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[导读]在生活中,你可能接触过各种各样的电子产品,那么你可能并不知道它的一些组成部分,比如它可能含有的氮化镓场效应晶体管,那么接下来让小编带领大家一起学习氮化镓场效应晶体管。

在生活中,你可能接触过各种各样的电子产品,那么你可能并不知道它的一些组成部分,比如它可能含有的氮化镓场效应晶体管,那么接下来让小编带领大家一起学习氮化镓场效应晶体管。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出用于48VDC/DC转换的EPC9148和EPC9153演示板。EPC9153是一款250W超薄电源模块,采用简单且低成本的同步降压配置,峰值效率高达98.2%,元件的最大厚度为6.5毫米。EPC9148使用多电平拓扑结构,元件的最大厚度小于4毫米,峰值效率为98%。

氮化镓场效应晶体管与传统硅器件的工作原理相同,除了有几方面是例外,如最重要的差异是前者的最大栅极电压为6 V。

该两款演示板集成了Microchip公司的dsPIC33CK数字信号控制器(DSC)和EPC公司最新一代100V氮化镓场效应晶体管,具有超薄外形尺寸,在12.5A时,实现超过98%的效率。由于Microchip数字控制器具有高灵活性,因此允许在44V~60V范围内调节输入电压,而输出电压在5V~20V范围内。

为了实现氮化镓场效应晶体管的最高性能,我们建议使用4 V至5 V的驱动器.

EPC9148多电平转换器缩小了支持磁性元件的模块尺寸,同时在紧凑的解决方案中,实现高效率。EPC9148演示板的亮点之一是采用WürthElektronik的超薄功率电感器,从而实现具有超高功率密度的设计。

由于氮化镓器件具较低的最高栅极电压,因此建议使用可调控电压的栅极驱动电路,以确保安全操作。

EPC9153演示板提供简单且低成本的同步降压配置,从而使元件可以实现纤薄的最大厚度、98.2%的峰值效率和在20V输出时,上升温度少于40°C。eGaNFET凭借其快速的开关性能,提高整体效率,而它的芯片级占位面积使其易于散热,从而实现紧凑型设计所需的低上升温度。

由于具备高频、低导通阻抗及低封装寄生电感等性能,因此氮化镓场效应晶体管具有目前硅(Si)技术所不能拥有的性能潜力。此外,也由于氮化镓器件具备更高的开关速度及更低封装寄生电感,印刷电路板的版图会影响转换器的性能。

EPC公司应用工程副总裁MichaeldeRooij说:“计算机、显示器、智能电话和其它消费电子系统变得越来越纤薄,功能却越来越强大。我们很高兴与MicrochipTechnology和WürthElektronik合作,开发超薄且高效的解决方案,以应对在有限的空间和体积内取得更高的功率的挑战。”

相信通过阅读上面的内容,大家对氮化镓场效应晶体管有了初步的了解,同时也希望大家在学习过程中,做好总结,这样才能不断提升自己的设计水平。

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