晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。 鳍式电晶体(FinFET)技术可有效控管电晶体闸极漏电流问题,并提高电子移动率,因而能大幅提升晶片运算效能同时降低功耗,现已成为全球晶圆厂迈向下一个制程节点的唯一途径。一线大厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式,加速14或16纳米FinFET量产脚步,抢先圈地市场商机。 其中,IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米后段金属导线(BEOL)制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16纳米FinFET世代,初版方案亦可望采用类似的混搭技术,足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。 缩短开发时程 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程 由于各家厂商均将FinFET视为下一阶段的制程布局重点,且迈入16/14纳米的起跑点相当靠近,可望打破台积电在28纳米制程一支独秀的局面,使晶圆厂之间的竞争态势更加激烈且胶着。 联华电子市场行销处处长黄克勤表示,14或16纳米FinFET对晶圆代工厂而言系重大技术革新,无论是立体电晶体结构设计、材料掺杂比例、温度和物理特性掌握的难度均大幅攀升;尤其在BEOL方面,要在短时间内将金属导线制程微缩至1x纳米的密度相当不容易,因此各家晶圆厂遂计划在晶圆前段闸极制程(FEOL)先一步导入FinFET,并沿用20纳米BEOL方案,以缩短开发时程和减轻投资负担。 其中,联电、格罗方德和三星已先后在2012年与IBM签订14纳米FinFET合作计划,并分别预定于2014年底~2015年,以14纳米FinFET FEOL混搭20纳米MEOL/BEOL的方式导入量产。 黄克勤认为,混搭方案将是推进半导体制程提早1年演进到1x纳米FinFET的关键布局,不仅能加速设计与测试流程,亦有助控制成本,预估晶圆代工业者初期都将采用此一架构,待技术日益成熟后才会全面升级为纯16或14纳米制程。现阶段,联电已授权引进IBM在半导体材料研究方面的Know-how与技术支援,将用来优化自行研发的14和20纳米混搭制程,将于2015年正式投产。 格罗方德全球业务行销暨设计品质执行副总裁Mike Noonen也强调,该公司将于2014年底抢先业界推出14nm-XM制程,可充分利用现有20纳米设备和技术资源,降低FinFET研发和制造成本,并简化客户新一代处理器的设计难度,尽速实现以立体电晶体结构减轻闸极漏电流的目标,进而延伸摩尔定律(Moore"s Law)至新境界。 此外,台积电近期也宣布2014年量产20纳米后,将提前1年至2015年发表16纳米FinFET制程,业界也预估其第一个量产版本将导入20纳米BEOL混搭方案,才能顺利在短短1年内实现16纳米。由此可见,一线晶圆代工业者在挺进FinFET领域的时间和成本压力下,采用混搭结构已成为一门显学。 除了与同业互尬FinFET制程量产速度外,台积电亦考量纯晶圆代工厂进入高投资、高技术门槛的FinFET世代后,与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈,因此正积极筹组大联盟(Grand Alliance),串连矽智财(IP)、半导体设备/材料,以及电子设计自动化(EDA)供应商等合作夥伴的力量,强化其在FinFET市场的竞争力。 台积电董事长暨总执行长张忠谋提到,今年台积电虽屡创季营收新高,但第四季因客户调整库存可能出现微幅下滑的情形。 台积电董事长暨总执行长张忠谋坦言,随着一线晶圆厂纷纷于2015年进入14或16纳米FinFET制程后,台积电将面临更大的竞争压力,特别是来自三星、英特尔等IDM大厂的威胁力道最剧,必须提早发动因应策略。 由于FinFET技术更复杂、投资金额也更巨大,晶圆代工厂很难再以孤军奋战的策略进行研发,因此台积电正如火如荼组织产业同盟,目前已与益华电脑(Cadence)、明导国际(Mentor Graphics)等EDA工具商,以及安谋国际(ARM)和Imagination等IP业者达成共识,未来将共同在台积电开放创新平台(OIP)上挹注创新技术能量,加速优化16纳米FinFET制程。 张忠谋认为,产业大联盟重要性在于相互融合不同厂商的长处,以研制最出色的制程解决方案,这将是台积电与IDM较劲最关键的优势。除联合异业夥伴共同出击外,台积电在今明两年都将以95?100亿美元的高额资本支出,不断扩充FinFET研发团队和产能,现已与大客户展开合作,抢先掌握许多16纳米FinFET设计定案(Tape Out)。 张忠谋也强调,在FinFET时代,台积电以晶圆代工厂的定位与IDM角逐市场还算有竞争力,但比较辛苦;若以产业大联盟的方式将非常有竞争力,有信心能提供更完整的制程服务和更高品质的晶片。 确保与IBM合作有成 联电紧握14/10nm主导权 至于联电近期则进一步扩大与IBM的合作计划,全力冲刺14和10纳米FinFET制程量产。不过,联电也不忘记取当初发展0.13微米时,授权IBM方案却面临量产窒碍难行,反遭台积电大幅超前进度的教训;此次在14/10纳米的合作仅将采用IBM基础技术平台与材料科技,并将主导大部分制程研发,以结合先进科技和具成本效益的量产技术,避免重蹈覆辙。 联电执行长颜博文认为,联电2013年第二季整体营运表现优于预期,而第三季也可望延续成长动能。 联电执行长颜博文表示,随着IC设计业者对于更新、更先进技术的需求日益增高,联电日前已宣布加入IBM 10纳米FinFET互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术联盟,将与IBM协同努力,克服现阶段的研发障碍。 事实上,格罗方德和三星在14纳米FinFET制程发展方面,亦与IBM有相当密切的合作往来,因而引发业界对联电难以突显制程差异性的疑虑。此外,法人也忧心联电和IBM共同推动0.13微米制程的失败情形重演,更对IBM的前瞻制程科技抱持“中看不重用”的怀疑,担心联电无法在2015年的1x纳米FinFET市场争取有利位置。 对此,颜博文回应,过去联电在0.13微米落后对手肇因于未与IBM明确分工,因此,未来发展14和10纳米制程,联电将导入IBM的FinFET基础制程平台与材料科技,加速复杂立体结构的FinFET技术成形,同时根据客户需求自行开发衍生性的量产方案,以结合两家公司各自的技术能量,加快产品上市时程,并提高制程独特性与市场竞争力。 据悉,联电将积极争取14/10纳米FinFET制程主导权,除持续扩充相关制程设备与验证分析解决方案的第三方合作夥伴阵容外,今年规画15亿美元资本支出中,亦将投入三分之二建置28纳米以下制程,可见其高度看重FinFET技术投资。 颜博文强调,相较于其他对手投注大量资源发展20纳米,联电将跳过此一制程节点,集中火力抢攻14纳米FinFET技术,并将同步启动10纳米FinFET研究计划,让资本支出与研发资源发挥最大效益。 确定不玩20纳米联电集中火力攻FinFET 由于20纳米研发所费不赀,加上市场需求仍不明朗,因此联电已计划跨过20纳米节点,加速挺进更具投资效益的14纳米FinFET世代,以与台积电、格罗方德和三星一较高下。 黄克勤分析,20纳米制程带来的效益将不如从40纳米演进至28纳米的水准,且须导入双重曝光(Double-patterning)方案,势将增加一笔可观花费,已使处理器业者的导入意愿开始动摇;再加上主要晶圆代工业者皆规画在2015年推出16或14纳米FinFET制程,在多方权衡之下,联电遂决定放缓20纳米投资,专心克服14纳米FinFET牵涉的材料掺杂、测试验证和晶圆前后段混搭制程等技术挑战,以因应即将到来的FinFET市场卡位战。 黄克勤强调,英特尔(Intel)率先投入FinFET制程量产,大幅提高处理器效能并降低功耗,近来在行动装置品牌市场已有不错成绩;一旦其市占持续攀升,势将影响高通(Qualcomm)与相关晶圆代工供应链的投资计划,并加速制程研发步调,以免技术差距持续被拉大。因应此一趋势,联电遂倾向将资源集中在FinFET技术上,并跳过20奈米制程发展。 除联电缩手20奈米以确保将钱用在刀口上,三星和格罗方德也未提出明确的20奈米发展计划,唯独台积电仍倾力发展,因而引发业界对其未来产能将过剩的疑虑。 对此,分析师认为,台积电强推20奈米,系维持先进制程Time to Market的领先脚步,且因20奈米能沿用部分28奈米设备,并与下一阶段16奈米FinFET互补,就长期发展来看有其投资必要性;而且从晶片商的投片计划来看,大多会与晶圆厂合作好几代的产品,台积电只要取得1?2家处理器厂大量投片,对其未来巩固市占率和营收都相当有帮助。 抢先台积电/联电 格罗方德冲刺10奈米制程 不仅台积电和联电两大晶圆代工元老正以迥异的营运策略,加紧部署FinFET产线,甫成军4年的格罗方德亦全力推动FinFET量产方案,并计划在2014年推出14奈米FinFET,紧接着再花1年时间在2015年抢先进入10奈米世代,揭开晶圆代工产业竞争新局。 格罗方德先进技术架构副总裁Subramani Kengeri表示,20及14奈米技术对晶圆代工产业有举足轻重的影响,因为20奈米首次使用双重曝光,而14奈米则率先转搭FinFET架构,因此格罗方德特别设计一连串可降低模具成本的制程方案,进而使两世代节点无缝接轨,加速半导体制程演进脚步。 Kengeri更强调,格罗方德自尚未从超微(AMD)分拆时,就已投入FinFET基础研究,近10年来已累积庞大的专利阵容,目前正紧锣密鼓研拟第二代10奈米FinFET电晶体架构,以及相应的三重曝光技术,并已定义完成10奈米制程,预计2015年即可进入量产,可望领先业界在晶圆前后段制程均实现FinFET架构。此外,该公司近期也启动7奈米早期研发,将更进一步增强产品效能并缩减尺寸及功耗。 Kengeri透露,格罗方德预计于2013年投入约45亿美元资本支出,并将于未来2年持续投资,以加速扩充14和10奈米FinFET制程产能,争取更高的晶圆代工市占率。 因应格罗方德的猛烈攻势,台积电亦紧锣密鼓投入10奈米布局,避免在任何新技术节点的发展被对手超前。据悉,该公司与艾司摩尔(ASML)共同研发次世代极紫外光(EUV)微影技术,已进入收割阶段,可望在2017年用于10奈米晶圆,大幅提高吞吐量与生产效率,打造兼具效能和成本优势的商用制程。 尽管格罗方德信誓旦旦将于2015年抢先发表10奈米FinFET制程,然而业界认为该制程节点将面对极为复杂的技术挑战,要在2015年正式量产将有一定的困难度。包括电晶体通道大幅微缩将影响电子移动性,须导入新的电晶体通道材料取代传统的矽方案;且电晶体密度大增亦将垫高电路布局(Layout)难度,牵动晶圆厂进行大幅度的设计规范(Design Rule)和制程设计套件(PDK)修改。 为协助半导体产业跨越10奈米FinFET技术门槛,比利时微电子研究中心(IMEC)正快马加鞭研发下世代电晶体材料与电路互连技术,将以矽锗(SiGe)或三五族(III-V)材料替代矽方案,并透过奈米线(Nanowire)或石墨烯技术实现更细致的电路成型与布局。 IMEC制程科技副总裁An Steegen提到,除了10奈米以下制程技术外,IMEC亦全力推动18寸晶圆的发展,目前已有相关设备进入验证阶段。 IMEC制程科技副总裁An Steegen表示,目前16/14奈米FinFET技术成熟度已达到一定水准,全球主要晶圆代工厂均预计在2014?2015年投入量产;然而,下一阶段的10奈米技术则尚未明朗,原因在于电晶体通道大幅微缩后,传统矽材料将面临物理极限,使晶圆厂无法显著提升晶片效能;加上电晶体密度激增,相关业者亦须改良制造工具,以及电路布局的设计规范和PDK,势将增添量产制程发展的不确定性。 Steegen强调,为继续往下延伸摩尔定律,半导体供应链业者和技术研究单位正密切投入开发新一代半导体材料、设备、电路成型及布局方案。其中,IMEC已将电子移动性较佳的矽锗、锗、镓(Ga)或三五族化合物列为矽材料的优先替代选项,从而在电晶体通道愈趋紧密的前提下,持续提升电子驱动性能。 据悉,10奈米FinFET制程对设备、材料和临界尺度(Critical Dimension)控制等各方面都将带来新的要求,但尤以新材料研究较难掌握、耗时且影响层面大;因此IMEC遂将其视为布局重点,并于日前在日本举行的2013年超大型积体电路(VLSI)国际会议中,发表可应用于10奈米以下制程的锗/矽锗浅沟槽隔离(STI)方案,进而改善矽通道效能及可靠度不佳的问题。 此外,FinFET转向立体架构,晶圆厂为确保良率,亦须严格掌控离子扩散状况;对此,IMEC则以特殊探针(Probe),开发类似电子显微镜的SSRM(Scanning Spreading Resistance Microscopy)方案,并提供相关机台设计支援与代测服务,让晶圆厂更精确掌握离子扩散时的细微变化与不良情形。 与此同时,IMEC亦从微影、电路成型和布局方案着手,期协助晶圆厂克服10奈米以下制程极其紧密的布线挑战。Steegen透露,针对10或7奈米制程方案,IMEC将采用奈米线或石墨烯电路互连技术,实现更细致的电路布局;目前正与晶圆厂合作夥伴携手定义新的设计规范和PDK,最快可望在7奈米制程导入奈米线,开启半导体技术发展新页。 至于微影技术方面,IMEC正与ASML致力于新世代EUV机台的验证,从而以单次曝光的形式,协助晶圆厂减轻多重曝光的繁复流程与昂贵成本,使10奈米以下量产制程更具经济效益。 Steegen指出,ASML每一版研发型EUV机台都会优先提供予IMEC测试,该公司预计于今年底推出的最新型设备亦将在近期进驻IMEC无尘室,进行细部调整与优化,以配合IDM和晶圆代工厂商的10奈米制程研发脚步。 显而易见,先进制程的演进已吸引整个半导体制造业的关注,并引来更多设备与新技术发展商机;然而,相关业者亦须配合终端产品发展方向,动态调整投资布局策略,才能顺利掌握IC设计客户的需求。 中低阶行动装置窜红 半导体业投资策略转弯 随着中国大陆中低价行动装置市场增温,高单价的高阶行动装置买气已明显趋缓,因而牵动半导体产业的投资策略转变。由于处理器厂纷纷将火力转向平均销售价格(ASP)较低的中低阶行动装置市场;因应此一趋势,晶圆代工业者也启动新的设备采购计划或提高自制比重,并利用已摊提完毕的八寸厂产线部署高毛利的高压特殊制程,以发挥更大的投资效益。 SEMI产业研究资深经理曾瑞榆指出,英特尔在行动处理器市场的表现将牵动整个半导体供应链的变化,系后续产业观察重点。 国际半导体设备材料产业协会(SEMI)产业研究资深经理曾瑞榆表示,中低阶行动装置市场售价不断下探,已为晶片商和半导体供应链业者带来沉重的降价压力。以目前中低阶手机应用处理器的平均价格来说,大多须低于30美元,或甚至压至10几美元的水准,才能取得中国大陆二线品牌厂或白牌业者青睐;而晶片商承受的价格压力势将转嫁一部分至半导体上游供应链肩上,因而驱动相关晶圆代工业者更加严格控管设备和材料采购成本。 举例而言,台积电近来积极推动设备及材料国产化,透过技术合作或政府科专计划,全力扶植台湾半导体设备和材料商,期进一步缩减从欧美、日本进口昂贵设备的成本;至于联电则活用八寸厂的产能,加紧开发高度客制化、毛利表现较佳的特殊制程,目前在行动装置液晶显示(LCD)驱动IC和电源管理晶片(PMIC)高压制程方面,产能几近满载,有助其提高获利。 至于三星亦善用其兼具逻辑、记忆体晶圆制造能力,以及面板和行动装置周边零组件的一条龙供应优势,更进一步祭出设备自制策略。曾瑞榆指出,韩国政府扶植国内半导体设备和材料供应商的政策相当明确,且已有不错成果,近来韩商在蚀刻(Etching)和化学机械研磨(CMP)设备技术迭有突破,配合三星投入发展三维晶片(3D IC)的脚步,可望加速商用,并协助三星进一步降低晶片生产成本。 曾瑞榆提到,在中低阶行动装置销售走强、高阶产品需求转淡一正一负的抵销下,今年半导体设备支出恐将较去年微幅下滑。就区域来看,除了中国大陆、台湾和日本地区的投资金额相对增加外,其他区域不是维持平盘就是短缩,足见中低阶行动装置热潮,已促使半导体产业投资重心倾向亚洲,尤以大中华区晶圆代工业者投资力道最强。 整体而言,晶圆代工产业将迈向两极化的发展,主要厂商将同时兼顾高阶先进制程投资布建,以及具成本效益且适用于中低价行动装置的特殊制程布局,启动一连串的资本支出调整策略,藉以在市场上寻求较佳的战略位置。

    时间:2013-09-03 关键词: 纳米 14 16 finfet

  • 抢推16/14nm新工具 EDA业者大举在FinFET市场攻城掠地

    EDA 业者正大举在FinFET市场攻城掠地。随着台积电、联电和英特尔(Intel)等半导体制造大厂积极投入16/14奈米FinFET制程研发,EDA工具开发商也亦步亦趋,并争相发布相应解决方案,以协助IC设计商克服电晶体结构改变所带来的新挑战,卡位先进制程市场。 16/14奈米(nm)先进制程电子设计自动化(EDA)市场战火正式点燃。相较起28/20奈米製程,16/14奈米以下制程采用的鳍式场效电晶体 (FinFET)结构不仅提升晶片设计困难度(图1),更可能拖累产品出货时程,为协助客户能突破FinFET製程设计瓶颈,EDA厂商不约而同发布针对 FinFET製程的最新解决方案,欲于新一波的晶片设计商机中迅速扩大市占。 图1 与平面电晶体结构不同的FinFET製程,将带给IC设计商另一波挑战。 例如益华(Cadence)即针对28奈米以下製程及FinFET製程发布最新版Virtuoso布局(Layout)设计套件,该套件具备电子意识设计 (Electrically Aware Design, EAD)功能,可以协助行动装置积体电路(IC)设计商缩短产品设计週期并提高客製IC效能。 新思科技(Synopsys)则是携手联电宣布两家公司的合作已获得初步成果;联电採用新思科技DesignWare逻辑库IP组合和Galaxy实作平台StarRC寄生参数提取工具,成功完成联电第一个14奈米FinFET製程验证工具设计定案。 製程持续演进 晶片设计挑战重重 图2 益华客製IC与仿真产品管理资深团队总监Wilbur Luo指出,Virtuoso设计平台目前已有75%的市占率。 益华客製IC与仿真(Simulation)产品管理资深团队总监Wilbur Luo(图2)表示,半导体製程由28奈米演进至16/14奈米FinFET製程的过程中,IC设计商会面临愈来愈严重的电致迁移 (Electromigration, EM)问题以及布局依赖效应,加上先进製程设计规则多且复杂,将导致IC设计工程师在设计和验证数十亿电晶体的同时,也面临庞大的上市时程压力。 为协助客户顺利克服FinFET製程挑战,益华发表新Virtuoso设计套件,该套件可针对电致迁移问题,在工程师绘製布局时提出分析及警告,让工程师即时更正其设计;此外,Virtuoso设计套件亦具备在类比设计环境的仿真过程中撷取电流、电压资讯,并传送至布局环境的能力。 另一方面,Virtuoso设计套件可实现部分布局(Partial Layout)功能,亦即工程师可直接在布局设计过程中即时电子化分析、模拟、验证内部连结,以确保其布局架构正确(图3)。该设计功能让工程师减少其设计往返(Iteration)时间,以及避免其晶片过度设计(Over Design),进而导致耗电高、影响晶片效能,及占位空间增加等问题。 图3 在EDA设计工具的帮助下,工程师可在设计週期中提早发现问题并及时解决。 Luo指出,博通(Broadcom)已于28奈米製程实际使用Virtuoso布局套件,而其通讯晶片在提高效能表现与缩小尺寸之余,更受惠于 Virtuoso部分布局功能,而较上一代晶片缩短30%的设计时程。他认为,未来IC设计商在FinFET製程世代将面临更严峻的挑战,而 Virtuoso设计套件的角色也将更加吃重。 另一方面,台积电也宣布将扩大与益华在Virtuoso设计平台上的合作关係,以设计和验证其先进製程硅智财(IP),同时,台积电亦将以SKILL为基础的製程设计套件(PDKs)扩大应用于16奈米製程,以实现Virtuoso设计平台的色彩意识布局(Color-aware Layout)、先进绕线(Advanced Routing)和自动对準(Auto-alignment)等功能。 事实上,不仅台积电在FinFET製程布局上煞费苦心,台湾另一家晶圆代工厂联电,亦已于6月底完成首款14奈米FinFET製程验证工具的设计定案,而新思科技正是协助其设计的重要功臣。 EDA 业者正大举在FinFET市场攻城掠地。随着台积电、联电和英特尔(Intel)等半导体製造大厂积极投入16/14奈米FinFET製程研发,EDA工具开发商也亦步亦趋,并争相发布相应解决方案,以协助IC设计商克服电晶体结构改变所带来的新挑战,卡位先进製程市场 新思提供关键IP 联电布阵14nm制程 联电市场行销副总郭天全表示,此次设计定案的成功,是联电技术研发的重要里程碑,联电的目标是提供客户高竞争力的FinFET技术解决方案,协助客户产品走在技术前端。联电选择新思科技做为此次重要合作伙伴,塬因在于新思科技在FinFET领域的专业,以及在先进製程开发DesignWare硅智财的丰富经验。此次合作成果将可大大嘉惠IC设计公司,为客户带来功耗、效能、成本等各面向的产品竞争力。 新思科技硅智财与系统行销副总John Koeter表示,新思科技致力于开发开发通过验证的FinFET硅智财与IC设计工具,可协助联电认证关键製程和硅智财测试结构,藉此降低IC设计公司整合产品的风险,并且加速其产品的量产时程。 据了解,联电将在2015年量产首批产品,紧追英特尔(Intel)及台积电的脚步。事实上,由于FinFET製程具备高效能、低功耗,以及比平面互补式金属氧化物半导体(CMOS)製程较低的数据保留电压等优势,因而成为IC设计公司高度重视的先进製程节点。 新思科技製程验证工具将提供初期数据,让联电得以调整其14奈米FinFET製程,藉以得到最佳化功耗、性能和裸晶(Die)面积。同时,新思科技验证工具也提供製程检视数据,让联电FinFET模拟模型与硅製程结果具更高关联性。 新思科技DesignWare FinFET逻辑库硅智财(IP)组合包括高速、高密度、低功耗的标準元件(Standard Cell),内含多重临界电压(Voltage Threshold)工具并支援多重通道长度,以降低漏电流(图4)。 图4 完善的IP组合是确保IC设计品质的重要工具。 另一方面,新思科技StarRC (Resistance/Capacitance)寄生参数提取工具提供14奈米先进撷取技术,该技术奠基于FinFET元件特有的叁维(3D)模型。 StarRC工具具备可精準描述FinFET电晶体撷取资料的独特能力,因此,其嵌入式解决工具可产生最高精度的电阻/电容寄生模型,让IP开发商能够优化产品高效能及低功耗特色。 至于明导国际(Mentor Graphics)也已于5月获得台积电认证16奈米FinFET验证工具,并与叁星(Samsung)共同策画14奈米製程处理设计套件。 显而易见,各大EDA厂及晶圆厂的目光已全面集中于16/14奈米FinFET製程的庞大商机,并且在先进製程的设计过程中,双方不仅须加强自身产品竞争力,更须仰赖跟彼此的资源交换、互通有无,才能抢先于竞争对手之前交付客户最理想的解决方案。

    时间:2013-08-26 关键词: 14 16 finfet EDA

  • 镁光开始样产SSD用16nm闪存芯片

    闪存行业的制程竞赛又到达了另一个里程碑。镁光表示,该公司已经开始样产业内最小的128Gb(16GB)MLC闪存芯片。该芯片采用16nm的制程技术,比该公司的20nm工艺更加精细。镁光声称,对于任何样产的半导体装置来说,该16nm制程工艺是"最先进的"。该公司计划在下一季度将16nm 128Gb的芯片带入量产(full production)阶段,当然,该芯片也将在明年推出的全新SSD产品家族中露面。 预计该16nm 128Gb芯片会覆盖USB驱动器、闪存卡、平板、智能机和数据中心SSD等产品。 因为更精细的制程,能够让相同的硅片出产更多的成品。转向16nm的128Gb(16GB)芯片,意味着零售端将出现更高容量/更低价格的固态硬盘,但是其速度可能明显比20nm的128Gb芯片要慢。 目前的8通道SSD控制器,每个通道可以连上4个NAND芯片,因此要实现峰值的性能,就需要32颗闪存芯片。搭建240-256GB的驱动器,只需要16颗128Gb的闪存。

    时间:2013-07-17 关键词: nm ssd 16 镁光

  • 苹果去三星化 情定台积电20nm、16nm、10nm

    苹果的去三星化终于迈出了最关键的一步,“抢亲的”就是台积电:业内消息称,台积电及其IC设计服务伙伴创意电子(GlobalUniChip)已经与苹果签订了一纸三年合约,将利用其20nm、16nm、10nm等多代工艺为苹果制造未来的A系列处理器。据称,台积电将从今年7月份开始,使用20nm工艺小批量生产苹果A8处理器,12月之后投入量产。 台积电的20nm工厂目前还在安装设备,预计到2014年第一季度的时候,每月能生产5万块晶圆。 这其中的很大一部分,约有2万块晶圆的产能,未来能够升级到16nm工艺,用来生产苹果的A9、A9X,但预计要到2014年第三季度末才能投产。 A8会用于明年初发布的新款iPhone,A9/A9X则分别会用在更遥远的iPhone、iPad上 ,但是还没听说会有A8X。(这种命名方式很邪恶,到时候大家就得区分两个A9了:一个是苹果的处理器型号,一个是ARM的架构。) 这也就意味着,今年发布的iPhone、iPad注定都是过渡版本,处理器上不可能有太大变化,毕竟28nm工艺的限制在哪儿摆着。 至于台积电是否将成为苹果A8、A9系列处理器的独家代工厂,三星是否继续参与,目前还无法确认。 位于台湾南部的台积电Fab12工厂四期、五期、六期都将成为苹果A系列处理器的独享生产基地,初步产能6000-10000块晶圆,2014年逐步提升。 台积电此前曾经披露过,16nmFinFET工艺将在20nm大规模投产后一年跟进量产(GF也宣称其20-14nm会有这个速度),后者的风险性试产已在今年第一季度开始。

    时间:2013-06-25 关键词: nm 10 20 16

  • 苹果情定台积电:20nm A8、16nm A9/A9X

    苹果的去三星化终于迈出了最关键的一步,“抢亲的”就是台积电:业内消息称,台积电及其IC设计服务伙伴创意电子(GlobalUniChip)已经与苹果签订了一纸三年合约,将利用其20nm、16nm、10nm等多代工艺为苹果制造未来的A系列处理器。据称,台积电将从今年7月份开始,使用20nm工艺小批量生产苹果A8处理器,12月之后投入量产。台积电的20nm工厂目前还在安装设备,预计到2014年第一季度的时候,每月能生产5万块晶圆。这其中的很大一部分,约有2万块晶圆的产能,未来能够升级到16nm工艺,用来生产苹果的A9、A9X,但预计要到2014年第三季度末才能投产。A8会用于明年初发布的新款iPhone,A9/A9X则分别会用在更遥远的iPhone、iPad上,但是还没听说会有A8X。(这种命名方式很邪恶,到时候大家就得区分两个A9了:一个是苹果的处理器型号,一个是ARM的架构。)这也就意味着,今年发布的iPhone、iPad注定都是过渡版本,处理器上不可能有太大变化,毕竟28nm工艺的限制在哪儿摆着。至于台积电是否将成为苹果A8、A9系列处理器的独家代工厂,三星是否继续参与,目前还无法确认。位于台湾南部的台积电Fab12工厂四期、五期、六期都将成为苹果A系列处理器的独享生产基地,初步产能6000-10000块晶圆,2014年逐步提升。台积电此前曾经披露过,16nmFinFET工艺将在20nm大规模投产后一年跟进量产(GF也宣称其20-14nm会有这个速度),后者的风险性试产已在今年第一季度开始。

    时间:2013-06-25 关键词: nm 苹果 20 16

  • 紧追赛灵思16nm量产进度 Altera明年投产14nm

    Altera的14奈米(nm)三闸极电晶体(Tri-gate Transistor)制程可望于明年启动量产。面对赛灵思(Xilinx)即将于2014年采用台积电16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程,生产首批现场系统单晶片可编程闸阵列(SoC FPGA),Altera亦不干示弱,于日前宣布将于2013年底前提供14奈米的SoC FPGA测试晶片,预计于2014年正式投产14奈米SoC FPGA。 Altera资深产品行销总监Patrick Dorsey表示,Altera正借助更先进奈米制程和高性能架构开发更高性能和更低功耗的高阶SoC FPGA。 Altera资深产品行销总监Patrick Dorsey表示,为开发出更高效能与更低耗电量的高阶SoC FPGA,Altera与赛灵思无不分别加快14奈米和16奈米制程的量产脚步,也因此,从赛灵思预定16奈米制程的投产时间观之,将与Altera的14奈米制程量产时间相去不远。 日前,Altera已发布将采用英特尔(Intel)14奈米制程生产第十代高阶SoC FPGA产品系列Stratix,并预计将于2014年提供Quartus Ⅱ软体支援。Dorsey指出,该公司挟14奈米制程,可开发出更高整合度的高阶SoC FPGA,其可于单颗晶片整合超过四百万个逻辑单元,密度提高多达四倍。 Altera除采用14奈米制程之外,亦透过产品架构设计增强旗下高阶SoC FPGA的性能。据悉,从0.13微米制程至28奈米制程,Altera每一代FPGA产品效能提高20%;相比之下,该公司基于14奈米开发的第十代高阶SoC FPGA,再搭配独有的增强高性能架构,效能可大幅攀升达两倍之多,且功耗下降70%。

    时间:2013-06-13 关键词: nm Altera 14 16

  • 恩智浦推出可调光LED控制器 改善12V MR16灯的效率

    21ic讯 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)日前发布了SSL3401,这是一款可调光单级控制器IC,用于改良使用12V交流市电的MR16 LED灯。SSL3401可兼容广泛的调光器和变压器——用于超过80%的最常见组合——采用紧凑型外形尺寸,适合大多数常见MR16 GU5.3和AR111外壳和插口。SSL3401支持高达105ºC的环境温度,还提供温度回降保护。SSL3401以恩智浦GreenChip™技术为基础,生成稳定、精确的电流,同时在最常见的实际操作中拥有光输出5%以下的调光能力。尽管最大灯功率取决于灯的热性能设计,使用SSL3401的典型7W MR16 LED灯仍可获得15%以下总谐波失真(THD)、0.9以上功率因素、高达78%的效率以及低于±10%的LED纹波电流。 恩智浦半导体照明解决方案产品线总经理Ryan Zahn表示:“全世界具有节能意识的消费者和商业机构都希望用LED取代卤素灯,但若转向使用可调光MR16 LED,就不能总是像人们期待的那么顺畅了。在SSL3401中,我们专门针对可调光MR16 LED灯设计了紧凑型单级控制器IC,并进行了大量测试,使之兼容各种广泛的调光器和变压器。通过帮助改良灯制造商以降低成本,我们还希望在更大范围内简化卤素灯到LED灯的转型,特别是在12V MR16灯成为商业和住宅照明普遍选择的情况下。” 恩智浦将于本周在广州国际照明展上展示SSL3401型号产品,届时敬请光临位于第13.2展厅D37号恩智浦展台。评估用样本目前已上市,2013年7月将开始量产。

    时间:2013-06-09 关键词: LED 16 12v mr

  • Cadence设计工具通过台积电16nm FinFET制程认证

    益华电脑(Cadence Design Systems)宣布,该公司的系统芯片开发工具已经通过台积电(TSMC) 16纳米 FinFET 制程的设计参考手册(design rule manual,DRM)第0.1版与 SPICE 模型工具认证。在早期阶段就达成工具认证里程碑,意味着先进制程客户能够着手开发设计,并驾驭新一代行动平台所需的低功耗与高效能优势。 工具认证扮演16纳米FinFET技术专属设计基础架构的基石角色。通过认证的Cadence工具包括:Spectre、Liberate、Virtuoso、 Encounter Digital Implementation (EDI) System、Encounter Timing System、Virtuoso Power System、Encounter Power System、Physical Verification System 以及QRC Extraction。还有几项Cadence设计IP产品可供客户在这个先进制程测试芯片。 此外,台积电已经认证立即可以投入生产的Cadence益华电脑20纳米制程专属设计流程。客户现在可以享用Cadence益华电脑流程为先进制程所提供的速度、功耗与面积优势。 整个工具链已经透过ARM Cortex-A9处理器的设计通过了20纳米认证,而且是第一个台积电20SoC制程技术专属的整合式工具认证。Cadence益华电脑提供工具包括Virtuoso、EDI System、Encounter Timing System、Encounter Power System、Virtuoso Power System、Physical Verification System与QRC Extraction。 “尽可能在解决方案开发的最早阶段进行垂直协作,就是实现协同最佳化解决方案的关键。”Cadence益华电脑芯片实现事业群研发资深副总裁徐季平表示:“台积公司通过16纳米FinFET与20纳米设计的Cadence工具认证,就是双方承诺联手协助彼此客户确保成功的最佳背书。” “我们透过台积公司Open Innovation Platform 协作模式,尽早达成了DRM & SPICE认证,让讯号设计团队能够满怀信心地运用这些Cadence益华电脑工具,尽快开发高效能、低功耗16纳米FinFET设计。”台积电设计基础架构行销事业部资深协理Suk Lee表示:“Cadence益华电脑工具的20纳米认证意味着,他们已经做好万全准备,能够克服以台积公司20纳米制程为目标之设计的独一无二挑战。” 日前发表ARM与Cadence合作实现台积公司16nm FinFET 制程上业界第一个Cortex-A57 64位处理器相互辉映,这也是同样运用Cadence益华电脑技术所开发的。

    时间:2013-06-06 关键词: cadence nm 16 finfet

  • Cypress PSoC4提升性价比 蚕食8/16位MCU市占

    赛普拉斯(Cypress)PSoC应用功能再扩大。赛普拉斯最新一代可编程系统单芯片PSoC4,导入安谋国际(ARM)32位Cortex-M0核心,期提升产品性能价格比,逐渐蚕食8、16位微控制器(MCU)的市占。 赛普拉斯上海分公司市场部经理王冬刚表示,32位MCU逐渐取代8、16位市场已成趋势,赛普拉斯将持续推出低价、高效能方案抢占先机。 赛普拉斯上海分公司市场部经理王冬刚表示,目前全球微控制器产值为170亿美元,其中8、16位微控制器约占60%,而32位产品约为40%。由于32 位微控制器在运算方面具有优势,且价格不断下滑,预计2017年32位产品将可取代8、16位微控制器,成为市场产值最大的方案。 看准32位微控制器的发展趋势,赛普拉斯继2010年推出基于Cortex-M3核心的PSoC 5LP系列后,日前再发布导入Cortex-M0核心的可编程微控制器平台PSoC4。透过新的处理器架构,PSoC4可扩大马达控制、白色家电,以及可携式装置如智能手机与平板装置等应用的功能。 王冬刚强调,在马达控制应用方面,赛普拉斯PSoC4加强金属氧化物半导体场效电晶体 (MOSFET)开关的安全保护能力,因而可优化脉冲宽度调变(PWM)效能,较PSoC3和PSoC 5LP更省电;并高度整合运算放大器、模拟数字转换器(ADC)等功能于单一芯片内,可满足电动车、电动脚踏车,以及2,000瓦(W)以下中低功率家电设备等马达控制应用领域。 另一方面,PSoC1处理器工作时脉仅为15MHz,而PSoC4加入Cortex-M0核心后时脉大幅跃升, 以PSoC4 4100为例,其运算时脉达24MHz,全速运行时更可达48MHz。由于处理器运算能力提升,因此触控感应器的扫描速度更快,王冬刚分析,PSoC4的扫描速度是PSoC3的四倍,可进一步缩短面板的触控反应时间,因而能因应家电产品全面从机械按键升级至触控按键的趋势。 王冬刚指出,PSoC4亦能整合微控制器和触控感应器Capsense功能于单一芯片,可帮助原始设备製造商(OEM)、原始设计製造商(ODM)缩减硬体空间、降低整体物料清单(BOM)成本,并降低待机功耗至20奈安培(nA),让手机、平板、电动车即使待机8个月仍存有电量,成为取代16、32位微控制器市场的一大利器。

    时间:2013-05-06 关键词: Cypress 16 MCU psoc4

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