台积电 3nm 工艺良率 63%，正在追赶自家 4nm 良率

据 21ic 信息报道，台积电的第一代 3nm 工艺(N3)仍采用鳍式场效应晶体管架构制程工艺，在去年最后的几天在南科厂正式投入开始商业量产，随后产能在不断提升。有报道称已经量产了一个季度的台积电 3nm(N3)制程工艺目前的良率约为 63%，正在追赶自家 4nm 良率。

3nm是目前半导体制程工艺的前沿之作，台积电选择将其放在南部科学工业园区而不是亚利桑那凤凰城，也向外界表明了先进制程留在中国台湾和不放弃大本营的原则。目前在代工领域最大的对手就是三星，三星的晶圆代工事业部之前就表示要在上半年率先量产出 3nm工艺。

台湾南部科学工业园区的台积电 18 厂就是本次 3nm 制程工艺的主要量产工厂，台积电最新的 3nm 制程工艺不仅是现阶段 5nm 制程工艺之后的一代全新制程，更是细分了多个节点工艺，比如 N3E、N3P 等。

根据台积电的财报数据，去年各制程的营收占比数据为：5nm 营收占比提升至 26%，7nm 营收占比则降至 27%，16nm 营收占比为 13%，28nm 营收占比为 10%，7nm 及以下先进制程占比已经达到了 53%。

台积电总裁魏哲家预计，在高性能计算和智能手机等应用的推动下，3nm 产品将在今年实现市场平稳增长，第二代 3nm(N3E)制程工艺将于今年第三季度量产，预估今年 N3+N3E 将合计贡献大约 5% 的营收。

据悉，台积电 3nm 首发客户目前只有苹果一家，高通、联发科、英伟达、AMD 等其他客户都认为报价太高，均表示并不急于推出 3nm 产品，至少要等到 2024 年下半年，由此也可推断今年上半年 N3 带给台积电的营收增幅并不会很多。

根据外媒的报道，目前 3nm(N3)制程工艺的良率相比于早投产的 4nm 还是有差距，但随着量产时间的延长，良率会逐渐攀升，未来有望达到甚至超过 4nm 工艺的水平。目前并不清楚三星 3nm 制程工艺的良率，但三星的 4nm 制程工艺良率有明显提升，缩小了和台积电的差距。

有市场分析师指出，预计今年下半年台积电 3nm(N3)制程工艺的良率和产能都将获得较大提升，但届时 3nm(N3E)可能也会准备就绪，这将使得在高性能计算、智能手机以及定制芯片等的客户可能会尝试台积电的 N3/N3E。

业内传闻台积电为了刺激客户使用其 3nm(N3 和 N3E)制程工艺，正在考虑降低该系列制程的报价，尤其是后者，因为该制程最多只使用 19 层 EUV光刻流程，制造复杂度略低，这也使得其成本较低，这将使得台积电可以在不损害获利能力的情况下进一步降低N3E制程的生产报价。此外，台积电称 N3/N3E 均有多家客户下单，量产的第一、第二年流片的数量是 5nm 同期的两倍以上。