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2.5D/3D IC电源完整性挑战：mPower工具的多物理场协同分析方案
随着半导体工艺节点进入7nm/5nm之后，2.5D/3D IC凭借先进封装（Interposer、TSV）实现Die - to - Die互连，成为后摩尔时代提升系统效能、缩小芯片面积并整合不同功能的核心驱动力。然而，2.5D/3D IC的电源完整性面临诸多挑战，如高功耗、散热问题以及热应力形变等。在此背景下，mPower工具凭借其多物理场协同分析能力，为解决这些问题提供了有效方案。
随着半导体工艺节点进入7nm/5nm之后，2.5D/3D IC凭借先进封装（Interposer、TSV）实现Die - to - Die互连，成为后摩尔时代提升系统效能、缩小芯片面积并整合不同功能的核心驱动力。然而，2.5D/3D IC的电源完整性面临诸多挑战，如高功耗、散热问题以及热应力形变等。在此背景下，mPower工具凭借其多物理场协同分析能力，为解决这些问题提供了有效方案。
