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国产化叠层电容工艺的失效机理与可靠性研究
通过对国产运算放大器的一项失效分析研究,揭示了由于工艺变更引起的叠层 MIS电容短路是导致器件失效的主要原因。在低电场条件下,电容表现正常,但在高电场条件下,由于 Fowler-Nordheim 隧穿效应,热电子碰撞引发的缺陷积累最终导致了电容的短路失效。通过 Sentaurus TCAD 仿真分析,验证了界面掺杂原子浓度差异对氧化层生长速率的影响,并提出了相应的工艺改进建议,进而提升国产芯片的可靠性。
通过对国产运算放大器的一项失效分析研究,揭示了由于工艺变更引起的叠层 MIS电容短路是导致器件失效的主要原因。在低电场条件下,电容表现正常,但在高电场条件下,由于 Fowler-Nordheim 隧穿效应,热电子碰撞引发的缺陷积累最终导致了电容的短路失效。通过 Sentaurus TCAD 仿真分析,验证了界面掺杂原子浓度差异对氧化层生长速率的影响,并提出了相应的工艺改进建议,进而提升国产芯片的可靠性。
