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先进工艺节点BTI/HCI效应建模：老化感知的时序收敛方法
随着7nm及以下工艺节点的普及，负偏置温度不稳定性（NBTI/PBTI）和热载流子注入（HCI）效应已成为影响芯片长期可靠性的关键因素。本文提出一种基于物理机理的老化感知时序收敛方法，通过建立BTI/HCI联合老化模型，结合静态时序分析（STA）与动态老化追踪技术，实现从设计阶段到签核阶段的全流程老化防护。实验表明，该方法可使芯片在10年寿命周期内的时序违规率降低92%，同时保持小于5%的面积开销。
随着7nm及以下工艺节点的普及，负偏置温度不稳定性（NBTI/PBTI）和热载流子注入（HCI）效应已成为影响芯片长期可靠性的关键因素。本文提出一种基于物理机理的老化感知时序收敛方法，通过建立BTI/HCI联合老化模型，结合静态时序分析（STA）与动态老化追踪技术，实现从设计阶段到签核阶段的全流程老化防护。实验表明，该方法可使芯片在10年寿命周期内的时序违规率降低92%，同时保持小于5%的面积开销。
