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非常见问题解答第225期：原来为硅MOSFET设计的DC-DC控制器能否用来驱动GaNFET？
众所周知，GaNFET比较难驱动，如果使用原本用于驱动硅(Si) MOSFET的驱动器，可能需要额外增加保护元件。适当选择正确的驱动电压和一些小型保护电路，可以为四开关降压-升压控制器提供安全、一体化、高频率GaN驱动。
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利用集成型GaN FET实现效率和功率密度更大化
11月10日，TI正式宣布推出面向面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），与此同时并对TI的GaN FET技术进行了详细的剖析。
