英特尔：重构FinFET

英特尔院士鲁斯·布莱恩（Ruth Brain）称SuperFin将重构FinFET工艺，并表示10纳米SuperFin将是英特尔有史以来最大的单节点内性能提升。

在2020英特尔架构日上，该公司首席架构师拉加·库德里（Raja Koduri）领衔讲解了英特尔过去两年的技术进展及未来产品规划。英特尔在工艺、封装和架构等方面推出多项重要更新，推出10纳米SuperFin技术，英特尔院士鲁斯·布莱恩（Ruth Brain）称SuperFin将重构FinFET工艺，并表示10纳米SuperFin将是英特尔有史以来最大的单节点内性能提升。

此外，英特尔还公布了立体封装新进展，架构方面公布Willow Cove微架构和用于移动客户端的Tiger Lake SoC技术细节，并首次公布可实现全扩展的Xe图形架构。

英特尔近来颇多麻烦，7纳米工艺受阻和苹果宣布将采用自研PC处理器等消息打击了英特尔股价，以至于英特尔行不行的问题再度成为热点。从英特尔技术日上公布的技术进展来看，通过对晶体管工艺、封装及设计的共同优化，英特尔沿摩尔定律推高集成度的进度还在掌控中，只要英特尔对数据时代的需求判断正确，英特尔仍然将是半导体领域的技术引领者。

以10纳米SuperFin技术为例，通过英特尔增强型FinFET晶体管与Super MIM（Metal-Insulator-Metal）电容的结合，该技术能够提供增强的外延源极/漏极、改进的栅极工艺和额外的栅极间距，并通过以下方式实现更高的性能：

• 通过增强源极和漏极上晶体结构的外延长度，从而增加应变并减小电阻，以允许更多电流通过通道

• 改进了栅极工艺以实现更高的通道迁移率，从而使电荷载流子更快地移动

• 附加的栅极间距选项，从而可提供更高的驱动电流

• 使用新型薄壁阻隔将过孔电阻降低了30％，从而提升了互连性能

• 与之前的技术相比，在同样面积内，电容是之前的5倍，从而减少了电压下降，可显著提高产品性

包含10纳米SuperFin在内，英特尔架构日上公布的技术点十分密集，又比较前沿，翻译过来难免会有失真。因此编辑部将工艺、封装及处理器架构部分的演讲资料截图出来，供大家参考，后续有机会，将全面解读英特尔架构日释放出来的技术资料。