在 CMOS 和宽带隙半导体技术的进步中,您很容易忘记 William Shockley 于 1949 年发明的第一个晶体管是双极结型晶体管 (BJT)。尽管它们已经不再流行,但这些不起眼的设备仍然在各种类型的电子设备中大量高效可靠地运行。事实上,在某些应用中,BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同类产品。 BJT 技术的最新改进将使它们成为半导体技术领域的重要组成部分。
反激式转换器具有众多优点,包括成本最低的隔离式电源转换器、轻松提供多个输出电压、简单的初级侧控制器以及高达 300W 的功率传输。反激式转换器用于许多离线应用,从电视到手机充电器以及电信和工业应用。它们的基本操作可能看起来令人生畏,而且设计选择很多,特别是对于那些以前没有设计过的人来说。让我们看看 53 VDC 至 12V、5A 连续导通模式 (CCM) 反激式的一些关键设计注意事项。
PWM(Pulse Width Modulation,脉宽调制)死区是一个在PWM控制系统中至关重要的概念,特别是在涉及电力电子设备和电机控制的应用中。
只有当BH1和BH2同时为高电平的时候本安电源才有输出,其中任何一个是低电平本安电源就进入保护状态,这就是主回路的双重保护。
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加速度传感器的工作原理基于牛顿第二定律,即物体的加速度与受到的力成正比,与物体的质量成反比。 传感器通过测量物体上的质量受到的力来确定其加速度
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