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扇出型晶圆级封装（FOWLP）的可靠性挑战，RDL重布线层到应力迁移的仿真
半导体技术逼近物理极限，扇出型晶圆级封装(FOWLP)凭借其高I/O密度、小型化潜力与系统级集成能力，成为延续摩尔定律的关键技术。然而，随着封装结构复杂度指数级增长，从重布线层(RDL)的可靠性到应力迁移的仿真验证，FOWLP正面临多重可靠性挑战。这些挑战不仅源于材料热膨胀系数不匹配、工艺缺陷积累，更涉及多物理场耦合作用下的长期失效机制。
半导体技术逼近物理极限，扇出型晶圆级封装(FOWLP)凭借其高I/O密度、小型化潜力与系统级集成能力，成为延续摩尔定律的关键技术。然而，随着封装结构复杂度指数级增长，从重布线层(RDL)的可靠性到应力迁移的仿真验证，FOWLP正面临多重可靠性挑战。这些挑战不仅源于材料热膨胀系数不匹配、工艺缺陷积累，更涉及多物理场耦合作用下的长期失效机制。
