基于 0. 18μm 工艺设计并实现了一款用于超高频植入式 RFID 芯 片的 温 度 传 感 器 。该 温 度 传 感 器 将 MOS管 作 为感温元件 ,采用基于亚阈值 MOS管的低功耗感温核 心 。传感器利用 PTAT 和 CTAT 两种电压延时器构成脉宽产生电 路 ,从而生成脉宽信号 ,并与时间数字转换器(TDC) 一起构成温度量化电路 。核心电路的版图面积为 298μm×261μm,测温范 围 为 35~ 45 ℃ 。 流 片测 试 结 果 表 明 , 三 颗 芯 片在 两 点 校 准 后 的 测 温 最 大 误 差为 ± 0. 4 ℃ , 关 键 温 区 的 最 大 误 差为 ±0. 2 ℃ , 实测功耗为 623 nW 。基于流片实测结果 ,发现了当前芯片的局限性 ,并提出 了 未来芯片结构的改进方向 。
宇航元器件选用是航天任务中的重要环节 , 空间环境复杂苛刻 ,对宇航用元器件的可靠性和性能要求极高 。传统 的元器件选用方法通常依赖于专家经验和单一指标评估 ,难以全面考虑元器件之间的复杂关 联 和 多维 度 性 能 指 标 。 复 杂网络理论的发展为元器件选用提供了一种新的思路 ,特别是社区检测算法 , 可以帮助识别元器件之间的隐含关系和群 体特征 ,从而优化选用过程 , 实现宇航元器件精准 、快速 、高效 、灵活的选用 。本文介绍了 基 于 复 杂 网 络 社 区 检 测 算 法 的 元器件选用推荐方法 ,提出了基于模块度优化的进化算法 。该算法引入了基于节点相似度的最大生成树编码方法 ,还引 入了一种生成初始种群的新方法和一种基于正弦的 自适应变异函数 , 并将其用于两个元器件 选 用 网 络 。该 算 法 有 效 地 检测 出 了元器件选用网络中的社区结构 , 实现了元器件的智能选用 。
通过对国产运算放大器的一项失效分析研究,揭示了由于工艺变更引起的叠层 MIS电容短路是导致器件失效的主要原因。在低电场条件下,电容表现正常,但在高电场条件下,由于 Fowler-Nordheim 隧穿效应,热电子碰撞引发的缺陷积累最终导致了电容的短路失效。通过 Sentaurus TCAD 仿真分析,验证了界面掺杂原子浓度差异对氧化层生长速率的影响,并提出了相应的工艺改进建议,进而提升国产芯片的可靠性。
随着高功率微波技术的发展 ,超宽带 、高功率等强电磁技术对电子化设备威胁越来越大 ,使用高 功率微波摧毁电子信息装备成为了干扰通信系统的重要方式 。 对高功率微波的防护主要分为前 门防护和后门防护 , 限幅器作为前门防护的重要微波器件也面临越来越高的要求 。本文首先介绍 了 GaN材料及肖特基二极管的器件特点和性能优势 , 然后论文介绍了以半导体器件为基础的限幅器原理及电路结构 ,并对以 GaN 肖特基二极管为基础的新一代大功率微波限幅技术研究进展进行论述 。
