格芯量产eMRAM,基于22nm FD-SOI平台
22nm FD-SOI工艺eMRAM年内量产,采用相关芯片的终端明年面世
格芯推出基于22FDX平台且可批量生产的eMRAM
105°C高温下可擦写1亿次 传三星1Gb eMRAM内存良率已达90%
英特尔已准备好大批量生产eMRAM,基于FinFET工艺
SW6208参考设计资料
STM32:获取ADC转换结果
STM32:停止模式配置
STM32:睡眠按键唤醒初始化
STM32:时间转换为秒数函数
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