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Firefox默认关闭Flash，Flash被集体宣判死刑！

Mozilla今天官方宣布，Firefox 84版本将在今年12月份发布，届时会彻底取消对于Flash的支持，不再运行相关内容。目前，Firefox浏览器也已默认关闭Flash，但需要的话仍然可以手动开启。 Google Chrome目前已经默认禁用Flash插件，用户需要手动开启，而且已经持续提醒用户，将在今年12月份彻底移除对于Flash的支持，相关内容将无法再显示。届时，Google搜索也将不再索引Flash内容。微软Edge改用Chromium内核之后与Google Chrome保持一致，也将在年底告别Flash，而经典版Edge、IE同样会遵循这一时间表。苹果Safar的测试版已经删除了Flash，正式版没有明确具体时间，但最迟也就是年底了，甚至可能更早，毕竟苹果一直很不喜欢Flash，可以说正是iPhone一诞生就不支持Flash，大大加速了其死亡。同时从10月份开始，Firefox Nightly内测版本就会先行移除Flash插件，然后过渡到正式版。两年前，Adobe就已经宣布将会放弃Flash，最迟在2020年底全部退役。各家浏览器也纷纷行动起来，淘汰Flash的行动如今已经进入最后阶段。

时间：2020-05-18 关键词： Flash firefox
FPGA的组成结构有哪些？你了解吗？

什么是FPGA ?它的器件结构组成有哪些? 1、可编程逻辑门阵列，由最小单元 LE 组成。 2、可编程输入输出单元 IOE。 3、嵌入式 RAM 块，为 M4K 块，每个的存储量为 4K，掉电丢失。 4、布线网络。 5、PLL 锁相环，EP4CE6E22C8N 最大的倍频至 250MHz，这也是该芯片的最大工作频率。 1、基于 SRAM 结构的 FPGA 目前最大的两个 FPGA 厂商 Altera 公司和 Xilinx 公司的 FPGA 产品都是基于 SRAM 工艺来实现的。这种工艺的优点是可以用较低的成本来实现较高的密度和较高的性能;缺点是掉电后 SRAM 会失去所有配置，导致每次上电都需要重新加载。重新加载需要外部的器件来实现，不仅增加了整个系统的成本，而且引入了不稳定因素。加载过程容易受外界干扰而导致加载失败，也容易受“监听”而破解加载文件的比特流。虽然基于 SRAM 结构的 FPGA 存在这些缺点，但是由于其实现成本低，被广泛应用在各个领域，尤其是民用产品方面。 2、基于反熔丝结构的 FPGA 目前 FPGA 厂商 Actel 公司的 FPGA 产品都是基于反熔丝结构的工艺来实现的，这种结构的 FPGA 只能编程一次，编程后和 ASIC 一样成为了固定逻辑器件。QuickLogic 公司也有类似的 FPGA 器件，主要面向军品级应用市场。这样的 FPGA 失去了反复可编程的灵活性，但是大大提高了系统的稳定性，这种结构的 FPGA 比较适合应用在环境苛刻的场合，如高振动、强电磁辐射等航空航天领域。同时，系统的保密性也得到了提高。这类 FPGA 因为上电后不需要从外部加载配置，所以上电后可以很快进入工作状态，即“瞬间上电”技术，这个特性可以满足一些对上电时间要求苛刻的系统。由于是固定逻辑，这种器件的功耗和体积也要低于 SRAM 结构的 FPGA。 3、基于 Flash 结构的 FPGA Flash 具备了反复擦写和掉电后内容非易失特性，因而基于 Flash 结构的 FPGA 同时具备了 SRAM 结构的灵活性和反融丝结构的可靠性。这种技术是最近几年发展起来的新型 FPGA 实现工艺，目前实现的成本还偏高，没有得到大规模的应用。从系统安全的角度来看，基于 Flash 结构的 FPGA 具有更高的安全性，硬件出错的几率更小，并能够通过公共网络实现安全性远程升级，经过现场处理即可实现产品的升级换代，该性能减少了现场解决问题所需的昂贵开销。基于 Flash 结构的 FPGA 在加电时没有像基于 SRAM 结构的 FPGA 那样大的瞬间高峰电流，并且基于 SRAM 结构的 FPGA 通常具有较高的静态功耗和动态功耗。因此，基于 SRAM 结构的 FPGA 功耗问题往往迫使系统设计者不得不增大系统供电电流，并使得整个设计变得更加复杂。以上就是FPGA器件的组成结构，希望能给大家帮助。

时间：2020-05-11 关键词： Flash sram 可编程逻辑
Sense Photonics推出Flash激光雷达开启了全固态深度传感的新时代

1 月 15 日讯，激光雷达公司 Sense Photonics 推出了首款用于高级驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶的模块化 Flash 激光雷达，名为 Osprey，该组件现在已经开放预订，售价为 3200 美元。据了解，Osprey 是 Sense Photonics 推出的第二款激光雷达。去年 10 月，该公司曾推出一款工业用固态 Flash 激光雷达系统，该系统提高了整个行业内的高分辨率数据输出性能标准。同年 6 月份，该公司在 A 轮融资中筹集了 2600 万美元。 Osprey 的出现是一个重要的汽车里程碑，开启了全固态深度传感的新时代。Osprey 的垂直视场角为 75 度，而且视野非常宽且密集，能够以高分辨率在道路边沿至地平线范围内探测目标。该激光雷达被设计成一个易于集成的模块包，结合了车用级近场传感器与 Sense Illuminator，后者是一个专有的 VCSEL 激光阵列，由数千个独立的激光元件组成。Sense Photonics 的汽车合作伙伴将利用 Osprey，测试和研发具有超高性能且成本低廉的下一代自动驾驶平台。 Sense Photonics 与一家主要的全球服务提供商合作可制造性设计，以确保 Osprey 的制造过程能够满足汽车行业在质量和可扩展性方面的预期要求。Sense Photonics 还在积极地与一些汽车合作伙伴合作，包括一家未公布名称的一级汽车供应商，多家汽车 OEM，重大的自动驾驶项目，以及德国半导体制造商英飞凌。

时间：2020-05-08 关键词： Flash 自动驾驶激光雷达
ARM-Linux开发与单片机开发的异同

ARM Linux程序的开发主要分为三类：应用程序开发、驱动程序开发、内核开发以及具有不同特征的不同类型的软件开发。 ARM-Linux应用开发和单片机开发的不同 ARM的应用开发主要有两种方式：一种是直接在ARM芯片上进行应用开发，不采用操作系统，也称为裸机编程，这种开发方式主要应用于一些低端的ARM芯片上，其开发过程非常类似单片机。另外一种是在ARM芯片上运行操作系统，对于硬件的操作需要编写相应的驱动程序，应用开发则是基于操作系统的，这种方式的嵌入式应用开发与单片机开发差异较大。ARM-Linux应用开发和单片机的开发主要有以下几点不同： (1)应用开发环境的硬件设备不同单片机：开发板，仿真器(调试器)，USB线; ARM-Linux：开发板，网线，串口线，SD卡; 对于ARM-Linux开发，通常是没有硬件的调试器的，尤其是在应用开发的过程中，很少使用硬件的调试器，程序的调试主要是通过串口进行调试的;但是需要说明的是，对于ARM芯片也是有硬件仿真器的，但通常用于裸机开发。 (2)程序下载方式不同单片机：仿真器(调试器)下载，或者是串口下载; ARM-Linux:串口下载、tftp网络下载、或者直接读写SD、MMC卡等存储设备，实现程序下载; 这个与开发环境的硬件设备是有直接关系的，由于没有硬件仿真器，故ARM-Linux开发时通常不采用仿真器下载;这样看似不方便，其实给ARM-Linux的应用开发提供了更多的下载方式。 (3)芯片的硬件资源不同单片机：通常是一个完整的计算机系统，包含片内RAM，片内FLASH，以及UART、I2C、AD、DA等各种外设; ARM：通常只有CPU，需要外部电路提供RAM以供ARM正常运行，外部电路提供FLASH、SD卡等存储系统映像，并通过外部电路实现各种外设功能。由于ARM芯片的处理能力很强，通过外部电路可以实现各种复杂的功能，其功能远远强于单片机。 (4)固件的存储位置不同单片机：通常具备片内flash存储器，固件程序通常存储在该区域，若固件较大则需要通过外部电路设计外部flash用于存储固件。 ARM-Linux: 由于其没有片内的flash, 并且需要运行操作系统，整个系统映像通常较大，故ARM-Linux开发的操作系统映像和应用通常存储在外部的MMC、SD卡上，或者采用SATA设备等。 (5)启动方式不同单片机：其结构简单，内部集成flash, 通常是芯片厂商在程序上电时加入固定的跳转指令，直接跳转到程序入口(通常在flash上);开发的应用程序通过编译器编译，采用专用下载工具直接下载到相应的地址空间;所以系统上电后直接运行到相应的程序入口，实现系统的启动。 ARM-Linux：由于采用ARM芯片，执行效率高，功能强大，外设相对丰富，是功能强大的计算机系统，并且需要运行操作系统，所以其启动方式和单片机有较大的差别，但是和家用计算机的启动方式基本相同。其启动一般包括BIOS，bootloader，内核启动，应用启动等阶段。

时间：2020-03-25 关键词： Flash 单片机 arm-linux
新增需求中国市场占50%

三星电子作为存储器大厂，同样受到数据中心的影响。2019年，数据中心需求在第四季度迅速增长，促使诸如SSD之类的相关存储器市场呈现供不应求状态。据集邦咨询数据，三星电子第四季度NAND Flash营收达到44.51亿美元，较上一季度增长11.6%。一大批存储器大厂被数据中心带动，利润上升。2019年第四季度，西部数据出货量季增24%，NAND Flash营收达18.38亿美元，较上季度增长12.6%。美光第四季度出货量增加近15%，平均销售单价亦小幅上升，整体营收较上季度增长18.1%，达14.22亿美元。 “从全球的半导体市场结构来看，计算机领域的市场份额占全球市场的1/3左右，消耗了全球45%左右的存储器。由于AI、云计算、自动驾驶等技术还未形成大规模的落地场景，数据中心需求逐渐成为支撑半导体产业发展的重要支柱。2020年，随着全球数据中心进入快速建设周期，服务器内存的需求增长有望达到20%，将成为半导体复苏的第一股势能。”赛迪顾问分析师吕芃浩对记者说。 “从2016年开始，数据中心的需求逐年增加。2019年，在全球竞争激烈的大背景下，服务器总出货情况受到了影响，但对于数据中心来说，需求依然是稳定的。目前，在此领域仍未见低迷的趋势。”集邦咨询分析师刘家豪对《中国电子报》记者说。 5G、AI助推发展，相关难题仍需克服 2019年，服务器市场增长放缓，但下半年开始，市场需求逐渐好转，数据中心成为驱动市场的主力。刘家豪预测，2020年数据中心主要成长来自Amazon Web Service(AWS)与Facebook，除亚太区新建数据中心需求外，租赁厂房的需求也逐渐攀升，成长仍超10%。放眼2020年，数据中心服务器市场需求力度将延续。随着2020年的到来，更多的创新技术、成熟技术将在数据中心中被采用。随着5G通信、人工智能的发展，数据中心将进一步加强新型服务于终端用户。康普企业网络北亚区副总裁陈岚认为，数据中心供应商已经看到了转型的必要性。2020年，5G等先进技术将首次应用于数据中心，而机器学习及其他AI技术的应用也将创造新的学习和工作方式，以此最大限度地提高员工生产力。这意味着，在新的一年中，数据中心供应商将有更多的机会发展和增强其现有业务，尽管要充分利用这些技术优势，至少还需要几年时间。目前，数据中心建设也面临一些压力。Xilinx 数据中心事业部产品营销副总裁Donna Yasay对记者表示，目前对于数据中心来说，联网危机是最大的压力之一。“数据中心网络流量爆炸性增长，大量计算资源浪费于联网，目前，80%以上的云服务器节点不提供接入，数据中心联网卸载很难实现。”Donna Yasay说。数据中心需要解决的正是建设周期长、能耗高、架构弹性和运维等方面的问题。“数据中心能耗问题，是当前有待解决的难题。目前，全球数据中心的耗电量约占总能耗的3%，节能减排和降低运营成本面临着巨大挑战。由于传统数据中心建设缓慢、初期投资成本大等弊端，急需数据中心实现模块化，使之具备快速部署、弹性扩容、运维简单、高效节能等特点。此外，早期的垂直架构资源无法共享，而且缺乏弹性，资源利用率低，无法满足云计算到边缘计算的需求，因此需要一种更加灵活和高效的方法来设计、构建、运行新的数据中心。”吕芃浩说。增速远超平均水平，中国市场容量将占全球30% 根据观研天下最新报告，由于移动互联网、物联网、大数据等互联网细分行业崛起，中国数据中心市场规模增速远高于全球平均水平，过去5年复合年增长率达到37.8%。未来5年，中国IDC市场规模将持续增长，预计2020年中国新增数据中心市场容量将占全球总增幅的50%左右，并有望在2022年达到美国现有存量规模。吕芃浩向记者介绍，推动中国数据中心企业发展有几个因素。首先，中国数据中心仍处于高速的建设发展时期，政府重视云计算、物联网、宽带和下一代网络的发展，给建设数据中心建设带来极大利好因素。其次，由于本次疫情爆发的影响，在线教育、远程医疗、视频会议等应用提供服务的云平台得到广泛推广，传统的人工模式也将朝向智能模式迈进，这无疑将推动未来数据中心和超算中心的快速发展。刘家豪认为，中国国内相关服务已经面临市场饱和。“目前来看，数据中心的成长，更多是来自以中国为核心向外拓展的海外市场的发展动能。然而，境外市场的导入与建设将会面临巨大的挑战，尤其相较于北美已深耕的全球性市场。”刘家豪说。

时间：2020-03-21 关键词： nand Flash
铠侠日本四日市晶圆厂发生火警，NAND Flash价格或上涨？

今（8）日消息，原名东芝存储器的铠侠（Kioxia）位于日本四日市的晶圆6厂传出火警。铠侠对客户发出通知，指2020年1月7日上午6点10分，该公司位于日本三重县四日市的Fab6工厂，内部设备发生火警，火势很快被扑灭，没有造成任何人员伤亡，相关的起火原因及工厂生产设备的损害状况，目前仍进行调查与统计中，等相关损害统计资料完成，若对客户的供货造成影响，将会在第一时间内通知。对于此次铠侠的晶圆厂发生火警，业界推测，因火灾发生在工厂的无室内，可能造成该无尘室短期内无法正常运作，对今年第一季NAND Flash的供货与价格恐多少会有影响。近段时间以来，全球存储产业意外不断。2019年12月31日，韩国三星电子于华城厂区也发生了短暂的跳电事件，导致部分NAND产线和DRAM产线生产暂停。损失或超过数百万美元。此外，2019年6月15日，铠侠位于日本三重县四日市的工厂，也在发生大约 13 分钟的跳电情况。当时包含 Fab2、Fab3、Fab4、Fab5 以及 Fab6 在内的全体厂区于皆受冲击，使得整个 NAND Flash 的供应链供货都受到了影响，而且时间长达一整季。随着这几次存储厂发生的意外，业界都普遍预料将使得 NAND Flash 的价格有进一步上涨的空间。

时间：2020-01-24 关键词： nand Flash
兆易创新与贸泽电子签署全球分销协议，支持现货即发

中国北京（2020年1月16日） — 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）今日宣布与领先的半导体和电子元件分销商贸泽电子（Mouser Electronics）签署全球分销协议。此次与贸泽电子达成战略合作关系，有助于进一步扩大兆易创新的SPI NOR、SPI NAND及Parallel NAND Flash等丰富产品线的覆盖范围和供货能力，从而更方便快捷地向全球设计工程师和采购者提供产品。兆易创新高可靠性的GD25 SPI NOR Flash具有从512Kb至1Gb不同容量的选择，可提供四种电压规格和多种封装形式，包括高达8 Mbit的业界最小USON封装（1.5 mm x 1.5 mm）和WLCSP封装。兆易创新GD5F SPI NAND和GD9F Parallel NAND产品采用1.8V和3.3V供电，可分别提供1Gb、2Gb、4Gb和8Gb的产品容量。NOR Flash和NAND Flash产品均为低功耗和高性能嵌入式应用而设计，例如工业、消费电子、物联网、移动、计算、网络及通信。兆易创新全系列SPI NOR Flash产品均已通过AEC-Q100标准认证，适用于汽车领域应用。兆易创新执行副总裁、存储器业务部门总经理舒清明先生表示：“贸泽电子不仅专注于快速向设计工程师和采购商推出新产品，还能够提供优质的客户服务。我们很高兴与贸泽电子携手合作，让全球客户能够更方便快捷地采购我们的创新型Flash产品。”

时间：2020-01-16 关键词： nand Flash 兆易创新 nor 贸泽电子
三星芯片进入寒冬，DRAM 合约价提前“小涨”

据悉，2020年第一季度DRAM合约价格预测，由原先的“大致持平”调整为“小涨”，价格正式提前翻转向上。据集邦咨询半导体研究中心最新调查，随着近一个月来 DRAM 现货价格持续走扬，加上 2019 年 12 月 31 号三星华城厂区发生跳电，虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品类别买方备货意愿进一步增强。对于三星来说，他们发布的四季度业绩指引，称运营利润将减少 34%至 60.9 亿美元;年利润减少 53%至 240 亿美元，创 2015 年最低，以及 10 年来最大降幅。此外，四季度营收下降 0.5%至 500 亿美元。三星电子表示，其第四季度营业利润降幅将小于预期，表明内存芯片价格触底反弹的速度快于此前分析师的预期。全球经济疲软抑制了数据中心客户的之处，内存芯片库存量上升影响了其价格，受此影响，此前持续繁荣了两年的内存芯片行业迎来寒冬，2018 年末开始，作为全世界规模最大的内存芯片制造商，三星芯片业务的经营一直处于挣扎。不过三星并不担心，因为芯片价格已经出现了反弹的势头，因此今年外界对于该行业的情绪较为乐观，预计市场对内存芯片需求今年将会回归。集邦咨询表示，在标准型内存方面，虽然第一季的价格仍在议定中，但集邦咨询预估持平甚至小涨的可能性高。之前在中美贸易关系的不确定性下，大部分销往美国的笔电都赶在 2019 年第四季度出货，导致 2020 年第一季度的出货较为疲弱。

时间：2020-01-13 关键词： DRAM 三星 nand Flash 内存芯片行业资讯
NOR Flash 供应吃不消，由于TWS 突然太过火爆

进入5G发展第二个年头，随着各应用需求的持续爆发，5G 智能手机 OLED 面板渗透率急速拉升，加上真无线蓝牙耳机(TWS)全球热销，已长达一年半时间持续供给过剩的 NOR Flash 市场，在 2019 年第四季达供需平衡，2020 年第一季已转为供不应求且第二季持续吃紧。据了解，2017 年以来，由于美光、Cypress 退出中低容量 NOR Flash 市场，NOR Flash 格局发生巨大的变化，旺宏、华邦、兆易创新等承接订单的转移，成长迅速。然而，自 2018 年 Q4 到 2019 年 Q1，受到贸易战、需求放缓等因素影响，NOR Flash 也同其他半导体器件一样景气度下降。此外，2019 年三季度以来，CIS 芯片大厂索尼、三星自有产线满载，并且索尼因订单太多还将部分图像传感器订单交给台积电生产。另外，豪威、格科微等订单供不应求令晶圆代工厂产能十分紧张。在这种形势下，晶圆代工厂下调了给予 NOR Flash 的产能。这些变化意味着，NOR Flash 尤其是中低容的产能趋于紧张。另外，TWS 耳机为了支援蓝牙 5.0 及主动降噪功能，每支耳机都要搭载 NOR Flash 来协助运算，例如苹果新一代 AirPods 搭载 128Mb NOR Flash 芯片，三星 TWS 耳机 Galaxy Buds 搭载了华邦电 64Mb NOR Flash 等。随着新一代 TWS 耳机持续推出且功能强力，搭载 NOR Flash 数量及容量都会出现倍增情况。而且，包括智慧家庭或智慧城市的各式物联网应用已经遍地开花，同样需要搭载 NOR Flash 协助连网及运算，例如先进驾驶辅助系统(ADAS)、5G 基地台或高速网路设备等，都要增加 NOR Flash 容量来储存 BIOS 或程序码，以提升安全性。但由供给端来看，包括华邦电、旺宏、美光等 IDM 厂近一年来并没有新增产能，只是透过制程微缩来增加产量，至于其它业者主要仰赖中芯、华虹宏力、武汉新芯等晶圆代工厂提供产能。但近期可提供 NOR Flash 代工的 50/60nm 产能已供不应求，2020 年第四季以前无法增加投片，所以上半年 NOR Flash 供给吃紧已无可避免。业界近期传出，半导体业者已通知将调涨 NOR Flash 价格消息，2020 年第一季涨幅约在 5～10%之间，第二季因逐步进入手机备货旺季，价格预期还会续涨。

时间：2020-01-13 关键词： Flash nor tws耳机行业资讯 cis芯片
NAND Flash 价格迎来冰点，价格能否回升

根据外媒报道，NAND Flash 价格去年跌到今年，第三季初虽然出现短暂止跌回升，但 11 月报价又跌回第二季末低点，包括三星、美光等上游原厂第三季获利大幅下滑。不过，下半年智慧型手机销售成绩不差，固态硬碟(SSD)价格下跌后刺激出终端需求，NAND Flash 下游库存水位大幅降低，为涨价带来新契机。上游原厂为了改善获利，普遍认为 NAND Flash 价格已跌无可跌，在原厂严控供货且涨价态度强硬情况下，近期包括记忆卡、SSD、嵌入式 eMMC/eMCP 等现货价全面上涨，NAND 晶圆及颗粒价格同步调涨，涨势可望延续到明年第一季。法人看好群联(8299)、威刚(3260)、宜鼎(5289)等业者直接受惠。 NAND Flash 概念族群 11 月营收表现差强人意，群联公告 11 月合併营收月减 6.7%达 43.81 亿元，较去年同期成长 23.3%。宜鼎 11 月合併营收月减 18.4%达 5.98 亿元，较去年同期减少 10.8%。威刚因 SSD 出货放量，11 月合併营收月增 18.5%达 25.10 亿元，较去年同期成长 7.8%。法人看好 12 月 NAND Flash 价格调涨后，将为模组业者带来营收及获利成长动能，且明年第一季将淡季不淡。 NAND Flash 因供过于求价格跌跌不休，以 NAND 晶圆现货价换算 256Gb TLC 颗粒现货均价来看，今年初约在 2.43 美元，一路跌到 7 月初 1.80 美元低点后出现反弹，8 月初价格回升至 2.29 美元，但又一路跌到 11 月中旬的 2.00 美元，12 月以来又回涨至 2.13 美元。也因此，包括三星、美光、SK 海力士等记忆体厂第三季 NAND Flash 事业利润大幅衰退，威腾(WD)及恺侠(Kioxia，原日本东芝记忆体)更出现严重亏损。由于下半年 NAND Flash 需求不错，搭载 256GB 以上高容量智慧型手机销售畅旺，SSD 更因价格下跌而刺激出强劲买气，第四季资料中心伺服器进入旺季，SSD 需求更是明显提升。也因此，包括通路商、模组厂、系统厂等下游库存明显去化，也让上游原厂决定透过涨价来改善获利能力。据业界消息，三星、美光等一线大厂已决定涨价，并严格控制对下游的供货量，威腾及恺侠也传出锁货消息，至于英特尔已对系统客户表达第一季要调涨企业用 SSD 价格消息。上游原厂涨价态度坚决，而且预期涨势将延续到明年第一季，的确带动下游出现回补库存需求，不仅 NAND 晶圆价格回升，近期包括记忆卡、随身碟、eMMC/eMCP、SSD 等 NAND Flash 产品价格自 12 月以来亦全面上涨。

时间：2019-12-13 关键词：三星 nand 美光 Flash 行业资讯
存储产业竞争激烈，中国存储产业机会何在？

通常来说,元年是用来指某个事物或事件开始发生的时间。如果说 2016 年(晋华集成、合肥长鑫和长江存储，中国大陆三大存储器公司相继成立)是中国大陆存储器产业发展的元年。那 2019 年随着本土存储企业在 3D NAND Flash、DRAM 等部分的相继投产，可谓是中国大陆公司全面进军存储器市场的元年。回想 2019 年半导体行业关键词，“存储”一定是其中绕不开的选项。存储器依照特点不同可分为众多类别，其中半导体存储器采用电能存储，是目前应用最多的存储器类别。依照断电后是否还能保留数据，可分为“易失性(VM)：RAM、T-RAM ” 与 “非易失性(NVM)：ROM、NVRAM ” 存储两大类。目前市场上最重要的存储器为 DRAM 存储器和 Flash 闪存芯片。DRAM(动态随机存储器)是最常见的系统内存，其性能出色但断电易失，成本较同级别易失性存储器更低，因此是是最常见的系统内存;Flash(闪存芯片)是应用最广的非易失性存储，由于断电非易失性，因此主要用在大容量存储领域。 DRAM：DRAM 只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM 使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。相比 SRAM，DRAM 保留数据的时间较短，速度也相对较慢，但从价格上来说 DRAM 价格较 SRAM 便宜很多，且由于技术区别，DRAM 体积小、集成度高、功耗低，同时其速度比 ROM 快，因此被广泛应用。 Flash：从特点来看，Flash 结合了 ROM 和 RAM 的长处，不仅具备电子可擦除可编程性能，且断电不会丢失数据，虽然读取速度不及 DRAM 但依旧比较快，同时其成本较 DRAM 大幅下降。从分类来看，Flash 主要有 NOR 和 NAND 两种，区别在于存储单元连接方式不同，导致两者读取方式不同。 NOR Flash 目前以串行为主，具有 XIP 特性，但成本较高，主要占据小容量市场。NOR Flash 分为串行和并行，串行由于接口简单、更轻薄小巧、功耗和系统总体成本更低，因此虽然读取速度不及并行 NOR Flash，但已成为主要系统方案商的首选;从特点来看，NOR 以“字”为基本单位，可以直接运行装载在 NOR Flash 里面的代码(XIP)。NOR 相比 NAND 成本较高，且写入速度慢，因此主要用于功能手机、DVD、TV、USB Key、机顶盒、物联网设备等小容量代码闪存领域，其占据容量为 0~16MBFlash 市场的大部分份额。 NAND Flash 较 NOR Flash 单位容量成本更低，因此多用于大容量存储。NAND Flash 以块为基本单位，成本较 NOR 低，写入与读取速度都比较快，但用户不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板另需一块 NOR Flash 来运行启动代码。由于 NAND Flash 低成本高写入和擦除速度等特点，、因此主要用在大容量存储领域，如嵌入式系统(非 PC 系统)的 DOC(芯片磁盘)和常用的闪盘，如手机、平板电脑、U 盘、固态硬盘等。由于篇幅有限、重点不一。本文仅对占据半导体存储市场主要份额的 DRAM 和 NAND Flash 进行梳理和介绍。国际存储大厂何时唱罢? 长远看，全球存储器呈现高增长特性，存储芯片作为半导体产品，占比集成电路产值近 30%，受摩尔定律的支配，整体行业技术发展极快。随着 5G、物联网(IoT)、边缘计算、人工智能等技术的发展，推动了数据的爆发式的增长。根据 IDC 预测，到 2025 年，全球物联网设备数将达到 416 亿台，而整个智能联网设备的数量将会达到 1500 亿台，而数量如此庞大的设备接入网络，无疑将产生海量的数据。在技术进步推动下，存储器下游产品容量需求提升迅速以及新兴应用市场不断被开辟，将直接推动以 DRAM 和 NAND Flash 为代表的存储芯片产业快速的发展。存储器行业又具有周期波动特性，从历史表现上看，存储器行业总是处于交替出现的涨跌循环之中，暴涨暴跌的情况可谓常态。就目前产业现状而言，全球内存产业产出量年增长率为 12%，是近十年来最低水平，处于行业周期下行阶段。内存市场供大于求，内存价格历经了长达一年半的下跌，导致各内存大厂对于资本支出保守和工艺转进趋缓，想借由产出的控制，以期明年市场从现在的供过于求往供需平衡迈进。 ·DRAM 市场纵观 DRAM 近几十年的发展史可以发现，全球 DRAM 产业经历过两次转移，第一次是上世纪 80 年代的美日间转移，第二次是 90 年代日韩间转移。伴随产业转移，市场多次兼并重组，企业数从 90 年代的十几家锐减至 5 家左右，随后奇梦达和尔必达破产被并购，DRAM 行业进入三寡头垄断格局。三星电子依托韩国政府背后的支持，在行业低谷期多次利用“反周期”定律，加剧行业亏损，迫使同行业企业破产，最终牢牢占据行业头把交椅。据 TrendForce 的统计显示，三星市场占有率达到 43.9%、SK 海力士排名第二为 29.5%、美光位列第三，市场占有率为 23.5%，三者合计市占率超过 96%。三寡头 DRAM 概况：三星：DRAM 产品有 4 个厂，自 2016 年 10 月全数转为 12 寸产线，2017 年产能月产 39.5 万片。今年三星有意扩产在平泽厂 2 楼 DRAM 产能，包括西翼楼 2 楼扩充每月 2 万片 1x 纳米产能，在东翼楼 2 楼每月扩充 6.5 万片 1y 纳米产能，目前已于上半年完成第一阶段每月增产 3.5 万片，但因为 1y 纳米的微缩难度比预期高，无法有效降低单位生产成本，所以 Q3 扩增 3 万片月产能计划已暂缓，后续再视情况启动。 SK 海力士：源于韩国现代科技，世界第二大 DRAM 制造商。公司目前在韩国有 1 条 8 英寸晶圆生产线和 2 条 12 英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条 8 英寸生产线，在中国无锡有一条 12 英寸生产线，在台湾也有产线，并和台湾茂德有长期合作，同时在欧洲有研发中心。SK 海力士于 2015 年建成 M14 新制造中心，M15 正在韩国清州建设中，目前 M16 计划在京畿道利川市的总部建造。SK 海力士整体月产能约 300-305 千片。美光：半导体制造厂分布在美国，中国，日本等全球各地。近年来美光通过并购尔必达、瑞晶，整合华亚科产能，大幅提升自身产能接近 90%，目前美光 DRAM 产能大约为 34 万片 / 月，主要分布在 Fab11(华亚科代工)、Fab15(尔必达)、Fab16(瑞晶)和 Fab6，除 Fab16 还有 1~2 万片的空间外，其余扩产空间不大。 ·NAND 市场根据 TrendForce 的统计显示，2018 年全球 NAND Flash 前五强分别为：三星(35%)、铠侠(19.2%)、西部数据(14.9%)、美光科技(12.9%)和 SK 海力士(10.6%)，前五大厂商一共拿下了 92.6%的市场，如果再加上第六的英特尔，占比将超过 99%。在 NAND Flash 市场，三星、SK 海力士均已宣布新一代 128 层 3D TLC NAND 已开始量产或送样，2020 年西部数据、铠侠、美光等 128 层 3D NAND 也将面世，英特尔甚至将在 2020 年推出 144 层 QLC NAND，同业者之间的竞争如火如荼。三星：延续在服务器、移动设备等高容量产品的优势，随着 Intel 新平台以及下半年多款旗舰机陆续推出，三星第三季出货较第二季成长逾 10%，库存水位于第三季达到平稳，平均销售单价跌幅则收敛至 5%以内，营收达到 39.87 亿美元，较第二季成长 5.9%。从产能分析，三星仍照原计划逐季缩减 Line12 的 2D NAND 产品，并在持续转进新制程的同时，维持相同的 3D NAND 投片规模。在新产能方面，西安二期仍依规划于 2020 年上半年投产，而平泽二厂预定明年下半年开始营运。铠侠：尽管受到厂区跳电事件影响，但受惠于旺季需求拉升以及苹果新机备货的需求的带动下，出货仍较前一季成长逾 20%，但由于平均销售单价下跌约 5%，使得整体营收来到 22.27 亿美元，季成长 14.3%。从产能方面观察，跳电厂区虽已恢复全线营运，但已影响其今年产品产出，增长低于其他竞争者。在 2020 年规划方面，岩手县 K1 厂已于 10 月竣工，预计最快在 2020 年上半年提供产出，有助于位元产出的市场占比回到之前水平。西部数据：在旺季需求推动下，西数第三季出货增约 9%，而平均销售单价也因铠侠厂区跳电事件以及需求增加而止跌，带动第三季营收达 16.32 亿美元，较上季成长 8.4%。从产能规划来看，铠侠厂区跳电后，产线于七月中旬起逐渐恢复，关于产能损失的最新说法为 4 Exabytes。而在新产线的部分，西数第三季在岩手县 K1 厂投资达 6,400 万美元，预计 2020 年起提供 BiCS4 或更先进制程的产出。美光：基于移动设备出货成长以及客户端备货需求涌现，美光第三季 NAND Flash 营收较上季成长 4.7%，达 15.3 亿美元。在位元出货方面，由于 7、8 月有客户转单，本季成长逾 10%，但平均销售单价季度跌幅仍逾 5%。在产能方面，美光于八月宣布新加坡新厂正式投入营运，将对转进新制程结构有助益，至于其他在新加坡以及 Manassas 的产能则未有太多变化。 SK 海力士：在第二季出货大幅成长 40%后，SK Hynix 第三季出货稍微放缓，季减 1%，但受惠于价格逐渐稳定以及 Wafer 产品销售比重下降，平均销售单价较前一季上涨 4%，使得整体 NAND Flash 营收达 11.46 亿美元，季成长 3.5%。以产能规划而言，受到 2D NAND 产能缩减影响，今年 SK Hynix 整体产能呈现逐季递减，而主流的 3D NAND 则小幅扩产，新增产能主要设于 M15。上文提到，DRAM 和 NAND 市场正处于周期性波动的下行阶段。因此，行业厂商不仅要面对产业周期性变化带来的利润下降，DRAM 和 NAND Flash 技术的推进也使得企业投入的资金增加，获利变得更加艰难。随着内存价格的触底，以及对 2020 年市场需求的看好，近期内存行情开始出现转机，多应用市场内存产品价格逐渐上涨。同时，随着中国芯片国产化进程的加速，新晋者的加入，战局再度升温。对于三星、SK 海力士、美光等存储大厂而言，一定程度上将刺激在存储战略布局上加快步伐，力图在下一波存储行情上行之前，提高技术研发水平，稳固市场地位，响应存储市场周期性变化，提高企业获利的能力。中国存储企业何时登场? 根据中国海关总署公布的数据显示，2018 全年，中国进口集成电路进口总金额高达 3120.58 亿美元。其中，存储器进口金额就高达 1230.83 亿美元(进口金额同比增长 1188.99%)，占总进口额的 39.4%。数据显示，2018 年全球半导体市场规模已达 4779.4 亿美元，其中全球存储芯片市场规模大概在 1700 亿美元。也就是说，粗略的估算，2018 年中国的存储器进口金额占 2018 年全球半导体市场的 25.8%，占全球存储芯片产值的 72.4%。显然，我国作为全球最大的存储芯片消耗国，如果无法实现存储芯片的自主的话，那么则意味着关键命脉被掌握在国外厂商手中。而且，存储芯片是数据的最重要的载体，关乎到各行各业的信息数据的安全。所幸的是，随着国产存储厂商长江存储、长鑫存储的相继量产，国外厂商对于存储芯片的垄断开始被打破。 2016 年是中国大陆存储器产业发展的元年，福建晋华集成、合肥长鑫存储和武汉长江存储分别成立于 2 月 26 日、6 月 13 日、7 月 26 日，短短 5 个月，中国大陆三大存储器公司相继成立。而 2019 年可谓是中国大陆公司全面进军存储器市场的元年。首先是长江存储 32 层 3D NAND Flash 进入量产阶段，接着在 9 月 2 日宣布 64 层 3D NAND Flash 投产;然后是 9 月 20 日合肥长鑫宣布中国大陆第一座 12 英寸 DRAM 工厂投产，并宣布首个 19 纳米工艺制造的 8Gb DDR4。三年时间，中国相继攻克了 3D NAND Flash 和 DRAM 技术，解决了大陆存储器有无的问题。下一步要解决的是良率提升、产能爬坡以及下一代技术的研发等问题。国产 NAND Flash 领域的突破 ·长江存储 2016 年 7 月，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建成立国产存储领域的“航母”——长江存储。据统计，长江存储总投资约 1600 亿美元。其中紫光集团占股 51.04%。长江存储采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，已于 2017 年研制成功了中国第一颗 3D NAND 闪存芯片。而随着 2018 年长江存储的 32 层 NAND Flash 的量产，国产闪存芯片终于实现了重大突破。不过，由于该技术与国际主流技术相差较大，所以并不会影响到市场。直到今年 9 月长江存储正式宣布量产基于自研的 Xtacking 架构的 64 层 256Gb TLC 3D NAND Flash 的量产，逐渐能够对目前的中低端市场形成争夺。 Xtacking 架构其中值得一提的是，据长江存储介绍，该 64 层 256Gb TLC 3D NAND Flash 闪存满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，与目前业界已上市的 64/72 层 3D NAND 闪存相比，其拥有同代产品中更高存储密度。产能方面，长江存储武汉厂目前的产能大概在 2 万片 / 月的产能。根据规划，2020 年底长江存储的 64 层 3D NAND 闪存的产能有望提升至 6 万片晶圆 / 月的规模。2020 年，长江存储会跳过 96 层堆栈直接杀向 128 层堆栈，力求进一步缩短与三星、东芝等公司的差距。此外，为了扩充产能，2018 年 10 月 12 日，总投资达 240 亿美元的紫光成都存储器制造基地项目开工，该项目将建设 12 英寸 3D NAND Flash 晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。据预计，长江存储成都厂将于 2020 年二季度投产，届时可能会有 0.5 万片 / 月的产能，到 2020 年四季度产能可爬升到 2 万片 / 月。届时整个长江存储的 3D NAND Flash 的产能将达到 8 万片 / 月，在整个全球 3D NAND Flash 产能当中的占比达到 4.6%，已经是与英特尔的 8.5 万片 / 月的产能相接近。在技术演进上，在今年顺利量产 64 层 3D NAND Flash 之后，长江存储会跳过 96 层堆栈直接杀向 128 层堆栈，这也意味着，2020 年长江存储将会全力进行 128 层 3D NAND Flash 的研发。据集邦咨询预计，长江存储有望在 2021 年初实现 128 层 TLC 3D NAND Flash 的量产。相信随着长江存储产能和技术的进一步发展和成熟，将进一步缩短与三星、SK 海力士、东芝等公司之间的差距。 ·兆易创新 2005 年兆易创新成立，以 SRAM 起家，后续陆续量产不同制程的 NOR Flash 产品，此外，兆易创新在 NAND 方面也早已开始布局，2013 年 3 月全球首颗 SPI NAND Flash 量产，采用 WSON8 封装。目前，兆易创新 NOR Flash 在开发的有 55 纳米、45 纳米，而 NAND 也在从 38 纳米推向 24 纳米。国产 DRAM 领域的突围 ·长鑫存储长鑫存储成立于 2016 年，通过与奇梦达的合作将一千多万份有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB 数据收归囊中，成为了长鑫存储最初的 DRAM 技术来源之一。经过数年的研发，2019 年 9 月 19 日合肥长鑫存储正式宣布自主研发的基于 19nm 工艺制造的 8Gb DDR4 芯片正式量产。根据规划，长鑫存储合肥 12 英寸晶圆厂分为三期，第一期满载产能为 12 万片，预计分为三个阶段执行，第一阶段要完成单月 4 万片，目前为 2 万片，2020 年第一季底达到 4 万片。2020 年开始规划建设二期项目，并于 2021 年完成 17nm 工艺的 DRAM 研发。从目前长鑫存储的现状及规划来看，其产能仍十分有限，与全球前三的厂商明年所能达到的月产能超过 130 万片晶圆的投片量相比，仍存在较大差距。但是，随着长鑫存储技术及产能的持续提升，未来仍有希望在全球 DRAM 市场占据重要一席之地。 ·紫光集团除了长鑫存储之外，紫光集团今年 6 月 30 日宣布，决定组建紫光集团 DRAM 事业群，全力加速发展国产内存。今年 8 月底，紫光集团又跟重庆市政府签署投资协议，宣布在重庆建设 DRAM 事业群总部及内存芯片工厂，预计今年底动工。有消息称，紫光计划在 2021 年实现 DRAM 芯片的量产。资料显示，紫光集团早在 2015 年就开始布局 DRAM，先是延揽高启全加入紫光集团，同时紫光国微又收购了奇梦达公司成立紫光国芯(原西安华芯)。从紫光国微的年报披露情况看，该团队的 DRAM 产品销售收入每年约在 5~6 亿人民币之间，其产品自行设计，在境外代工。此外，2015 年，紫光集团还试图通过收购美光进入 DRAM 和 3D NAND 领域，但收购美光受到美国政府的阻击，未能如愿以偿。可以看到，紫光集团想要进入 DRAM 领域预谋已久。 ·福建晋华福建晋华成立于 2016 年，是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的集成电路生产企业，晋华项目已列入国家 “十三五(2016～2020 年) ”集成电路生产力规划的重要布局中，并且获得国家专项建设基金支持，也就是来自福建省安芯产业投资基金的投资。该基金目标规模为 500 亿人民币。 2017 年 11 月，由联电与福建晋华集成电路公司合作的 12 寸随机存取存储器(DRAM)生产线主厂房正式封顶。该 FAB 主厂房，面积达 27.4 万平方米，原计划于 2018 年下半年投入使用。根据规划，福建晋华的制造技术工作主要交由联电进行，整体晋华项目的第 1 期，总计将投入 53 亿美元，于 2018 年第 3 季正式投产，届时导入 32 纳米制程的 12 寸晶圆月产能，预计达到 6 万片的规模。公司目标最终推出 20 纳米产品，规划到 2025 年四期建成月产能 24 万片。然而，理想很美好，现实很骨感。由于福建晋华和美光之间的诉讼，美国当地时间 10 月 29 日，美国将福建晋华列入了出口管制的实体清单。两天之后，联电也宣布暂停为福建晋华提供研发协助。至此福建晋华的 DRAM 几乎陷入停滞。据了解，当时福建晋华已有 200 台的半导体设备到位，并且计划在年底进行小量投片试产，预计 2019 年初可以几千片的规模进入投产，即将要成为国产第一家量产 DRAM 芯片的厂商。然而由于美方的禁令，使得很多相关设备和技术供应商停止了支持。不过，近日有晋华高层在活动中现身表示，目前福建晋华仍在低调运作当中。虽然美系供应商中断了合作，但是晋华并未坐以待毙，而是转向了日韩供应商，继续去推动整个项目的运作，预计明年会有一些成果。 DRAM、NAND 之外，其它存储器其他存储器类型还包括 SRAM(易失性存储)和几种 ROM(非易失性存储)、FRAM、MRAM、RRAM 等，但目前市场普及度都比较低。随着 5G、汽车电子、物联网等新兴技术的发展，终端需求的转变，开始寻求多种新型存储介质和存储解决方案。近几年来国内也对 STT-MRAM、PCRAM(相变存储器)、RRAM(阻变存储器)、FRAM、MRAM、等新一代存储芯片技术进行研究来扩充国内企业在存储芯片行业的技术储备，虽然距离产业化有一定距离，但基础技术的储备能够使得国内存储芯片企业在面对下一次存储器技术变革时把握机遇，提前做一些准备。存储控制器在存储领域中，除了存储芯片之外，存储控制芯片也是一种极其重要的芯片，该芯片是 CPU 与存储器之间数据交换的中介，决定了存储器最大容量、存取速度等多个重要参数。特别是在 AI、5G、自动驾驶时代，对于数据处理及存储速度要求越来越高，控制芯片性能直接影响着计算能力，其重要性不言而喻。近年来，存储控制器作为内存产业的核心技术之一，在内存产业的发展过程中，其关键性地位更是与日俱增。随着全球半导体产业的迁移，国内涌现出了大批存储控制器芯片厂商，在硬盘(HDD)控制器、存储卡控制器、UFD 控制器、SSD 控制器、桥接控制器逐步实现自主化，并在向高阶控制器方向发展。对此，笔者对国内存储控制芯片领域代表厂商做一下简单梳理： ·国科微国科微电子股份有限公司成立于 2008 年，致力于智能机顶盒、智能监控、存储、物联网等领域大规模集成电路及解决方案开发。 2015 年，国科微成功研发 GK21 系列高端固态存储控制器芯片;2016 年率先推出支持国密算法的 GK23 系列与 GK81 系列固态存储控制器芯片;2019 年发布国内首款全国产固态硬盘控制芯片 GK2302，搭载龙芯嵌入式 CPU IP 核，成为真正实现全国产化的固态硬盘控制芯片，存储容量最高可达 4TB，满足绝大多数政府和企业办公需求。 ·忆芯科技北京忆芯科技有限公司于 2015 年底正式成立，技术团队由业界 IC 专家和资深工程师组成，业务方向覆盖消费级和企业级 SSD 主控芯片，以及从端到云一站式存储方案。其自主研发的高性能低功耗 NVMe SSD 主控 STAR1000 已量产出货，全新一代高性能低功耗 NVMe SSD 主控 STAR1000P 于 2019 年推向市场。 ·联芸科技杭州联芸科技成立于 2014 年，公司以数据存储控制、信息安全、SoC 芯片为核心研发方向，是目前国际上为数不多掌握闪存控制核心技术的企业之一。联芸科技率先实现了国内首款 40 纳米固态硬盘(SSD)主控芯片、NAND 颗粒自适配、高性能 LDPC 纠错技术以及高性能、高稳定性、低功耗的 SSD 固态硬盘解决方案。代表产品：MAXIO's 固态硬盘主控芯片。 ·得一微电子深圳市得一微电子成立于 2017 年，由硅格半导体(成立于 2007)与立而鼎科技(成立于 2015)两家公司合并而成，专注于消费级和企业级固态存储控制芯片设计和服务，掌握了业界多项关键技术，拥有多项国内外核心发明专利。公司具备成熟的存储控制芯片设计流程，在产品定义、技术整合、构架创新、固件支持等方面不断突破，2019 年已经完成了从消费级到企业级布局，产品覆盖入门消费级、高端消费级乃至企业级固态硬盘的全系列控制器。通过持续化的技术创新、专业化的技术支持、一站式的服务，得一微电子帮助客户实现从 Assembly(装配)、Production(生产)到 QC(质量控制)等环节的服务，实现更快的设计周期、更高的资源利用效率、更可靠的存储系统。主要产品有 PCIe SSD Controller、SATA SSD Controller、UFS Controller、eMMC Controller、USB Controller、SD Controller 以及 Security Storage Controller。 ·华澜微电子杭州华澜微电子股份有限公司成立于 2011 年，专业从事数据存储和信息安全的核心技术研究，提供数据存储和信息安全领域的集成电路芯片和技术方案，是我国唯一全系列拥有数码存储控制器芯片的高科技公司。公司积累和掌握了 IEEE 1394、SD/MMC/eMMC、USB、IDE/SATA、PCIe 等高速接口技术，建立起了固态硬盘多核并行、模块阵列等多个先进架构。存储产品覆盖了存储卡、USB 盘、固态硬盘系列。通过并购了美国 initio (晶量)公司的桥接(Bridge)芯片产品线，形成了 initio Bridge 芯片系列。代表产品：S68X 系列固态存储控制器芯片。 ·深圳大心电子深圳大心电子成立于 2014 年底，专注于固态硬盘的技术研发与设计。在 NVMe 控制器，LDPC 错误更正，以及固件支持上，有着领先业界的技术，已获得多项专利。Orion 系列芯片，于 2016 下半年导入量产。 2019 年 1 月推出最新一代的 PCIe SSD 主控芯片 Libra EP280，目标定位在高阶消费类、数据中心、及入门企业级的应用。 ·华存电子江苏华存电子成立于 2017 年，是江苏省南通市第一家高阶存储产品主控设计公司，致力于提升国内存储控制器和存储产品自制技术能力。 2018 年 11 月，华存电子发布自研嵌入式 40 纳米工规级存储芯片 HC5001 及应用存储解决方案。支持第 5.1 版内嵌式存储器标淮(eMMC5.1)、支持立体结构闪存材料(3D TLC NAND Flash)、支持随机读出写入闪存高稳定度效能算法(FTL)、支持高速闪存接口(ONFI3.2/ToggIe2.0)、支持高可靠度低密度奇偶校验码纠错验算法(LDPC)，以及 40nm 工艺制程满足了高效能低功耗工规级别 eMMC 嵌入式存储装置需求。 ·兆芯电子合肥兆芯电子成立于 2015 年，主要从事闪存芯片相关的 eMMC、SSD 等控制芯片以及整机系统的设计研发和销售，专精于内嵌式储存装置(Embedded)、固态储存装置及保密性存储器相关技术的应用。合肥兆芯电子拥有 USB&Memory Card、SSD Drive、SSD Module、SSD Mobile Embedded、eMMC 的成熟团队，争创 USB 随身碟、SD 记忆卡、eMMC、PATA 与 SATA 固态磁盘等控制芯片领域的领头者。 ·江波龙电子深圳市江波龙电子成立于 1999 年，是一家聚焦 NAND 闪存应用和存储芯片定制、存储软件开发的中国存储企业，旗下拥有深耕行业应用的嵌入式存储品牌 FORESEE 和高端消费类存储品牌 Lexar 雷克沙。秉承 DMS(Design、Module、Service)特色服务体系，江波龙电子持续为全球用户提供高质量的存储创新产品。江波龙电子致力于顺应市场需求进行产品研发，为客户提供广泛的、高性能、创新性的闪存应用产品和解决方案。凭借在自主研发、IC 固件设计、封装基板设计和全面品质管理等方面的实力，为客户提供有竞争力的存储产品，并不断扩展 NAND 闪存产品的应用范围。 ·海思据了解，华为海思也拥有 SSD 控制器芯片，不过主要用于公司内部的服务器和数据中心产品，并不对外界市场进行销售，据传言其产品性能十分良好。本土存储产业的机遇和挑战通过上述内容可以看到，国际大厂仍占据存储市场主要地位，那么本土厂商存在哪些机遇和挑战? 笔者认为，本土存储企业面临以下机遇和挑战：机遇 ·日韩贸易争端，韩国存储企业受此牵连，给了本土企业更多追赶的利好; ·存储市场供过于求，处于下行周期，国际大厂保守发展之际，本土厂商正是加速研发，趁机追赶的时机; ·国内产业政策投资持续加码，推出了一系列政策加强对信息安全的把控，而“芯片国产化”就是具体表现方式之一。从芯片国产化具体的实施过程中，存储器行业成为了国家投资的重要方向; ·中国庞大内需市场优势，目前已成为全球最大集成电路消费市场，存储器作为我国集成电路产业中占比最大的领域之一，势必会在我国信息产业发展中扮演极为重要的角色，而云计算、物联网、大数据等领域的布局，集成电路相关政策的发布，更是为存储器产业发展奠定了市场、政策等基础。挑战 ·身处存储产业，则存储市场疲软在某方面是机遇，但也是挑战; ·国际存储厂商呈垄断局面，市场占比对本土企业来讲是挑战所在; ·技术、工艺、性能、专利壁垒等方面均存在不小差距和挑战，本土厂商还需突破。结语存储产业发展情形已如上所述，结语不再过多赘述。在半导体产业推动之下，过去几十年中，存储行业玩家你方唱罢我登场。几经行业周期变换之中，韩国存储大厂何时唱罢?中国存储企业何时登场? 这一疑问被扔进产业的旋涡洪流中，盘旋起伏。

时间：2019-12-12 关键词： DRAM Flash 嵌入式处理器存储产
HOLTEK新推出 HT68FB541 USB RGB LED MCU

Holtek特别为RGB全彩流光游戏鼠标的应用推出Flash MCU HT68FB541，最大特点为不需外加晶体管，以大电流驱动I/O直推并整合矩阵扫描方式，可达到同时驱动8颗RGB LED与8个按键扫描。为实现全彩流光鼠标需求，HT68FB541特别加大RGB LED驱动电流，135mA的大电流输出足够驱动2组8颗RGB LED并联显示，高达2kHz的RGB LED高扫描频率，使RGB LED亮度高且不闪烁，有极佳的显示效果。具弹性的SPI接口灵活的配合不同鼠标感应器进行数据传输，有效地提高了此IC的性价比。HT68FB541包含USB Full Speed接口、4K×16程序内存、256×8 RAM、64×8 True EEPROM及SPI×1，提供24-pin SSOP封装，可满足全彩流光鼠标应用的需求。延续HT66FB5x0 & HT68FB5x0系列，HT68FB541支持ISP在线韧体更新。

时间：2019-11-01 关键词： MCU Flash ht68fb541
嵌入式的核心ARM 的构架过程

ARM处理器广泛使用在嵌入式系统设计，低耗电节能，非常适用移动通讯领域。消费性电子产品，例如可携式装置(PDA、移动电话、多媒体播放器、掌上型电子游戏，和计算机)，电脑外设(硬盘、桌上型路由器)，甚至导弹的弹载计算机等军用设施。启动架构是嵌入式系统的关键技术。掌握启动架构对于了解嵌入式系统的运行原理有着重要的意义。嵌入式系统在启动时，引导代码、操作系统的运行和应用程序的加载主要有两种架构，一种是直接从 Nor Flash 启动的架构，另一种是直接从 Nand Flash 启动的架构。需要注意的是，在嵌入式系统启动引导的过程中会有多种情况出现，如 vxWorks 的启动代码 BootRom 就有压缩和非压缩，驻留和非驻留方式之分，而操作系统本身也多以压缩映象方式存储，所以启动代码在执行和加载过程中需要根据不同的情况，作出相应的处理。 1 从 Nor Flash 启动 Nor Flash 具有芯片内执行(XIP，eXecute In Place)的特点，在嵌入式系统中常做为存放启动代码的首选。从 Nor Flash 启动的架构又可细分为只使用 Nor Flash 的启动架构和 Nor Flash 与 Nand Flash 配合使用的启动架构。图 5 给出了这两种启动架构的原理框图。 1.1 单独使用 Nor Flash 在该架构中，引导代码、操作系统和应用代码共存于同一块 Nor Flash 中。系统上电后，引导代码首先在 Nor Flash 中执行，然后把操作系统和应用代码加载到速度更高的 SDRAM 中运行。另一种可行的架构是，在 Nor Flash 中执行引导代码和操作系统，而只将应用代码加载到 SDRAM 中执行。该架构充分利用了 Nor Flash 芯片内执行的特点，可有效提升系统性能。不足在于随着操作系统和应用代码容量的增加，需要更大容量昂贵的 Nor Flash 来支撑。 1.2 Nor Flash 和 Nand Flash 配合使用 Nor Flash 的单独使用对于代码量较大的应用程序会增加产品的成本投入，一种的改进的方式是采用 Nor Flash 和 Nand Flash 配合使用的架构。在该架构中附加了一块 Nand Flash，Nor Flash(2M 或 4M)中存放启动代码和操作系统(操作系统可以根据代码量的大小选择存放于 Nor Flash 或者 Nand Flash)，而 Nand Flash 中存放应用代码，根据存放的应用代码量的大小可以对 Nand Flash 容量做出相应的改变。系统上电后，引导代码直接在 Nor Flash 中执行，把 Nand Flash 中的操作系统和应用代码加载到速度更高的 SDRAM 中执行。也可以在 Nor Flash 中执行引导代码和操作系统，而只将 Nand Flash 中的应用代码加载到 SDRAM 中执行。该架构是当前嵌入式系统中运用最广泛的启动架构之一。 1.3 从 Nand Flash 启动有些处理器如 SamSung 公司的 arm920T 系列处理器 S3C2410 支持从 Nand Flash 启动的模式，它的工作原理是将 NandFlash 中存储的前 4KB 代码装入一个称为 Steppingstone(BootSRAM)的地址中，然后开始执行该段引导代码，从而完成对操作系统和应用程序的加载。该方式需要处理器内部有 NAND 控制器，同时还要提供一定大小额外的 SRAM 空间，有一定的使用局限性，在实际开发中较少使用。

时间：2019-10-16 关键词： ARM 嵌入式嵌入式开发 Flash
网页小游戏时代终结：微软也宣布将停止支持Flash插件

在移动互联网还没有兴起的多年之前，上网几乎都要依赖一根网线和一台电脑，对于一台新电脑来说，较慢的宽带速度使得短时间内下载、游玩大型游戏几乎是不可能。因此对于从那个时代过来的孩子来说，网页Flash小游戏几乎是人人都玩过的东西。因此也催生了诸如4399、7k7k等耳熟能详的小游戏网站。类似这些网页小游戏网站多数是依赖Flash插件的，不过随着移动互联网的兴起，以及HTML等技术的出现，Flash插件的功能也就被渐渐取代了。早在2017年，Adobe官方就宣布将会在2020年停止Chrome等Web端的Flash更新，也算是官方宣布Flash插件的“死亡”了。现在每次打开谷歌Chrome浏览器时，在书签栏下方都会弹出“自2020年12月开始，Flash Player将不再受支持”的字样，预示着谷歌已经确认不会再支持Flash插件。在近日微软也发布公告称，旗下的浏览器也会在2020年12月之前完全移除Flash插件，无论是现在的Edge还是IE，以及之后将会推出的Chromium内核的新版Edge浏览器。目前在谷歌Chrome浏览器中，已经会默认关闭Flash插件，用户可以手动开启，或者设置对部分网站的信任。目前国内的多数视频网站也会默认采用HTML5播放器来播放视频内容，Flash存在的意义已经不大。无论如何，网页小游戏的时代已经终结了，类似4399等小游戏网站也必然要迎来转型。当下移动互联网已经崛起，5G也正在飞速赶来，当年的痛点在未来可能根本不是事。网页小游戏最终也只会成为我们一代人的回忆了。

时间：2019-09-20 关键词：浏览器 Flash 网页游戏
Adobe宣布在2020年彻底停止Flash更新 Web端使用率从80%锐减到17%

Chrome用户在近日会收到有关“Flash将停止服务”的信息推送，Adobe官方表示，将于2020年底，彻底停止Chrome等Web端服务更新。 Chrome在同时表示，也将彻底移除Flash在其浏览器上的应用。这意味Flash的时代已接近结束，Html5等Web端技术逐渐取代其地位。以下为原文翻译：今天，Adobe宣布计划在2020年底停止支持Flash。 20年来，Flash帮助塑造了你在网上玩游戏、看视频和运行应用程序的方式。但在过去几年里，Flash变得不那么常见了。三年前，80%的桌面Chrome用户每天都会访问一个带有Flash的网站。今天的使用量只有17%，而且还在继续下降。这一趋势表明，网站正在转向开放的web技术，这种技术比Flash更快、更省电。他们也更安全，所以你可以更安全的购物，银行，或阅读敏感文件。它们也适用于手机和台式机，所以你可以在任何地方访问你喜欢的网站。去年年底，当网站开始需要你的许可才能运行Flash时，这些开放的网络技术成为Chrome的默认体验。Chrome将在未来几年继续逐步淘汰Flash，首先要征得你的许可，让你在更多的情况下运行Flash，最终在默认情况下禁用它。到2020年底，我们将彻底移除Chrome的Flash。如果您现在经常访问使用Flash的站点，您可能会想知道这将如何影响您。如果站点迁移到开放web标准，除了不再看到在该站点上运行Flash的提示之外，您不应该注意到有什么不同。如果该网站继续使用Flash，并且您允许该网站运行Flash，那么它将一直运行到2020年底。它与Adobe、其他浏览器和主要出版商进行了大量密切合作，以确保web已经准备好实现无flash。我们支持Adobe今天的声明，并期待与所有人一起使web变得更好。

时间：2019-09-16 关键词： Flash adobe web端
满足汽车与工业应用的功能安全要求

工业系统通常控制工人附近的流程或机械设备。这使得工业系统安全至关重要，工业系统的故障会对系统附近的人员和财产造成严重后果。因此，我们通常将这些系统设计成单个故障不会构成危险。为了实现这一目标，他们经常在硬件和软件中实现众多与安全相关的功能。虽然大多数安全功能确实是在系统级实现的，但安全关键型系统能够从组件级实现中受益，而组件级实现有助于系统级实现。Flash组件中实现的安全功能使MPU/MCU和SPI总线无需定期读取Flash内容，从而确定其内容的完整性(参见汽车与工业应用的功能安全性)。与众多半导体产品一样，NOR Flash已经从其最初的狭窄应用范围演变为带有额外的逻辑IP和固件的处理器核，为系统设计师提供高级功能。与NAND Flash相比，NOR Flash使用相对较大的存储单元，以提供高耐用性和较长的数据保留时间。结合字节寻址架构，NOR Flash理想适用于启动代码，包括就地执行系统和交易数据。工厂自动化等应用需要Flash存储器在性能、可靠性和故障安全操作方面进行优化。本文介绍了当今NOR Flash设备中最具影响力的功能安全特性，这些特性专为安全关键型应用而设计。1.纠错码(ECC)：存储器可能会遇到软错误或硬错误。硬错误一旦出现就是永久性的。它是由硅中缺陷、受扰瑕疵点或封装的金属化因为老化、振动或环境压力引起的。软错误是由带电粒子、辐射或宇宙射线引起的。当闪存单元受此类错误影响时，读取的数据将被破坏并可能影响应用的功能。NOR Flash器件通过在存储器阵列编程期间生成嵌入式ECC来支持单错校正双错检测(SECDED)。随后，该ECC用于在读取操作期间进行错误检测和校正。2.数据CRC：此外，为功能安全应用设计的NOR Flash也实现了数据CRC功能。它在用户定义的地址范围内执行循环冗余校验(CRC)计算。CRC进程计算从起始地址到结束地址所包含的数据的检查值，来检测系统启动期间或每个用户命令中的任何故障。3.接口CRC：现代NOR Flash器件是高频存储器，支持高达200MHz的双倍数据速率。原始数据可能由于噪声信道或发送器、接收器或两者引入的错误而被破坏。为了使系统安全运行，主机和从设备之间通信的一个最关键的方面是确保传输信息的完整性。专为功能安全应用而设计的NOR Flash具有接口CRC，这是一种设备用错误检测代码，用于检测主机和存储器之间数据传输过程中的意外故障。4.SafeBoot-启动故障恢复：众多工业应用使用NOR Flash来存储启动期间使用的代码。如果NOR Flash设备本身无法正确启动，那么就可能无法正确地实现各自应用的初始化。为了防止出现这种情况，NOR Flash将保持忙碌状态或在启动故障时通过状态寄存器报告启动故障。5.配置数据损坏：在非易失性配置寄存器更新期间发生断电或硬件重置，意味着用于配置设备的非易失性配置数据可能已被破坏。NOR Flash能够检测到已损坏的配置，并进入可以访问设备的默认模式。6.高级扇区保护(ASP)：如果主机发送的编程/擦除交易中的位由于噪声信道或随机故障而发生更改，那么Flash设备可能会对不正确的扇区执行操作，这可能会导致系统操作故障。NOR Flash可实现扇区保护功能，保护任意扇区免受意外编程和擦除操作的影响。7.扇区擦除功率损耗检测：在传统的Flash设备中，如果在系统执行扇区擦除操作时发生电源故障，系统仍然不知道相应扇区擦除操作的状态。这在需要功能安全的应用中可能存在问题。针对这些应用优化的NOR Flash为每个扇区可实现擦除功率损耗指示器，以在扇区擦除期间标记断电事件。8.安全重置：在Flash设备停止对主机/系统做出响应的情况下，安全重置功能可以初始化SPI Flash硬件重置，这与使用现有的SPI信号的设备操作状态无关：芯片选择(CS#)、串行时钟(CK)和串行输入(SI/DQ0)。9.耐用性/保留分区：所有闪存都会受到物理降解的影响，最终可能导致设备故障。某些工业功能需要高耐用性，而其他功能需要在Flash设备中具备较高的数据保留，较低的数据保留或耐用性可能会影响系统功能。通过耐用性/保留分区(例如在赛普拉斯的EnduraFlex架构中所实现的那样)，可以将单个NOR Flash分成多个分区，每个分区都独立配置，以实现高耐用性或较长保留。对于频繁的数据写入，可以将分区配置成为512Mb密度部件提供高达128万个编程擦除周期，并为1Gb部件提供256万个周期。对于代码与配置存储，可以将分区配置为保留数据25年。与NAND Flash相比，NOR Flash在存储引导、应用代码以及应用数据方面更受欢迎。NOR Flash产品种类繁多。选择专为功能安全应用而设计的NOR Flash可提供架构优势，并有助于加速实现系统级功能安全。

时间：2019-09-09 关键词： crc Flash 工业系统
Teledyne e2v发布新的CMOS传感器系列，专为3D激光三角测量法应用而设计

法国格勒诺布尔,Sept.03,2019(GLOBE NEWSWIRE)--Teledyne e2v，Teledyne Technologies旗下的全球成像解决方案创新公司，宣布推出其Flash CMOS图像传感器系列，该系列专为3D激光轮廓分析/位移分析应用和高速、高分辨率检测量身定制。新款Flash传感器采用6μm CMOS全局快门像素，有效地结合了高分辨率和高帧率。提供4k或2k水平解析度，畫面播放速率各為1800fps和1500fps(8位元)，對應的讀出速度分別是61.4Gbps和25.6Gbps(市面上最佳的Gbps/價格比)。感測器使用適合標準光學格式的µPGA陶瓷包裝，在4k中有類似APS的光學格式，在2k中則為C型底座。新型传感器旨在为相机制造商提供简单且性价比高的方案整合，并内建广泛的功能应用，包括：·高达100dB的高动态范围，能有效检测出强反射面和暗部区域·多个感兴趣区域模式，可在高度测量中提供剖析速率和范围/分辨率之间的理想折衷·帧到帧“热”改变模式，可根据自身需求，灵活并且实时修改某些参数(曝光时间、像素合并、ROI、翻转和转换时间)·不同的触发模式，使客户可以根据生产线的速度进行调整Flash图像传感器在传感器级别提供各种衍生产品，因此客户可以区别应对特定的应用挑战。示例包括多种操作模式，这些模式在帧速率、功耗和位数之间进行权衡，通过利用水平像素合并提高帧速率，并且能够最佳地拟合特定应用所需的Scheimpflug角度。Teledyne e2v 3D营销经理Yoann Lochardet说：“我们非常高兴宣布推出全新的Flash系列CMOS传感器。在开发这些传感器之前，我们仔细聆听了行业领先企业的要求。这些新型传感器具有针对3D激光三角测量应用的一系列特性，包括：高分辨率、极高的帧速率、极高的读出速度、HDR功能和大量附加功能。所有这些功能使我们的客户可以解决3D激光轮廓分析/位移分析中最具挑战性的应用需求，例如质量控制和3D测量。”Flash 2K和Flash 4K的评估套件和样品现已准备就绪。请访问产品页面或联系我们了解更多信息。

时间：2019-09-04 关键词： cmos 传感器 Flash
我看好FLASH技术的原因

我看好FLASH技术的原因作者：沧海冷心一、FLASH文件的流式、图形化、文件精悍、易编程等特点。由于它短小精悍，又是流媒体格式，并且已经被现在的互联网发扬光大了，它无疑将成为下一代手机网络客户端上必不可少的一个元素。随着科技的日新月异，我们将可以用手机浏览各个www站点，并且FLASH是最不需要客户端支持的、可编程的娱乐文件格式。无论是动画还是游戏，FLASH将是未来手机的一个热点，也许它的游戏可以和JAVA竞争也说不定。二、FLASH MEDIA SERVER（以下简称FMS）的出现。Macromedia Flash Media Server 2 软件将传统的流媒体功能与灵活的开发环境结合起来, 为最广泛的群体创建和提供创新的、交互式媒体应用，支持点播视频、视频协作等。其实这些都不是重点。FMS的出现代表了FLASH从一个独立的流媒体最终文件向服务器客户端模式转变。以后可能会出现更强大功能的SERVER，甚至开发者可以自定义SERVER。而且手机的主存、媒体性能在迅速发展，这样，FLASH网游甚至FLASH手机网游就成为了可能。三、FLASH的跨平台性。FLASH是基于浏览器插件的，由ADOBE提供。无论你用微软的WINDOWS平台，还是苹果的MAC OSX平台，甚至是LINUX平台，只要你有浏览器，只要你的浏览器支持ADOBE提供的FLASH PLAYER插件，那任何FLASH程序文件都可以在你的电脑上运行。其实这个机制和JAVA虚拟机差不多。但是FLASH的优势很明显——它的图形能力绝对是最棒的。现在学FLASH的人也很多，大部分人比较偏重图形方面，也许是学它的人大多是美工职业的原因吧。不过我觉得它的精髓部分在于ACTION SCRIPT的编程，以后它的脚本功能和扩展库引擎会越来越多的，并且现在网上已经有一些FLASH 3D引擎的雏形了，说不定以后的3D设计游戏就在IE上玩了呢。所以现在认真努力学好FLASH的技术，以后自身的发展并不会比.net和JAVA差，也许还会更好，毕竟未来是互联网的时代——手机、电脑、家电、汽车，甚至人类，这些一起互联。以此文鼓励自己发奋学习FLASH技术。

时间：2019-09-02 关键词： Flash server
HOLTEK新推出HT45F5Q-3充电器MCU

Holtek针对充电器装置应用领域，全新推出HT45F5Q-3充电器专用Flash MCU，相较传统方案，HT45F5Q-3内建两组OPA及12-bit/14-bit DAC，达到充电器可控制多组恒流/恒压充电，搭配HT45F5Q-x系列充电器量产工装校正平台，将校正数据存在内部Emulated EEPROM，量产更快、更有效率也使电压与电流精准度都可达到±1%。HT45F5Q-3具有4Kx15 PROM、256×8 RAM，在I/O方面具有23个多功能引脚。12-bit多信道ADC，用以量测电压、温度等讯号，另提供一组20倍OPA，将电流讯号放大，降低电流侦测电阻的电阻值，增加电流判断精准度，提高转换效率。HT45F5Q-3内建CRC与UART/SPI/I2C三种通讯接口，并具备自检测机制等功能，可使其符合多种安规需求。在封装方面，HT45F5Q-3提供24-pin、28-pin SSOP两种封装。Holtek后续将推出HT45F5Q-x系列充电器开发平台，仅需简单选取充电电压/电流等规格，即可产生含有标准充电流程的程序，简化开发流程。

时间：2019-08-27 关键词： MCU Flash 充电器装置
3D NAND 闪存高密度发展，未来将走向何方？

3D NAND Flash Memory(3D NAND Flash，3D NAND 闪存)的高密度发展正如火如荼地进行着。通过增加存储单元(Memory Cell)在垂直方向上的堆叠(3D堆叠)数量(Word Line的堆叠数)，3D NAND闪存的高密度化、大容量化已经基本得以实现。通过融合3D堆叠技术、多值存储技术(在1个存储单元上存储多个bit的技术)，获得了具有较大存储容量的Silicon Die(硅芯片)。存储容量达到1Tbit以上、较大的3D NAND Flash Memory的开发事例。笔者根据各家公布的数据进行汇总的。(图片出自：pc.watch) 在产品等级中最先进的3D NAND闪存最大可以把1Tbit或者1.33Tbit的庞大数据存储到1颗Silicon Die(硅芯片)上。比方说，通过融合Samsung Electronics的把Word Line(字线)的堆叠数做到了64层(Intel和Micron Technology通过合作也做到了64层)的技术、1个存储单元上存储了4bit数据的QLC(Quadruple-Level Cell)技术，获得了1Tbit的存储容量。此外，东芝Memory&Western Digital合作，融合字线的堆叠数做到了96层的技术和QLC技术，开发了达到1.33Tbit这一巨大容量的硅芯片。此处的1.33Tbit，在当今存储半导体业界属于全球最高值! 当前也正在开发Word Line(字线)堆叠数为128的3D NAND 闪存。SK Hynix在2019年6月公布，要通过利用128层的制造技术、每个存储单元上有3bit数据的TLC(Triple-Level Cell)技术，开发单个硅芯片的存储容量为1Tbit的3D NAND闪存。这是TLC技术方面最大的存储容量! 存储容量在过去20年扩到了1,000倍回望过去，以往的“平面型NAND(Planer NAND，2D NAND)”闪存主要通过微缩技术使存储容量扩大到128Gbit，多值存储方式采用的是MLC(2bit/cell)技术和TLC技术。 3D NAND 闪存技术的实用化以128Gbit为开端，256Gbit以上的存储容量被3D NAND“独霸”!多值存储方式采用的是TLC技术，后来QLC技术也被采用。 ▼大容量化的进展首发的1Tbit超级芯片(#13.1 东芝存储、Western Digital) NAND闪存的大容量化进展(国际学会ISSCC上公布的硅芯片)。(图片出自：国际学会SSCC执行委员会于2018年11月向媒体公布的资料。) NAND闪存的存储密度(按照硅的面积来计算的存储容量)在2001年以后，以每年1.41倍的速度增大，相当于3年扩大了4倍的存储容量!令人震惊的是2019年依旧在延续这一增长速度! ▼闪存集成密度的趋势 NAND闪存存储密度的推移(国际学会ISSCC上公布的硅芯片)。(图片出自：国际学会SSCC执行委员会于2018年11月向媒体公布的资料。) 但是，时至今日，担忧3D NAND闪存未来的呼声出现在了存储半导体的研发团体(Community)里。担忧的内容大致分为2类。其一，至此，牵引存储半导体大容量化的字线层数，在不久的将来其发展会出现“钝化”，或者说其发展会达到极限。其二，QLC方式下的多值存储技术是否会达到极限?存储单元的Bit数是否会出现无法再增加的情况? Samsung公开谈到300多层的3D NAND闪存 2019年8月6日，大型NAND厂家相继公布了消除以上担忧的Road Map(产品路线图)和技术要素。今年8月6日，最大的NAND厂商Samsung Electronics公布开始量产SSD，此款SSD搭载了通过单堆栈(Single Stack)形成了136层Memory Through Hole(存储过孔)的256Gbit 3D NAND闪存。所谓136层的Memory Through Hole(存储过孔)，在层数方面是历史最高值。除去Source Line、Dummy Word Line，存储单元(Memory Cell Storing)的字线层数为110-120。此次发布中，应该关注的是他们提到的通过堆叠3个136层的单堆栈(Single Stack)，最终可以堆叠300多层的的存储单元(Memory Cell)。最大厂商Samsung表示了如此强势的观点，着实罕见。虽然还未明确300层的开发时间，不过应该已经着手研发了。之前东芝Memory 提到过通过Memory Through Hole(存储过孔)技术可能提高字线堆叠数。在2017年5月的国际学会IMW上，东芝提到可以实现200层的2Tbit/Die。2017年5月时间点，3D NAND闪存技术的字线堆叠数最大达到64层!我们迎来了在此基础上增加3倍的Road Map(产品路线图)! 第二年(2018年)的8月，在闪存半导体的行业大会FMS(Flash Memory Summit)上，SK Hynix表示，200层不过是一个过渡期，最终实现500层也是可能的!虽然没有公布单个Silicon Die的存储容量，从以往的趋势来看，应该是可以做到4Tbit/Die的堆叠数。而且，今年(2019年)的8月6日，SK Hynix在FMS(Flash Memory Summit)上做了主题演讲(Key Note)，演讲中很强势地提到了其Road Map(产品路线图)：2020年176层、2025年500层以上、2030年800层以上。所谓的800层，理论上，是实现了8Tbit/Die的堆叠数。也就是说，用1个芯片(Single Die)就可以获得1TB! SK Hynix在FMS(Flash Memory Summit)上做的主题演讲(Key Note)中展示的其Road Map(产品路线图)。(图片出自：笔者摄影，下同) 多值存储终于实现了5bit/cell 8月6日，又发生了令人震惊的事情!东芝存储半导体在FMS的主题演讲中表示，提高3D NAND闪存的存储密度的2个技术要素。其一，就是多值存储技术。东芝表示，正在开发在一个存储单元(Memory Cell)上存储5bit数据的“PLC技术”。据说，主题演讲的听众当时颇受震惊! 以往的多值存储方式多采用的是一个存储单元(Memory Cell)上存储4bit的数据的QLC(Quadruple-Level Cell)技术。在QLC技术中，1个存储单元中写入了15个等级的阈值电压。相邻的阈值电压的差很小，很难调整。因此，在多值存储方式下，QLC技术达到了极限。然而，东芝存储半导体却打破了这一认知，并展示了1个存储单元中写入31个等级的阈值电压时的实验结果。与东芝共同开发的合作伙伴Western Digital也展示了包含5bit/cell的多值存储的幻灯片。另外，把QLC改为PLC(注：笔者认为，P应该是“penta”的缩写)，存储密度可以提高25%以上。存储密度提高2倍的终极手段另一种技术是，通过将存储单元(Memory Cell)的字线(Word Line)分割一半，使每个Memory Through Hole(存储过孔)的存储单元(Memory Cell)数量增加2倍。很明显生产将会变得十分困难，从理论上看，具有存储密度会增加2倍的优点。东芝在主题演讲中，展示了将字线分割一半的Charge Trap(CT)型的单元(Cell)和Floating Gate(FG)型的单元(Cell)的试做断面的观察图像。 3D NAND闪存的大型厂商的开发热情似乎一点儿也没有降低，超多层、多值存储、存储单元的分割等，毫无疑问任何一项都是非同一般的高难度技术，即便如此，也要硬着头干下去，或许就是这个行业特征!

时间：2019-08-13 关键词： nand 闪存 Flash 3d 存储容量行业资讯