5G通信技术快速发展,射频前端电路的集成化成为关键技术突破点。作为支撑高频段、高带宽通信的核心组件,射频前端模块的性能直接决定了信号传输质量与设备能效。SOI(绝缘体上硅)与GaAs(砷化镓)作为两种主流工艺,在5G毫米波应用中展现出差异化优势。本文将从工艺原理、电路设计、性能参数及典型应用场景展开对比分析。
全球研究与咨询公司Strategy Analytics日前发表了题为“功率放大器技术趋势:2008-2013”的报告,指出开发用于手机的CMOS功率放大器的厂商越来越多。 该报告
在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术,包括过滤和低温冷却,但低噪声放大器的良好性能,提供了一种被实践所验证的可
工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性,甚至使人畏惧。不过,采用最新的GaAs(砷化镓)异质结FET,可以设计出有高
0 引言PIN二极管广泛应用于限幅器、开关、衰减器、移相器等控制电路中。与MESFET和PHEMT器件相比较,PIN二极管具有插入损耗低、截止频率高、功率容量大的特点,特别适合于
PIN二极管广泛应用于限幅器、开关、衰减器、移相器等控制电路中。与MESFET和PHEMT器件相比较,PIN二极管具有插入损耗低、截止频率高、功率容量大的特点,特别适合于制作性能
MIT研究人员发现一种用于大规模生产昂贵电路的新型「复制/贴上」方法,在制造上覆石墨稀的「供体」晶圆后,采用「沉积-剥离」的方式,降低电路与下层晶圆的成本。