- 首页
- 阅读
-
技术
专访
-
最近，示波器领导厂商是德科技推出了一款具有8个模拟输入通道的8合1多功能集成示波器Infiniium MXR系列，特别创新的一点是该系列示波器首次引入故障猎人功能，让工程师查找异常信号的工作变得非常简单。……
-
安森美半导体的市场份额增长极快，2019年成为了排名第五的碳化硅供应商，而这家厂商的愿景是在2025年跻身前三甲。……
-
对于国内用户，大家所熟悉的小米手环里所使用的蓝牙芯片就是Dialog的产品。除了低功耗蓝牙产品，Dialog最近新推出了超低功耗的Wi-Fi芯片，貌似要在某些领域革蓝牙的命。……
-
赛普拉斯将不仅仅关注头部客户，也会注重中小型的客户，提供更多优秀的垂直应用的参考设计，积极引导不同的开发者来将物联网边缘应用发展壮大。……
-
-
论坛
热门板块
编辑推荐
- 【RTOS】3+ 东软载波 + 串口调试+Keil5的汉化
- RT-Thread应用创新设计大赛，麻雀一号艰难的折腾之路
- 【RTOS】+ 东软载波 + RT-Thread + UCloud
- [RTOS] rtthread移植到雅特力AT32F403A驱动步进
- 【RTOS】1+ 东软载波 + 开箱
- [RTOS]RT-Thread应用创新设计大赛--垃圾分类助手
- 【RTOS】基于麻雀一号的可移动监控——方案概述与体验总结
- 【RTOS】RT-Thread应用创新设计大赛------麻雀一号I
- 【RTOS】+ STM32F103+RT-Thread实现自动更新时
- 【RTOS】- RT-Thread应用创新设计大赛-东软载波开箱
厂商
-
课程
- 外包
- 专栏
- 资源
- 厂商
-
活动
-
（有奖活动）加入TI system，阅览海量设计资源，成就电子工程师之巅
活动时间：2020.05.29-2020.06.28
![]()
-
活动时间：2020.05.18-2020.08.16
![]()
-
活动时间：2020.05.08-2020.06.19
![]()
-
活动时间：2020.04.13-2020.05.13
![]()
-
活动时间：2020.04.01-2020.07.31
![]()
-
活动时间：2020.04.01-2020.06.30
![]()
-
活动时间：2020.03.05-2020.03.26
![]()
-
活动时间：2020.03.05-2020.03.25
![]()
-
-
MacBook Air上10nm十代酷睿！频率略有降低
苹果今晚发布了新一代MacBook Air轻薄笔记本，配备全新的Magic剪刀脚键盘，硬件配置全面升级，号称相比上代2倍性能、2倍容量，国行价格7999元起。 按照惯例，苹果从来不会公布所用处理器的具体世代、型号，但是从规格参数反推，可以确认新款MacBook Air用上了最新的Intel十代酷睿，而且是10nm Ice Lake，并非14nm Comet Lake。 MacBook Air这次提供了三种处理器型号可选，7999元版本配备的是一颗双核心酷睿i3，主频1.1-3.2GHz，三级缓存4MB，再加上这代标配Iris Plus锐炬核芯显卡，符合这一条件的只有i3-1000G4。 9999元款开始搭载的是一颗四核心i5，主频1.1-3.5GHz，三级缓存6MB，锐炬核芯显卡，与之最接近的是i5-1035G4，后者睿频最高3.7GHz，显然苹果做了调整或者说“定制”。 此外用户还可以选配四核心i7，主频1.2-3.8GHz，三级缓存8MB，锐炬显卡，同样没有完全对应的型号，最接近的是i7-1065G7，后者主频为1.3-3.9GHz，苹果将基准频率和睿频都降低了100MHz。 由于升级到10nm十代酷睿，MacBook Air这次用上了LPDDR4X内存，标配都是板载集成8GB，频率3733MHz，可选配16GB。
-
长鑫官方开卖DDR4/LPDDR4X内存！单条8GB 2666MHz
对于国产软硬件，我们从未如此期盼，幸运的是各项突破也是接踵而至，现在我们终于有了自己的内存。 长鑫存储官方网站上，已经公开列出了自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片，都符合国际通行标准规范。 据介绍，长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求，支持多领域应用、多产品组合，并有充分的可靠性保障，规格方面单颗容量8Gb(1GB)，频率2666MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃，78ball、96ball FBGA两种封装样式。 长鑫特别强调，这是第一颗国产的DDR4内存芯片。 根据此前消息，这些芯片都采用国产第一代10nm级工艺制造，预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。 DDR4内存条也是长鑫自主开发设计，搭载原厂颗粒，种类齐全，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型，容量均为单条8GB，频率2666MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃。 LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求，兼备高速度与低功耗，可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验，规格方面单颗容量2GB、4GB，频率3733MHz，电压1.8V、1.1V、0.6V，工作温度-30℃至85℃，200ball FBGA封装。 目前，长鑫已开始接受上述产品的技术和销售咨询，相信它们很快就会出现在市面上。 长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，总投资1500亿元，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。 就在去年底，长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可，而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。
-
长鑫官方开卖DDR4/LPDDR4X内存 单条8GB 2666MHz
对于国产软硬件，我们从未如此期盼，幸运的是各项突破也是接踵而至，现在我们终于有了自己的内存。长鑫存储官方网站上，已经公开列出了自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片，都符合国际通行标准规范。 据介绍，长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求，支持多领域应用、多产品组合，并有充分的可靠性保障，规格方面单颗容量8Gb(1GB)，频率2666MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃，78ball、96ball FBGA两种封装样式。 长鑫特别强调，这是第一颗国产的DDR4内存芯片。 根据此前消息，这些芯片都采用国产第一代10nm级工艺制造，预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。 DDR4内存条也是长鑫自主开发设计，搭载原厂颗粒，种类齐全，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型，容量均为单条8GB，频率2666MHz，电压1.2V，工作温度0℃至95℃。 LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求，兼备高速度与低功耗，可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验，规格方面单颗容量2GB、4GB，频率3733MHz，电压1.8V、1.1V、0.6V，工作温度-30℃至85℃，200ball FBGA封装。 目前，长鑫已开始接受上述产品的技术和销售咨询，相信它们很快就会出现在市面上。 长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，总投资1500亿元，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。 就在去年底，长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可，而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。
-
长鑫LPDDR4X内存取得进展：国产二线品牌手机或率先采用
据消息人士透露，位于合肥的长鑫存储公司（CXMT）正在LPDDR4X低功耗内存的研发上取得进展，它将吸引国产二线品牌在手机上采用。 长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。 根据此前消息，长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元，将生产国产第一代10nm工艺级8Gb DDR4内存芯片，并获得了工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。 本月初，长鑫存储从Polaris获得了大量DRAM技术专利的实施许可，而这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。
-
长鑫存储19nm DDR4内存将于明年上市 LPDDR4X正在路上
12月3日消息 根据AnandTech的报道，长鑫存储科技有限公司已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。目前，该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，并计划在未来生产所有类型的DRAM。不仅如此，长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。 QQ截图20191203111836 据报道，目前，长鑫存储正使用其10G1工艺技术(即19nm工艺)来制造4GB和8GB的DDR4内存芯片，目标是在2020年第一季度上市。长鑫存储还将使用同样的技术将在2020年下半年制造LPDDR4X内存。该公司的技术路线图包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。 根据之前的报道，长鑫存储诞生于2016年，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂。
-
AMD 7nm锐龙APU惊喜曝光：首次支持LPDDR4X-4266
AMD锐龙处理器已经进化到7nm工艺和Zen 2架构，而在人民群众喜闻乐见的APU方面，要到明年的下一代“Renoir”(雷阿诺)才会跟进。 此前的Linux驱动补丁显示，Renoir APU的图形核心部分不会使用最新的Navi，而是上代Vega，确切地说是Vega 10，最多640个流处理器，但也进行了升级，比如VCN视频解码单元从1.0来到了2.0。 而在8月28日最新部署的Linux驱动补丁给出了Renoir APU的更多情报，首先是DCN显示引擎版本为最新的2.1，甚至高于Navi核心的2.0版本，而目前的锐龙APU里更是仅为1.0版本。 所以，尽管新APU GPU部分架构没有大变，但是会有全新的功能特性，甚至领先当下独立显卡，这就可以放心了。 另外在内存方面，AMD目前的锐龙APU仅支持DDR4-2400，Intel Ice Lake十代酷睿已经做到DDR4-3200、LPDDR4-3733。 内存通道、频率、带宽对于APU的重要性不言而喻，尤其是游戏性能，影响极大，而根据最新资料，Renoir APU将会是首次支持新的LPDDR4X，而且频率高达4266MHz，性能更强，也更节能。 LPDDR4X内存规范诞生于2014年，最初的频率上限仅为3200MHz，经过数年发展已经推进到4266MHz，AMD不支持则已，一支持就做到了最高。
-
手机内存超越电脑！三星开始量产12GB LPDDR4X手机内存
根据官方的消息，三星今天宣布已开始大规模生产业界首款12G LPDDR4X手机内存，新的移动DRAM具有比大多数超薄笔记本电脑更高的容量，使用户能够充分利用下一代智能手机的性能。 三星表示，“随着新LPDDR4X的大规模生产，三星现在提供全面的先进内存产品阵容，为搭载12GB移动DRAM和512GB eUFS 3.0存储的智能手机新时代提供更高性能，” 得益于12GB移动DRAM，智能手机制造商可以最大限度地发挥五个以上摄像头和不断增加的显示尺寸以及人工智能和5G功能的设备的潜力。对于智能手机用户而言，12GB DRAM可以在超大型高分辨率屏幕上浏览应用程序，从而实现更流畅的多任务处理和更快速的搜索。 三星12G内存通过将基于第二代10nm级(1y-nm)工艺的六个 16Gb LPDDR4X芯片组合到一个封装中，实现了12GB容量，此外，通过使用三星的1y-nm技术，新的12GB移动存储器可提供每秒34.1GB的数据传输速率，同时最大限度地降低DRAM容量增加所带来的功耗增加。
-
单片12Gb容量！美光发布第二代4266MHz LPDDR4X内存
近日，美光（Micron）宣布推出旗下首款单片容量12Gb（1.5GB）的LPDDR4X低电压内存芯片，速度为4266Mbps，即4266MHz。相较第一代LPDDR4X-4266内存，第二代产品的功耗下降了10%，使用10nm级（10~18nm）工艺生产。同时，单片提升到1.5GB后，可以为厂商部署6GB/12GB节省空间。当然，今年7月份，三星率先发布了16Gb容量的LPDDR4X-4266内存，同样是基于先进的10nm级工艺。目前，仅麒麟980可支持业内最高的LPDDR4X-2133内存。不过，随着5G时代对数据吞吐要求的提高，高频、大容量的LPDDR4X将成为主流。资料显示，LPDDR4X内存是由三星等厂商率先推出的，其主要是将LPDDR4内存中的Vddq电压从1.1V降至0.6V，Vdd2电压保持1.1V不变。相对于LPDDR4来说，LPDDR4X的电压更低，有效降低了内存能耗。
-
三星第二代10nm工艺LPDDR4X内存量产 性能不变更省电
内存涨价给三星带来了利润的飙升，也促使三星加快内存产品的推出和量产。现在智能手机都免不了日日充这一尴尬局面，所以手机产品对功耗的要求也是越来越高，三星第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存已经量产，在性能方面和第一代相当，但功耗大降10%，整体封装厚度减少20%，非常贴合现在智能手机的发展趋势。 据悉，三星电子今天宣布已开始批量生产业界首款第二代10纳米级(1y-nm)LPDDR4X DRAM，降低当今高端智能手机和其他移动应用的电池消耗。 与当前旗舰移动设备中最常用的移动DRAM内存芯片相比，第二代LPDDR4X DRAM的功耗降低了10%，同时保持了4266MHz的相同数据速率。 “10nm级移动DRAM的问世将为下一代旗舰移动设备提供显著增强的解决方案，这些移动设备将于今年晚些时候或2019年上半年首次上市。”内存销售高级副总裁Sewon Chun说道，“我们将继续发展我们的优质DRAM阵容，引领'高性能，高容量，低功耗'内存领域，以满足市场需求并增强我们的业务竞争力。” 三星确实是一家强大的公司，不仅手机在全球市场占有率第一，而且面板、内存、代工等领域都很强大。
-
2017年手机内存从LPDDR3升级到LPDDR4X
为优化智能手机的操作系统流畅度，内存厂商们正不断升级行动式内存版本。 近日消息，在三星、SK海力士及美光集团三大原厂的纳米制程转进及智能手机主流AP(应用处理器)的搭载需求下，LPDDR4X的产出比重持续增加，出货数量在第二季开始将超越LPDDR4，且由于LPDDR4及LPDDR4X已呈同价趋势，两者和LPDDR3的价差都小于5%，也加速LPDDR4系列(含LPDDR4X)的导入速度，预估全年度LPDDR4系列将达到5成以上的市占率，正式取代LPDDR3成为2017年行动式内存的搭载主流。 DRAMeXchange表示，在移动终端及消费性电子产品蓬勃发展下，行动式内存已不单应用在智能手机上，也普遍用于超薄笔记本电脑(Ultra Book)、物联网相关的穿戴式装置、高画质电视、电动车等，而就总需求数量来看，仍以智能手机的应用为大宗。 DRAMeXchange指出，LPDDR4较LPDDR3在运行效能上虽有所提升，但耗电问题(Power Consumption)仍属各大品牌商最急于改善的项目。因此，三大行动式内存供货商如三星、SK海力士、美光集团都陆续于2016下半年推出改善耗电表现的LPDDR4X以因应市场需求。根据各供货商提供的比较数据来看，LPDDR4X和LPPDDR3相比，在单体上约有40%～50%省电表现，较LPDDR4也有10%～20%的表现。 基本上，LPDDR4和LPDDR4X在制程上相同，仅在封装上的Power Pin(电源引脚)设计及测试规格上略有出入。简言之，LPDDR4X可视为LPDDR4加严检验的省电优化版本。另外，和行动式内存息息相关的AP方面，在2017年的产品规划上也清一色的以LPDDR4X为中高端的搭配主流，如高通的骁龙835、骁龙660，联发科的P20、P30。 从制程技术及供应时程的角度来看，三星以领头羊之姿率先于2016年第四季推出18纳米制程的LPDDR4X，而SK海力士也随后推出21纳米制程的产品。两家在初期都先以分离式(Discrete)大容量的4GB、6GB为主，锁定高端旗舰机型，而今年第二季搭载LPDDR4X的eMCP才会推出。美光集团则于2017年第一季跟进，推出20纳米的分离式LPDDR4X，也规划第二季推出对应的eMCP。
