格芯量产eMRAM，基于22nm FD-SOI平台
22nm FD-SOI工艺eMRAM年内量产，采用相关芯片的终端明年面世
格芯推出基于22FDX平台且可批量生产的eMRAM
105°C高温下可擦写1亿次 传三星1Gb eMRAM内存良率已达90%
英特尔已准备好大批量生产eMRAM，基于FinFET工艺
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.AD采集（也可用作热敏光敏AD采集）
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