随着在大约相同硅面积上封装的器件数目的不断增加,集成电路的尺寸稳步缩小。为了获得必须的封装密度,contact和via openings的sidewall变得越来越陡。铝蒸汽沉积时并不是各向同性的;穿过氧化物台阶的金属比较薄(图
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