• 第三代半导体在数据中心电源中的渗透路径：SiC MOSFET替代IGBT的选型临界点分析

    在贵州深山的数据中心集群中，某头部企业最新部署的48V直流供电系统正经历着技术革命：采用SiC MOSFET的1kW DC/DC模块在200kHz高频下稳定运行，功率密度突破1000W/in³，较传统IGBT方案效率提升5.2个百分点。这场由第三代半导体引发的变革，正沿着清晰的路径重塑数据中心电源架构。

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    2025-09-22
    数据中心 电源

  • 超结MOSFET与SiC MOSFET在1kW PFC电路中的损耗对比：英飞凌CoolMOS™ C7 vs 罗姆SCH2080KE

    功率因数校正(PFC)电路迈向高频化、高功率密度，超结MOSFET与碳化硅(SiC)MOSFET的损耗博弈成为工程师关注的焦点。以1kW PFC电路为典型场景，英飞凌CoolMOS™ C7与罗姆SCH2080KE的实测数据揭示了两种技术路线的本质差异——前者以硅基材料的极致优化实现性价比突破，后者凭借第三代半导体的物理特性颠覆传统损耗模型。

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    2025-09-22
    SiC MOSFET 超结MOSFET

  • PFC电感磁芯的低温升选型，TDK PC95与日立FT-3H的100kHz损耗实测

    在功率因数校正(PFC)电路中，电感作为能量转换的核心元件，其磁芯材料的损耗特性直接决定了系统的温升与可靠性。当开关频率突破100kHz进入高频时代，铁氧体与金属磁粉芯的损耗博弈愈发激烈。本文以TDK PC95铁氧体与日立FT-3H铁硅铝磁粉芯为典型案例，通过实测数据与理论分析，揭示两种材料在100kHz下的损耗机制与温升差异，为工程师提供低温升选型的实战指南。

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    2025-09-22
    TDK PC95 日立FT-3H

  • PFC电感磁芯材料选型指南，铁氧体 vs 粉芯在高频下的损耗对比与温升预测

    在功率因数校正(PFC)电路中，电感作为能量存储与转换的核心元件，其磁芯材料的选择直接决定了系统的效率、体积与可靠性。当开关频率突破50kHz进入高频时代，铁氧体与金属磁粉芯的损耗特性呈现显著分化——前者以低损耗优势主导高频场景，后者则凭借高饱和能力在特定领域坚守阵地。本文将从材料特性、损耗机制、温升模型三个维度，揭示两种材料在高频PFC中的选型逻辑。

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    2025-09-22
    电感 PFC 磁芯材料

  • LLC谐振控制器的高效轻载设计，NCP13992与L6599的谷底导通锁定与突发模式优化

    数据中心服务器电源、5G基站供电模块，LLC谐振变换器凭借其软开关特性与高功率密度优势占据主导地位。然而，当负载率低于30%时，传统LLC控制器常面临效率断崖式下跌的困境——开关损耗占比激增、控制电路静态功耗凸显，导致整机难以满足80 Plus钛金或DoE Level VI等严苛能效标准。本文将聚焦安森美NCP13992与ST L6599两款主流控制器，解析其谷底导通锁定与突发模式优化技术如何破解轻载效率难题。

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    2025-09-22
    L6599 NCP13992

  • LLC谐振控制器的参数配置陷阱：软启动时间、死区时间与轻载效率的协同优化

    电动汽车充电桩、数据中心服务器电源等高功率密度场景，LLC谐振控制器凭借其软开关特性与高效能量转换能力，已成为AC-DC转换的核心方案。然而，参数配置的复杂性常让工程师陷入“调参地狱”——软启动时间过长导致启动失败、死区时间不当引发硬开关损耗、轻载效率崩塌违背能效标准……这些陷阱不仅影响产品性能，更可能推高研发成本与周期。本文将深入剖析三大关键参数的内在关联，结合实际案例揭示协同优化策略。

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    2025-09-22
    谐振控制器 LLC

  • LLC谐振变换器在AC-DC中的优化应用：频率调制与轻载效率的平衡策略

    在智能手机快充、服务器电源、电动汽车充电桩等场景中，AC-DC电源的效率与体积始终是核心矛盾。传统硬开关拓扑因开关损耗大、EMI噪声高，逐渐被软开关技术取代。其中，LLC谐振变换器凭借其全负载范围软开关、高功率密度、低EMI等优势，成为中高端AC-DC电源的主流选择。然而，其复杂的频率调制特性与轻载效率衰减问题，仍制约着系统性能的进一步提升。本文将从频率调制策略优化与轻载效率提升两个维度，结合实际案例探讨LLC谐振变换器的平衡之道。

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    2025-09-22
    AC-DC LLC谐振变换器

  • GaN器件驱动芯片的选型指南：门极电荷匹配、传输延迟与抗干扰性测试

    氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表，凭借其高电子迁移率、低导通电阻和超快开关速度，在高频、高功率密度电源领域展现出显著优势。然而，GaN器件的驱动电路设计面临独特挑战：其门极电荷特性、传输延迟要求及抗干扰能力直接影响系统效率与可靠性。本文从门极电荷匹配、传输延迟优化及抗干扰性测试三个维度，结合典型应用案例，系统阐述GaN驱动芯片的选型方法。

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    2025-09-22
    门极电荷 GaN

  • AC-DC电源中SiC MOSFET与超结MOSFET的对比选型：开关损耗与导通损耗的权衡分析

    在AC-DC电源设计领域，功率器件的选型直接影响系统效率、体积与成本。随着第三代半导体材料的突破，碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低损耗特性，逐渐在高压、高频场景中替代传统硅基器件。而超结(Super Junction, SJ)MOSFET作为硅基器件的升级方案，通过电荷平衡结构实现了高耐压与低导通电阻的平衡。本文将从开关损耗与导通损耗的权衡视角，结合实际案例与实验数据，深入分析两种器件的技术特性与选型策略。

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    2025-09-22
    AC-DC SiC

  • AC-DC电源的器件降本策略：国产替代器件的参数对比与可靠性验证流程

    在全球能源转型与国产替代加速的双重驱动下，AC-DC电源行业正经历从技术追赶到生态重构的关键阶段。国产器件通过参数优化与可靠性验证的双重突破，已在消费电子、工业控制、新能源汽车等领域形成规模化替代效应。本文将从核心器件参数对比、可靠性验证流程、降本增效案例三个维度，揭示国产替代的底层逻辑与实践路径。

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    2025-09-22
    AC-DC 器件降本
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