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ST 和Exagan开启GaN发展新篇章
氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4 eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。
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意法半导体收购氮化镓创新企业Exagan的多数股权
此次收购将大幅提高意法半导体在汽车、工业和消费级高频大功率GaN的技术积累、扩大其开发计划和业务
