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台积电 3nm 工艺良率 63%，正在追赶自家 4nm 良率
据 21ic 信息报道，台积电的第一代 3nm 工艺(N3)仍采用鳍式场效应晶体管架构制程工艺，在去年最后的几天在南科厂正式投入开始商业量产，随后产能在不断提升。有报道称已经量产了一个季度的台积电 3nm(N3)制程工艺目前的良率约为 63%，正在追赶自家 4nm 良率。
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FinFET晶体管尺寸的量化一直是主要挑战，并迫使高密度6T
存算一体化是指将传统以计算为中心的架构转变为以数据为中心的架构，它可以突破冯·诺伊曼架构下存算分离的瓶颈，直接利用存储器进行数据处理，从而把数据存储与计算融合在同一芯片中，极大提高计算并行度与能效比。
