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英特尔:重构FinFET
FinFETs + FD-SOI 方案:可以更节省电力
台积电研发大军一刻也不敢松懈,积极投入2nm研发:终于告别FinFET
英特尔第三次专利无效申请失败!中科院微电子所再度获胜
Nerissa Draeger博士:全包围栅极结构将取代FinFET
车用SoC如何克服多重图形与FinFET挑战
物联网应用带动FD-SOI制程快速增长
三星将加速推动5G商用化
中芯国际披露第二代14nm:性能提升20%、功耗降低60%
16nm FinFET+技术带来FPGA的巨大变革.pdf
寻求成熟的 3.5kW 半桥电磁炉电路方案设计
基于V821的视频系统设计
光谱仪电路(主控版)
基于心电信号或肌电信号的精神疲劳度检测模块
搅拌、吸排液模块硬件开发
开关电源/充电器
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