关于新一代100 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）解析
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eGaN®FET实现98%效率、250 W/48 V的DC/DC解决方案，用于超薄且有高密度的计算应用
eGaN FET与硅功率器件比拼之六：隔离型PoE-PSE转换器
EPC eGaN®技术在性能及成本上实现质的飞跃
EPC于CES 2017展览展示 基于eGaN技术的应用可以改变我们的生活方式
EPC推出面向扩增实景和全自动驾驶汽车应用的eGaN FET
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GJB 138-1986 军用汽车发动机试验方法
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