当前位置:首页 > 电源 > 电源
[导读]在生活中,你可能接触过各种各样的电子产品,那么你可能并不知道它的一些组成部分,比如它可能含有的氮化镓场效应晶体管,那么接下来让小编带领大家一起学习氮化镓场效应晶体管。

在生活中,你可能接触过各种各样的电子产品,那么你可能并不知道它的一些组成部分,比如它可能含有的氮化镓场效应晶体管,那么接下来让小编带领大家一起学习氮化镓场效应晶体管。

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出用于48VDC/DC转换的EPC9148和EPC9153演示板。EPC9153是一款250W超薄电源模块,采用简单且低成本的同步降压配置,峰值效率高达98.2%,元件的最大厚度为6.5毫米。EPC9148使用多电平拓扑结构,元件的最大厚度小于4毫米,峰值效率为98%。

氮化镓场效应晶体管与传统硅器件的工作原理相同,除了有几方面是例外,如最重要的差异是前者的最大栅极电压为6 V。

该两款演示板集成了Microchip公司的dsPIC33CK数字信号控制器(DSC)和EPC公司最新一代100V氮化镓场效应晶体管,具有超薄外形尺寸,在12.5A时,实现超过98%的效率。由于Microchip数字控制器具有高灵活性,因此允许在44V~60V范围内调节输入电压,而输出电压在5V~20V范围内。

为了实现氮化镓场效应晶体管的最高性能,我们建议使用4 V至5 V的驱动器.

EPC9148多电平转换器缩小了支持磁性元件的模块尺寸,同时在紧凑的解决方案中,实现高效率。EPC9148演示板的亮点之一是采用WürthElektronik的超薄功率电感器,从而实现具有超高功率密度的设计。

由于氮化镓器件具较低的最高栅极电压,因此建议使用可调控电压的栅极驱动电路,以确保安全操作。

EPC9153演示板提供简单且低成本的同步降压配置,从而使元件可以实现纤薄的最大厚度、98.2%的峰值效率和在20V输出时,上升温度少于40°C。eGaNFET凭借其快速的开关性能,提高整体效率,而它的芯片级占位面积使其易于散热,从而实现紧凑型设计所需的低上升温度。

由于具备高频、低导通阻抗及低封装寄生电感等性能,因此氮化镓场效应晶体管具有目前硅(Si)技术所不能拥有的性能潜力。此外,也由于氮化镓器件具备更高的开关速度及更低封装寄生电感,印刷电路板的版图会影响转换器的性能。

EPC公司应用工程副总裁MichaeldeRooij说:“计算机、显示器、智能电话和其它消费电子系统变得越来越纤薄,功能却越来越强大。我们很高兴与MicrochipTechnology和WürthElektronik合作,开发超薄且高效的解决方案,以应对在有限的空间和体积内取得更高的功率的挑战。”

相信通过阅读上面的内容,大家对氮化镓场效应晶体管有了初步的了解,同时也希望大家在学习过程中,做好总结,这样才能不断提升自己的设计水平。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

MOSFET是一种场效应晶体管(FET),全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

关键字: MOSFET 电子元件 场效应晶体管

MOS管,即金属-氧化物半导体场效应晶体管,是电子学中常用的一种半导体器件。它具有高频率、低噪声、高输入阻抗等特点,被广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍MOS管的作用。

关键字: 半导体 场效应晶体管 器件

以下内容中,小编将对场效应管的相关内容进行着重介绍和阐述,希望本文能帮您增进对场效应管的了解,和小编一起来看看吧。

关键字: 场效应管 场效应晶体管 FET

宜普电源转换公司和立锜科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器参考设计,可将12 V~24 V的输入电压转换为5 V~20 V的稳压输出电压,并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案...

关键字: 氮化镓 场效应晶体管

据业内信息报道,TransphormInc已经在深圳设立GaN场效应晶体管实验室,并且已经全面投入运营,并为中国的客户提供产品及服务。

关键字: Transphorm GaN 场效应晶体管

宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。

关键字: 宜普电源转换公司 场效应晶体管 MOSFET

宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。

关键字: 宜普电源转换公司 氮化镓 场效应晶体管

我们谈到了为开关模式电源 (SMPS) 应用选择最合适的场效应晶体管 (FET) 是多么困难。根据数据表规格预测电路性能是一个繁琐的过程。要了解它的繁琐程度,我建议阅读应用说明“考虑同步降压转换器的共源电感的功率损耗计算...

关键字: 场效应晶体管 选型工具

2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列,这些产品在导通...

关键字: Qorvo 碳化硅 场效应晶体管

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET),器件型号为 ,专为设计人员而设,EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。

关键字: 氮化镓 场效应晶体管
关闭
关闭