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在全球新能源汽车产业向 “长续航、快充电、高效率” 转型的浪潮中,功率半导体作为电能转换的核心部件,直接决定车辆续航里程与能源利用效率。传统硅基 IGBT 器件因导通损耗高、耐高温性差等局限,已难以满足超长距离电动汽车(续航目标 600km+)的技术需求。碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,凭借其卓越的电学特性,成为破解长距离出行痛点的关键技术,其有效实施正在重塑电动汽车功率系统的设计逻辑。