平面DRAM是内存单元数组与内存逻辑电路分占两侧,3D Super-DRAM则是将内存单元数组堆栈在内存逻辑电路的上方,因此裸晶尺寸会变得比较小,每片晶圆的裸晶产出量也会更多;这意味着3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
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