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CGD 获得3,200万美元融资，以推动在全球功率半导体领域的增长
2025年2月19日 英国剑桥- 氮化镓(GaN)功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金(BGF)、剑桥创新资本公司(CIC)、英国展望集团(Foresight Group)和 IQ Capital 的支持。
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使用GaN让大功率使用环境中的设备保持合适的温度
自从引入 USB-PD 规范及其演进以来，用于为从手机到笔记本电脑等日常电子设备供电的电源适配器的格局发生了巨大变化。虽然USB-PD确保了广泛的兼容性，但电源适配器设计变得更具挑战性：现在，电源适配器必须支持广泛的输出电压(与专用适配器的单一输出电压相反)。同时，最终用户对更轻、更小适配器的需求仍在继续。近年来引入了氮化镓功率开关来满足这些双重要求。
