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射频前端电路的集成化：SOI与GaAs工艺的对比与5G毫米波应用
5G通信技术快速发展，射频前端电路的集成化成为关键技术突破点。作为支撑高频段、高带宽通信的核心组件，射频前端模块的性能直接决定了信号传输质量与设备能效。SOI(绝缘体上硅)与GaAs(砷化镓)作为两种主流工艺，在5G毫米波应用中展现出差异化优势。本文将从工艺原理、电路设计、性能参数及典型应用场景展开对比分析。
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CMOS功率放大器厂商加紧挑战GaAs
全球研究与咨询公司Strategy Analytics日前发表了题为“功率放大器技术趋势：2008-2013”的报告，指出开发用于手机的CMOS功率放大器的厂商越来越多。 该报告
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利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA
在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低温冷却，但低噪声放大器的良好性能，提供了一种被实践所验证的可
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设计一款超低噪声的S频段放大器
工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性，甚至使人畏惧。不过，采用最新的GaAs(砷化镓)异质结FET，可以设计出有高
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基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关
0 引言PIN二极管广泛应用于限幅器、开关、衰减器、移相器等控制电路中。与MESFET和PHEMT器件相比较，PIN二极管具有插入损耗低、截止频率高、功率容量大的特点，特别适合于
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详解基于GaAs PIN二极管的宽带大功率单片单刀双掷开关
PIN二极管广泛应用于限幅器、开关、衰减器、移相器等控制电路中。与MESFET和PHEMT器件相比较，PIN二极管具有插入损耗低、截止频率高、功率容量大的特点，特别适合于制作性能
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研究人员发现降低GaAs电路成本的新方法
MIT研究人员发现一种用于大规模生产昂贵电路的新型「复制/贴上」方法，在制造上覆石墨稀的「供体」晶圆后，采用「沉积-剥离」的方式，降低电路与下层晶圆的成本。
