• 东芝推出轻薄紧凑型LDO稳压器,助力缩小器件尺寸、稳定电源线输出

    东芝推出轻薄紧凑型LDO稳压器,助力缩小器件尺寸、稳定电源线输出

    中国上海,2021年3月3日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出由45款LDO稳压器组成的“TCR5RG”系列。该系列均采用轻薄、紧凑型WCSP4F封装。新款LDO稳压器拥有业界领先的[1]高纹波抑制比[2],能够为可穿戴产品等移动设备的直流电源线提供更稳定的功率。该系列产品将从今日开始批量出货。 TCR5RG系列通过结合宽带隙电路、低通滤波器(仅允许极低频率通过)以及低噪声高速运算放大器,实现了业界领先的[1]100dB(典型值)高纹波抑制比[2]。此外,它们还具有低输出电压噪声和高输出电压精度的特点。这些特性结合在一起,使该系列稳压器能够提高电源线的稳定性。 该系列包含45款产品,最大输出电流为500mA,输出电压范围在0.9V到5.0V之间,以便用户根据自己的应用选择最合适的输出电压。 新款LDO稳压器采用尺寸为0.645mm×0.645mm的轻薄紧凑型WCSP4F封装,适合摄像头和小型设备(例如需要高密度贴装的智能手机和可穿戴产品)的电源线应用。 Ø 应用 · 可穿戴设备(智能手表和运动型相机等) · 移动设备(智能手机、平板电脑和便携式音频播放器等) · 医疗保健(电动剃须刀、电子血压计和血糖仪等) Ø 特性 · 高纹波抑制比:f=1kHz时,R.R.=100dB(典型值) · 低输出噪声电压:10Hz≤f≤100kHz时,VNO=5μVrms(典型值) · 高输出电压精度: 1.8V≤VOUT≤2.8V,Tj=-40℃至85℃时,VOUT最小值/最大值=-1.5%/1.5% VOUT>2.8V,Tj=-40℃至85℃时,VOUT最小值/最大值=-1.8%/1.8% · 轻薄紧凑型WCSP4F封装:0.645mm×0.645mm(典型值),厚度=0.33mm(最大值) Ø 主要规格

    TOSHIBA东芝半导体 东芝 LDO稳压器 电源

  • 安森美半导体虚拟参与embedded world 2021 DIGITAL

    2021年3月3日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor),正把握机会以助embedded world 2021 DIGITAL展会成功举办。安森美半导体提供独特的观展体验,共有 21个产品演示,并重点介绍最新推出的几款产品,及展示一个完整的传感器到云方案。 这21个演示安排在6个专门的在线接待区,涵盖高压电源、智能图像感知、物联网(IoT) 电子市场场所、IoT传感器系统、IoT垂直方案,以及智能电源与控制。演示的内容涵盖许多应用,包括智能访问控制、医院资产跟踪和测量边缘设备的功耗。 安森美半导体还展示集成博世物联网套件(Bosch IoT Suite)的新系列传感器平台的更详细信息。此物联网(IoT)方案的软件平台已用于将超过1500万个传感器、设备和机器联接到用户和企业系统。通过安森美半导体的方案和博世生态系统的端到端、传感器到云的平台,安森美半导体展示IoT的可及性。 安森美半导体的embedded world 2021 DIGITAL演示室 的其他亮点还包括了解有关新的NCP51810氮化镓(GaN)门极驱动器的更多信息,它带来了宽禁带增强型GaN的优势,为嵌入式系统创建更小、更高能效的电源。NCP51810可维持150 V的电压,非常适用于48 V系统的应用,如负载点、工业电源模块和数据中心中使用的中间总线转换器。这款GaN门极驱动器具有独特的电磁干扰(EMI)噪声抑制和先进的诊断监控功能,使其成为同类产品中的佼佼者。它支持的电源拓扑很多,包括谐振、半桥、全桥、有源钳位转换器和非隔离降压转换器。 展会也重点介绍NCL31000智能LED驱动器,演示可见光通信(VLC)的应用。VLC是一种以可见光为载波的光通信方法,同时避免对人眼造成干扰。该技术已用于实现高精度室内定位,实现了以厘米而非米为单位的精度。NCL31000智能LED驱动器能真正的调光到暗,可驱动整个系统,并精确测量所有系统电压和电流。

    安森美半导体(ON) 传感器 安森美半导体 智能图像感知

  • 安森美半导体通过博世物联网套件(Bosch IoT Suite)扩展物联网平台支持和功能

    安森美半导体通过博世物联网套件(Bosch IoT Suite)扩展物联网平台支持和功能

    2021年3月3日 — 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor),宣布RSL10智能拍摄相机平台和RSL10传感器开发套件 已预集成在 Bosch IoT Suite 中,该套件是博世集团 (Bosch Group)的物联网 (IoT) 核心软件平台和核心软件生态系统。 RSL10 智能拍摄相机平台和RSL10传感器开发套件是完整的节点到云的方案,含先进的蓝牙低功耗联接和传感技术。最近发布的RSL10 智能拍摄相机平台专为事件触发式成像而设计,结合低功耗图像捕获功能和对基于云的人工智能(AI)分析的支持。开发人员使用RSL10智能拍摄相机平台,可创建成像应用,当由时间或环境变化 (如运动、湿度或温度等) 引起的事件触发时,自动拍照。 同时,RSL10传感器开发套件是个非常紧凑且多功能平台,含十多个板载环境传感器。 将基于RSL10的方案纳入到Bosch IoT Suite中,开发人员可访问一系列工具和资源,包括可在全球公共云上选择的关键中间件组件。 该软件允许在现场大规模部署和管理IoT应用,包括设备配置和预配以及远程维护。Bosch IoT Suite套件还包括创新的“数字孪生(Digital Twin)”建模功能。该功能使设计人员可使用基于云的模型创建其设备的虚拟表示形式,以了解它们将在现实世界中提供什么功能和服务。 安森美半导体IoT主管Wiren Perera说:“Bosch IoT Suite真正解决了IoT 原始设备制造商(OEM)面临的一些最重大挑战,包括数据和设备管理。为我们的IoT平台添加这种支持,我们正在帮助开发人员快速构建和实施基于云的、高度可扩展的IoT应用。” RSL10智能拍摄相机平台和RSL10传感器开发套件现已通过当地的安森美半导体销售代表和授权代理商发售。

    安森美半导体(ON) 物联网 安森美半导体 云服务

  • 安森美半导体发布世界首款车规硅光电倍增管(SiPM)阵列产品,用于激光雷达应用

    安森美半导体发布世界首款车规硅光电倍增管(SiPM)阵列产品,用于激光雷达应用

    2021年3月2日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor),今天发布新的RDM系列硅光电倍增管 (SiPM) 阵列,将激光雷达 (LiDAR) 传感器能力扩展到其广泛的智能感知方案阵容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市场上首款符合车规的SiPM产品,应对汽车行业及其他领域LiDAR应用中不断增长的需求。 ArrayRDM-0112A20-QFN是单片1×12 SiPM像素阵列,基于安森美半导体领先市场的RDM工艺,可实现对近红外 (NIR) 光的高灵敏度,从而在905纳米(nm)处达到领先业界的18.5%的光子探测效率 (PDE) (1)。SiPM的高内部增益使其灵敏度可达到单光子水平,该功能与高PDE结合使用,可以检测最微弱的返回信号。因此,即使是低反射目标,也能探测到更远的距离。 SiPM技术近年来发展势头强劲,由于其独特的功能集,已成为广阔市场深度传感应用的首选传感器。SiPM能在明亮的阳光条件下进行长距离测距时提供最佳的信噪比性能。其他优势包括较低的电源偏置和较低的温度变化敏感性,使其成为使用传统雪崩光电二极管(APD)的系统的理想升级产品。SiPM采用大批量CMOS工艺生产,可实现最低的探测器成本,从而实现应用于广阔市场的LiDAR方案。 使用激光测量物体的距离已跨越了汽车、消费和工业应用领域。在汽车领域,LiDAR可用于提升安全性和驾驶员辅助系统(ADAS),通过与其他感知模式互补和提供冗余,辅助如车道保持和交通拥堵辅助等功能。LiDAR正普遍用于全自动驾驶的使用案例,例如机器人运输,以安全地实时导航环境。受益于ArrayRDM-0112A20-QFN的高PDE,支持这些功能的LiDAR系统已被证明可在300米以上的距离测距。更远的距离使车辆有更多时间来应对意外障碍。 安森美半导体汽车感知分部高级总监Wade Appelman 说:“LiDAR提供的高分辨率深度数据可在充满挑战的微光条件下即时准确地识别物体。 ArrayRDM-0112A20-QFN是首款符合车规的SiPM,将提供远距离、高性价比的LiDAR方案,以实现下一层次的安全和自主性。我们正不断加强我们的传感器组合,提供多样化且互补的感知模式,为更高级别的ADAS和自动驾驶铺平道路。” Yole技术与市场分析师Pierrick Boulay说:“Yole Développement (Yole)将LiDAR视为实现汽车全自主化的一个关键组成部分,其功能必须达到2+及以上级别。 生产符合车规并具有足够性能水平的传感器,将成为汽车应用大规模采用LiDAR的关键推动力,根据目前的趋势,预计在2019年至2025(2)年之间的复合年增率为+144%。” ArrayRDM-0112A20-QFN符合AEC-Q102和按照 IATF 16949开发。有关LiDAR方案的更多信息,请联系当地的销售办事处。

    安森美半导体(ON) 安森美半导体 激光雷达 SiPM

  • 新的辅助电源方案用于汽车功能电子化

    新的辅助电源方案用于汽车功能电子化

    辅助电源单元在电池电动汽车(BEV)和混合动力电动汽车(HEV)的电源应用中无处不在,对于为控制、通信、安全、驱动等通常低于20 V的各种低压子系统供电至关重要,而且,电源本身的电源可能来自+400 V直流高压总线,如车载充电(OBC)系统或48 V或12 V电池电压轨。在如此广泛的应用范围内,对辅助电源的要求非常多样化,因而市场上产生了无数替代方案和运用。 尽管这些电源是辅助系统,但仍需要确保高可靠性和稳定性,因其在为关键模块供电,如可能包括核心控制器的逻辑级电路,或导通和关断功率金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的门极驱动器。同时,要求紧凑的设计和出色的性价比,因为这些系统不是应用的核心部分,因此应花费尽可能少的资源来完成工作。安全也是最重要的,在大多数情况下,系统必须符合汽车标准,也规定了电磁干扰限制。而且,适应广泛的输入电压范围和适应不同用例的灵活性,使其脱颖而出。最后同样重要的是,辅助电源需要提供高压隔离,特别是如果法规规定,或功能隔离,以实现可靠的运行。 汽车高压辅助电源 根据应用相应的上述要求,辅助电源用在不同的拓扑结构-反激、升压、降压-升压等。它们可采用替代的开关机制,如:准谐振或固定频率,并利用集成或分立技术来传输所需的功率。 图1.基于反激式拓扑的隔离型辅助电源原理图,工作在准谐振峰值电流模式控制下 安森美半导体最近推出了四个新方案:高压辅助电源,适用于基于800 V和400 V电池的BEV和PHEV并提供15 W或40 W功率,以及用于IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET驱动器的隔离型电源。这些方案解决上述挑战并满足所需要求。 SECO-HVDCDC1362-15W15V-GEVB和SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB是极高能效和灵活的初级端调节(PSR)辅助电源,优化用于BEV和PHEV汽车动力总成。这些设计可在250 V至900 V的宽输入直流电压范围内提供稳定的15 V,因此适用于400 V和800 V电池系统。 该方案利用NCV1362准谐振峰值电流PSR反激控制器、成本优化的NVHL160N120SC1 160mΩ1200 V碳化硅(SiC) MOSFET和FFSD0665B-F085 SiC二极管的多种优点。得益于SiC FET的高阻断电压能力和超低门极电荷(34 nC)值,开关损耗显著减小,该设计表现出出色的能效,在低交流电条件下高达86%。 NCV1362控制器出色的驱动能力支持SiC FET在12 V下直接运行,而无需预驱动器,从而简化了布局并减少了物料单的内容。反激式变压器提供4 kV的隔离度,且完全通过汽车级半导体和无源器件实现。 图2. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB的能效 图3. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB框图 图4.15 W高压辅助电源的优势 (SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB) SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB是IGBT驱动器的隔离电源,提供所需稳定电压轨 (-7.5 V和15 V,每个分路50 mA),实现在宽输入电压范围(6 Vdc至18 Vdc)高效开关。还提供了额外的+7.5 V电源轨,以支持任何其他较低电压逻辑。该系统利用NCV3064 DC-DC转换器,实现紧凑而稳定可靠的设计,最小化材料单内容。该板完全采用汽车认证的器件实现,并且与商用IGBT DC - DC电源引脚兼容,从而提供了开箱即用的隔离型驱动器电源方案。使用相同NCV3064的另一个SiC变体SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB [1]将适用于SiC MOSFET开关,为门极驱动器提供+ 20 V /-5V电压轨。 图5.1.5 W IGBT隔离型驱动器电源的优势 (SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB) 图6. SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB框图 新的电源设计用于400 V和800 V电池系统,隔离型电源用于IGBT和SiC门极驱动器,都经过专门设计,可直接集成到应用系统中。 安森美半导体用于汽车辅助电源方案的广泛产品和工具阵容,有助于满足每种应用的要求并提供最佳方案。除了AC-DC控制器和稳压器、DC-DC控制器和稳压器、功率MOSFET、二极管和保护器件的全面产品阵容,以充分实现广泛的设计,我们还提供广泛的硬件和软件评估以及开发工具帮助工程师,可加快开发阶段并缩短新产品的上市时间。

    安森美半导体(ON) 辅助电源 汽车功能电子化 高压辅助电源

  • Strata赋能的汽车LED尾灯方案

    Strata赋能的汽车LED尾灯方案

    如今,全球汽车行业看到在大多数汽车照明应用中使用LED照明的好处和价值。LED的高能效、使用寿命长、低辐射热、高可靠性和高流明密度等特性,使其成为一种很有吸引力的技术。安森美半导体的Strata赋能的汽车LED尾灯评估套件在Strata Development Studio中提供了一个易于使用的平台,来帮助评估这关键汽车应用中的LED系统。 新的评估套件基于可由I2C控制的12通道60 mA LED线性电流驱动器NCV7685,具有以下功能:12个独立控制的脉宽调制(PWM)通道、可变PWM频率、通过单个电阻器的电流设定值和LED 诊断。该方案以安森美半导体的其他关键器件为亮点,如CAT5171数字电位器,FPF2193负载开关,NCV47822双高边开关,FPF2700可调限流负载开关,NCV8853降压控制器,NCV5173升压调节器,NCT375温度传感器和NCS214R电流检测放大器。 图1:框图 让我们演示Strata赋能的汽车LED尾灯评估套件。 首先,下载并安装Strata Developer Studio。然后,将套件随附的微型USB电缆从开发板上插入运行Strata的PC。连接后,将自动检测该板,并通过单击“打开平台控件”按钮立即访问控制用户界面(UI)。控件UI中的导航选项卡易于使用,旨在提供完整的评估体验。 左侧的第一个选项卡是“汽车演示模式”。选中后,将自动启用它以模拟普通汽车的尾灯和前灯。默认配置以每分钟左右方向指示灯均闪烁80次来显示汽车危险指示灯。可以使用用户界面右侧的可单击控件来配置刹车灯,倒车灯,闪光灯和行车灯。必须禁用危险,使用左右闪光灯控件。 以易于使用和直观的用户界面,“ LED控制”选项卡可通过直接控制LED驱动器的I2C寄存器、PWN来全面控制12个LED通道。 “电源”选项卡控制输入电源以及评估板上各种电流、电压和温度遥测的读数。默认电源配置使用USB VBUS的可调输出升压转换器,LED电源的最大功率限制为约2 W。可以通过香蕉插头或桶形连接器连接外部电源,以实现更高的功率运行。 LED串电压由板载升压或降压电源提供或直接从外部香蕉/桶形连接器提供。 “ SAM(独立模式),OTP(一次性编程)和CRC(循环冗余校验)”选项卡可通过使用NCV7685来访问SAM和OTP寄存器,而无需微控制器通过I2C通讯来配置LED驱动器。 I2C地址和CRC也可以设置为非默认值。 图2:平台控制界面 平台的完整资料如原理图、布板、框图、用户指南、测试报告、数据表等都在Strata Developer Studio中的“文档”选项卡下。 图3:平台文档 Strata赋能的汽车LED尾灯评估套件提供测试、测量和控制LED车辆照明中的各种关键设计参数的全面的评估经验,以帮助设计工程师确定该方案是否兼容并完全适合其汽车照明应用。该汽车LED尾灯方案适用于以下领域:仪表盘、组合尾灯(RCL)、日间行车灯(DRL)、雾灯、中央高位停车灯(CHMSL)阵列、转向信号灯和其他外部调制应用。

    安森美半导体(ON) LED尾灯 汽车照明应用

  • 安森美半导体携手梅赛德斯-EQ FE团队重返第7季Formula E

    安森美半导体携手梅赛德斯-EQ FE团队重返第7季Formula E

    作为梅赛德斯-EQ Formula E赛车队的骄傲供应商,安森美半导体为Formula E赛季的首场比赛感到兴奋。这将是第一个机会展示团队在开发下一代电动动力总成创新技术方面的工作,以实现最先进的性能和效率。 安森美半导体与梅赛德斯AMG高功率性能(HPP)部门之间的技术合作为汽车带来了重大进步。 在功率逆变器中使用安森美半导体的碳化硅,与以前的设计相比,提高了汽车的性能,同时还增加了扭矩和加速度。 在整个季节中,团队将继续评估功率逆变器功率级组件的持续性能改进 Formula的总工程师Pierre Godof表示:“在我们的合作过程中,HPP受益于安森美半导体的高科技产品,车队对其技术的深入了解以及愿意突破极限来满足我们的赛车要求。奔驰HPP的E动力总成。“安森美半导体一直在不懈地努力以优化逆变器功率级的能效,为我们提供了在竞争中的重要优势。” 作为汽车行业的全球十大半导体供应商,并拥有超过10,000种汽车级(AEC)产品的行业领先产品组合,参加Formula E为安森美半导体提供了加速创新和能源开发的机会。高效的产品。 安森美半导体的碳化硅技术已通过140场比赛或相当于10个赛季的测试的测试。 “安森美半导体采用最先进的碳化硅技术,使梅赛德斯-EQ Formula E团队能够创造出迄今为止最高效,最可靠的赛车电源逆变器,”赛门铁克市场营销与解决方案高级副总裁戴维•索莫(David Somo)说。安森美半导体。公式E在功率转换,热动力学和高级软件控制方面不断突破。通过赞助商进行测试的技术都是高度相关的,并且可以转移到下一代电动汽车的应用中,这将使消费类汽车行驶得更远,更安全,更可靠。”

    安森美半导体(ON) 电源逆变器 电动动力 碳化硅技术

  • 东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化

    东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化

    中国上海,2021年2月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块---“MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。 为达到175℃的通道温度,该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV(智能柔性封装低电压)封装。这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。 Ø 应用 ・用于轨道车辆的逆变器和转换器 ・可再生能源发电系统 ・工业电机控制设备 Ø 特性 ・漏源额定电压:VDSS=3300V ・漏极额定电流:ID=800A双通道 ・宽通道温度范围:Tch=175℃ ・低损耗: Eon=250mJ(典型值) Eoff=240mJ(典型值) VDS(on)sense=1.6V(典型值) ・低杂散电感:Ls=12nH(典型值) ・高功率密度的小型iXPLV封装 Ø 主要规格

    TOSHIBA东芝半导体 MOSFET 碳化硅 东芝

  • Ethisphere宣布安森美半导体连续第六次入选2021年世界最道德企业之一

    2021年2月24日 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor),获Ethisphere选为世界最道德企业之一,Ethisphere是定义和推进合乎商业道德标准的一个全球领导者。安森美半导体连续第六年获此荣誉,且是半导体行业中仅有的三家获奖公司之一。 安森美半导体总裁兼首席执行官(CEO) Hassane El-Khoury说:“安森美半导体致力于以我们每天的行动来打造更美好的明天。随着公司的不断发展,我们将专注于改善运营方式--无论是与我们的业务、管治和道德规范、员工、环境还是与我们的社区有关。” 安森美半导体致力于与员工、客户、股东和其他利益相关者保持高度的商业道德标准。在践行公司的核心价值观时,每位员工的行为都体现了个人和集体的努力,为他们的同事和业务合作伙伴创造合乎道德规范的工作环境,进一步提高股东价值。 Ethisphere首席执行官Timothy Erblich表示:“在应对2020年的严峻挑战时,我们看到一些企业领先于其他机构,因弹性和对道德规范与诚信的承诺赢得利益相关者的信任。世界最道德企业获奖者持续表现出对最高价值的坚定承诺,并对他们所服务的社区产生积极影响。安森美半导体连续第六年获选为世界最道德企业之一的称号,在此对安森美半导体的每一位员工表示祝贺!” 世界最道德企业(WME)评选方法和评分 世界最道德企业的评选流程基于Ethisphere 专有的Ethics Quotient®,包括200多个关于文化、环境和社会实践、道德与合规活动、管治、多样性和支持强大价值链的举措的问题。该流程作为一个操作框架,用于采集和编纂全球各行业企业的领先做法。今年,该流程得到了简化,问题集获扩大,以衡量申请的企业如何适应和应对全球卫生大流行病、环境、社会和管治因素、安全、公平、包容性和社会公义。 安森美半导体道德与企业社会责任(CSR)副总裁张慧贞说:“我司持续恪守道德、高能效运营的承诺。它们确实是成功业务的基石,指导着影响股东、客户、供应商和员工的深远决策。在极富挑战性的一年里,我们在多方面展示了互敬互重、诚信正直和积极进取的核心价值观,彰显我们如何始终坚定地致力于积极影响员工和我们运营所在的社区。” 安森美半导体的根基仍植根于环境可持续运营、商业道德规范和包容文化。作为负责任商业联盟(Responsible Business Alliance)的正式成员之一,安森美半导体在过去四年入选美国《巴伦周刊》(Barron’s)最可持续发展的100家公司之一,最近排名又升至第10位,成为名单上排名最前的半导体公司。2020年,安森美半导体还获EcoVadis的最高奖项铂金奖,EcoVadis是全球供应链环境、社会和道德绩效评级的领先平台,安森美半导体跻身被评估公司的前1%,并获《世界金融杂志》评为半导体行业最可持续的公司。

    安森美半导体(ON) 安森美半导体 Ethisphere 世界最道德企业

  • 关于隔离电源的正激式和反激式解析,你知道吗?

    关于隔离电源的正激式和反激式解析,你知道吗?

    随着全球多样化的发展,我们的生活也在不断变化着,包括我们接触的各种各样的电子产品,那么你一定不知道这些产品的一些组成,比如开关电源。 开关电源分为隔离型和非隔离型两种。在这里,我们主要讨论隔离式开关电源的拓扑。在下文中,除非另有说明,否则它们均指隔离电源。根据不同的结构形式,隔离式电源可以分为两类:正激和反激。反激是指当变压器的初级侧开启时,次级侧被切断,并且变压器存储能量。当初级侧断开时,次级侧打开,并且能量释放到负载的工作状态。通常,常规的反激式电源具有更多的单管,但双管并不常见。正向型是指当变压器的初级侧接通时,次级侧感应相应的电压并将其输出到负载,能量直接通过变压器传递。根据规格,可分为常规前进,包括单管前进和双管前进。半桥和桥电路都是正向电路。 正激和反激电路都有其自身的特性,可以灵活使用它们,以便在电路设计过程中获得最佳的性价比。通常,反激式可用于低功率场合。对于稍大一点的电路,可以使用单管正向电路。对于中等功率,可以使用双管正向电路或半桥电路。当电压低时,可以使用推挽电路,与半桥工作状态相同。对于高功率输出,通常使用桥式电路,而推挽电路也可用于低电压。 反激式电源由于其结构简单并消除了类似于变压器尺寸的电感而被广泛用于中小型电源。在一些介绍中,提到了反激式电源的功率只能达到几十瓦,而输出功率超过100瓦却没有任何优势,并且很难实现。我认为通常是这样,但不能一概而论。 PI的TOP芯片可达到300瓦。有一篇有关可实现数千瓦功率的反激式电源的文章,但我从未见过实际产品。输出功率与输出电压有关。 反激式电源变压器的漏感是一个非常关键的参数。由于反激电源需要变压器存储能量,以充分利用变压器铁芯,因此通常需要在磁路中打开空气间隙。目的是改变铁心的磁滞。环路的斜率使变压器能够承受大脉冲电流的影响,而铁心不会进入饱和非线性状态。磁路中的气隙处于高磁阻状态,并且在磁路中产生的漏磁比完全闭合的磁路大得多。 。 变压器初次极间的偶合,也是确定漏感的关键因素,要尽量使初次极线圈靠近,可采用三明治绕法,但这样会使变压器分布电容增大。选用铁芯尽量用窗口比较长的磁芯,可减小漏感,如用EE、EF、EER、PQ型磁芯效果要比EI型的好。 关于反激电源的占空比,原则上反激电源的最大占空比应小于0.5,否则环路不易补偿且可能不稳定,但也有一些例外。例如,美国PI公司推出的TOP系列芯片为。它可以在占空比大于0.5的条件下工作。占空比由变压器一次侧和二次侧的匝数比确定。我对反激的观点是首先确定反射电压(输出电压通过变压器耦合反射到初级侧),并且反射电压在一定电压范围内增加。占空比增加,开关管损耗减小。反射电压降低,占空比降低,并且开关管损耗增加。 当然,这也是前提条件。当占空比增加时,这意味着输出二极管的导通时间缩短。为了保持输出稳定,输出电容器的放电电流将确保更多的时间,并且输出电容器将承受更大的高频纹波电流冲击和加热,这在许多情况下是不允许的。增加占空比并改变变压器匝数比将增加变压器的漏感,并改变其整体性能。当漏感能量在一定程度上较大时,可以充分抵消开关大占空比引起的低损耗。此时,没有任何增加占空比的意义,并且由于高漏感抗峰值电压,甚至可能使开关管击穿。由于漏感较大,输出纹波和其他电磁指标可能会变差。当占空比较小时,流经开关管的电流有效值较高,而变压器一次电流的有效值较大,降低了转换器效率,但可以改善输出电容器的工作条件并减少热量的产生。 在研究设计过程中,一定会有这样或着那样的问题,这就需要我们的科研工作者在设计过程中不断总结经验,这样才能促进产品的不断革新。

    电源-能源动力 隔离电源 反激式 正激式

  • 关于开关电源设计过程中常见的一些问题,你知道吗?

    关于开关电源设计过程中常见的一些问题,你知道吗?

    随着全球多样化的发展,我们的生活也在不断变化着,包括我们接触的各种各样的电子产品,那么你一定不知道这些产品的一些组成,比如开关电源,下面来说一说常见的一些故障。 电容故障 电容器损坏引起的故障在电子设备中最高,而电解电容器的损坏最为常见。电容器损坏表现为:容量变小,容量完全丢失,泄漏和短路。电容器在电路中起着不同的作用,由电容器引起的故障具有其自身的特征:在工业控制电路板中,数字电路占绝大多数,电容器主要用于功率滤波,而电容器较少用于信号耦合和耦合。 或输出电压没有得到很好的滤波,并且由于电压不稳定,电路在逻辑上是混乱的,这表现为机器工作不正常或无法开机。如果电容器连接在数字电路的正极和负极之间,则该故障的行为将如上所述。这在计算机主板上尤其明显。几年后,许多计算机有时无法打开,有时可以打开。打开机壳,经常会看到电解电容器鼓胀的现象,如果卸下电容器来测量容量,发现会比实际值低很多。 电阻故障 经常看到,许多初学者在修理电路时都在折腾电阻,然后将其拆下并焊接。实际上,它已经修复了很多。只要您了解电阻的损坏特性,就不需要花费很多时间。电阻是电气设备中数量最多的组件,但不是损坏率最高的组件。开路是最常见的电阻损坏类型。很少有电阻值变大而电阻值变小的情况。常见的是碳膜电阻器,金属膜电阻器,绕线电阻器和保险电阻器。 前两种类型的电阻器使用最广泛。它们损坏的特征之一是低电阻(低于100Ω)和高电阻(高于100kΩ)的损坏率很高,而中电阻值(例如数百欧姆至数十千欧姆)的损坏很小;其次,当低电阻电阻器损坏时,它们经常被烧黑,这很容易找到,而高电阻电阻器很少损坏。 绕线电阻一般用于高限流,电阻值不大;当圆柱形线绕电阻器被烧毁时,一些电阻器会变黑或表面破裂或破裂,而另一些则没有痕迹。水泥电阻器是一种线绕电阻器,烧坏时可能会折断,否则无明显痕迹;当保险丝电阻烧坏时,会在某些表面上吹掉一块皮肤,有些表面没有痕迹,但绝不会被灼伤或变黑。 运算放大器故障 运算放大器好坏的判别对相当多的电子维修者有一定的难度,不只文化程度的关系,在此与大家共同探讨一下,希望对大家有所帮助。理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性,这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为了保证线性运用,运放必须在闭环(负反馈)下工作。如果没有负反馈,开环放大下的运放成为一个比较器。 SMT元件故障 一些SMD组件非常小,使用普通的万用表笔很难进行测试和维修。一个是容易引起短路,另一个是涂有绝缘涂层的电路板不方便接触组件引脚的金属部分。这是一种告诉所有人的简便方法,它将为检测带来很多便利。取两根最小的缝纫针,将其与万用表笔闭合,然后从多股电缆上取一根细铜线,将测试笔和缝纫针与一根细铜线绑在一起,然后牢固焊接。 公共电源短路故障 在电路板维护中,如果遇到公共电源短路,则故障通常会很大,因为许多设备共享同一电源,并且怀疑使用此电源的每个设备都发生了短路。如果板上没有很多元件,那么“接地”的方法最终可以找到短路点;如果组成太多,“锄大地”能不能锄到状况就要靠运气了。在这里推荐一种更有效的方法。使用此方法只需花费一半的精力即可获得两倍的结果,而且故障点通常可以很快找到。 板故障 工业控制中使用了越来越多的板,许多板使用金手指插入插槽。由于恶劣的工业现场环境,多尘,潮湿和腐蚀性气体环境,很容易引起电路板的不良接触故障。许多朋友可以通过更换板来解决问题,但是购买板的成本非常可观,尤其是某些进口设备的板。实际上,您不妨使用橡皮擦几次擦金手指,清除金手指上的污垢,然后重试机器。

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  • 关于铅酸蓄电池的工作原理以及它的性能特点分析

    关于铅酸蓄电池的工作原理以及它的性能特点分析

    在科学技术高度发达的今天,各种各样的高科技出现在我们的生活中,为我们的生活带来便利,那么你知道这些高科技可能会含有的铅酸蓄电池吗?铅酸蓄电池是化学电池中市场份额最大、使用范围最广的电池,特别是在起动和大型储能等应用领域,在较长时间尚难以被其他新型电池替代。铅酸蓄电池价格较低,具有技术成熟、高低温性能优异、稳定可靠、安全性高、资源再利用性好等比较优势,市场竞争优势明显。 定义:电极主要由铅及其氧化物制成,电解液是硫酸溶液的一种蓄电池。 英文名称:Lead-acid battery 。放电状态下,正极主要成分为二氧化铅,负极主要成分为铅;充电状态下,正负极的主要成分均为硫酸铅。分为排气式蓄电池和免维护铅酸电池。 与其他电池金属材料相比,铅资源相对丰富。铅储量和回收铅可确保铅酸电池行业在相当长的一段时间内可持续发展。铅酸电池的大规模应用不会长时间导致铅资源的短缺。铅酸电池的缺点是:能量密度低,循环寿命短,主要原料铅是一种有毒物质,在电池生产和再生铅加工过程中存在铅污染的风险,管理不善。可能导致环境和人类健康伤害。 电池主要由管状正极板,负极板,电解液,隔板,电池槽,电池盖,极柱,注液盖等组成。排气电池的电极由铅和氧化铅制成,电解液为硫酸水溶液。主要优点是电压稳定,价格低廉;缺点是比能量低(即每千克电池存储的电能),使用寿命短和日常维护频繁。老式普通电池的使用寿命通常约为2年,因此必须定期检查电解液的高度并添加蒸馏水。然而,随着技术的发展,铅酸电池的寿命变得更长,维护也变得更加容易。 随着新技术的突破和新结构的应用,铅碳电池,双极电池,无铅网格电池和其他先进的铅酸电池的不断出现改变了低质量能比和短周期生活。随着法律法规的逐步完善和管理水平的提高,铅污染的风险也可以得到预防和控制。它为铅酸电池行业的可持续发展注入了新的活力。将来,铅酸电池在备用电源,储能,启动和电源等应用中仍将发挥重要作用。 铅酸电池最明显的特点是它的顶部有一个拧松的塑料密封盖,上面有一个通风孔。这些填充盖用于填充纯净水,检查电解质和废气。从理论上讲,每次维护期间都需要检查铅酸电池的电解液密度和液位,如果短缺,应添加蒸馏水。然而,随着电池制造技术的升级,铅酸电池已经发展成铅酸免维护电池和胶体免维护电池。铅酸电池在使用过程中不需要添加电解质或蒸馏水。主要目的是使用正极产生氧气,氧气可在负极吸收以达到氧气循环,从而防止水分减少。 目前,大型工业化二次电池主要包括铅酸电池,镍镉电池,镍氢电池和锂离子电池。镍镉电池包含剧毒的镉元素,已逐渐被其他电池取代。当前,市场上使用最广泛的电池是铅酸电池,锂离子电池和镍氢电池。 铅酸电池是最便宜的二次电池,单位能量的价格约为锂离子电池或镍氢电池的1/3。另外,铅酸电池的主要成分是铅和铅化合物。铅含量高达电池总质量的60%。废旧电池的残值很高,回收价格超过新电池的30%。因此,铅酸电池的总体成本较低。 铅酸电池结构简单,再生技术成熟,回收利用价值高。它们是最容易回收和再利用的电池。全球回收铅的产量已超过原始铅的产量。美国铅酸电池的再利用率已超过98.5%,我国废铅酸电池的再利用率已达到90%以上。镍镉电池,镍氢电池和锂离子电池大多是小型电池,其组成复杂,再生成本高且难以回收。再生产业很难实现以市场为导向的运作。 以上就是铅酸蓄电池的一些值得大家学习的详细资料解析,希望在大家刚接触的过程中,能够给大家一定的帮助,如果有问题,也可以和小编一起探讨。

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  • 关于锂电池爆炸起火的原因以及一些处理方法,你知道吗?

    关于锂电池爆炸起火的原因以及一些处理方法,你知道吗?

    随着社会的快速发展,我们的锂电池也在快速发展,那么你知道锂电池爆炸起火的原因的详细资料解析吗?接下来让小编带领大家来详细地了解有关的知识。 尽管锂电池通常非常安全,但它们有时仍会着火或爆炸。我们经常看到由锂电池引起的各种安全事故。最令人印象深刻的是锂电池引起的爆炸和着火。锂电池自诞生以来已经发展了十多年。当前市场上的大多数手机还内置锂电池。尽管经过数十年的发展,锂电池仍然不能保证100%的安全性。在环境中,甚至可能发生爆炸。 锂电池是一种小巧轻便的电池,具有足够的功率,在连续充电和放电条件下仍可以正常运行。尽管很少发生事故,但所有事故都是重大事故,或引起火灾和爆炸。锂电池如何燃烧?例如,当锂电池在内部或外部短路时,它将在短时间内释放大量热量,并且温度将急剧上升,从而导致热量失控。然后,该易燃电解质将被点燃,最终导致电池着火或爆炸。 锂的储量极佳。滴流式释放后,它将为您的手机供电一整天。但是当一次全部释放时,电池会爆炸。大多数锂电池起火和爆炸是由短路引起的。当塑料隔板失效时,会发生这种情况,从而使阳极和阴极直接接触。一旦两极融合在一起,电池就会开始过热。 锂离子电池通常含有一个金属线圈和易燃的锂离子液体。微小的金属碎片漂浮在液体之中。电池的内容物处于压力之下,所以如果一块金属碎片刺穿了保持物件分离的隔板时,或者电池被刺穿,那么锂与空气中的水发生剧烈反应所产生的高温,有时会导致锂电池着火。 锂电池爆炸有两个重要原因,一个是短路,另一个是过充电。短路很容易理解,即电池的正负极直接接触。首先,在正常的短时间内,小范围内的短路产生的热量实际上很小,并且不会引起热失控。电池本身的设计中使用了防爆阀,这意味着当电池的内部压力超过一定值时,防爆阀将打开并且热量会迅速消散。第二个是正常使用的电池充电设备具有过充电保护功能,当电池电压达到一定值时,它将停止充电。第三单元的外壳本身是钢外壳,具有良好的保护作用。 锂电池以最小的重量提供高功率输出。电池组设计为轻巧的,这意味着电池和薄型外壳之间的分隔壁很薄。分离器和涂层非常脆弱,可以刺穿。如果电池损坏,则会发生短路。单个火花也可以点燃高活性锂。另一可能性是锂电池可能被加热到热失控点。在此,内含物的热量对电池施加压力,这可能会导致锂电池爆炸。 当锂电池正极部位的负极部位容量不足时,充电时所产生的锂原子无法插入负极石墨的间层结构中,会析在负极的表面,形成结晶。在锂电池中长期形成结晶会导致短路,这时电芯急剧放电,会产生大量的热,烧坏隔膜。高温会使电解液分解成气体,当压力过大时,电芯就会爆炸。 防止锂离子电池着火或爆炸的措施是寻找锂离子电池的热爆炸机理。 锂离子电池的热爆炸机理是:当电池遭受热冲击,过度充电,过度放电,短路,振动,挤压等时。在滥用状态下,活性物质与金属之间会发生化学和电化学反应。 电池内部的电解质会产生大量的热量和气体,从而导致电池发热。 如果锂离子电池内部的发热率大于热量损失率,则系统中的反应温度将继续升高,并且当热量和内部压力累积到一定水平时,将导致电池燃烧或燃烧。 爆炸。 以上就是锂电池的有关知识的详细解析,需要大家不断在实际中积累经验,这样才能设计出更好的产品,为我们的社会更好地发展。

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  • 关于常见的全固态电池电极材料,你知道有哪些吗?

    关于常见的全固态电池电极材料,你知道有哪些吗?

    尽管在固体电解质和电极材料之间的界面上基本上没有固体电解质分解的副反应,但是固体特性使电极/电解质的界面相容性差,并且界面阻抗过高,严重影响了离子的传输,最终导致固态电池的循环寿命低且性能不佳。另外,能量密度不能满足大型电池的要求。电极材料的研究主要集中在两个方面:一是修饰电极材料及其界面,以提高电极/电解质界面的相容性。另一种是开发新的电极材料,以进一步提高固态电池的电化学性能。 正极材料 全固态电池阴极通常使用复合电极,除了电极活性材料外,复合电极还包括固体电解质和导电剂,它们在电极中传输离子和电子方面发挥着作用。 LiCoO2,LiFePO4,LiMn2O4和其他氧化物阴极通常用于全固态电池中。当电解质是硫化物时,由于化学势的巨大差异,氧化物正电极比硫化物电解质更强地吸引Li +,从而导致大量Li +移动到正电极,界面中的锂电解质不良。 如果氧化物正电极是离子导体,则在正电极处还将形成空间电荷层。然而,如果正极是混合导体(例如,LiCoO 2既是离子导体又是电子导体),则氧化物中的Li +浓度将通过电子传导而被稀释。电荷层消失。此时,硫化物电解质上的Li +再次移动到正极,并且电解质上的空间电荷层进一步增加,导致影响电池性能的非常大的界面阻抗。 在正极和电解质之间添加离子导电氧化物层可以有效地抑制空间电荷层的产生并降低界面阻抗。另外,增加正极材料的离子电导率可以达到优化电池性能和增加能量密度的目的。为了进一步提高全固态电池的能量密度和电化学性能,人们还积极研究和开发新的高能阴极,其主要包括高容量三元阴极材料和5V高压材料。三元材料均具有层状结构,理论比容量高。 除氧化物阴极外,硫化物阴极也是所有固态电池阴极材料的重要组成部分。这样的材料通常具有高的理论比容量,其是氧化物阴极的理论比容量的几倍或什至一个数量级。它与具有良好导电性的硫化物固体相容。当匹配电解质时,由于化学势相似,所以不会引起严重的空间电荷层效应,并且期望所获得的全固态电池满足高容量和长寿命的实际循环要求。 阳极材料 金属锂负极材料 由于其高容量和低电势,它已成为所有固态电池最重要的负极材料之一。但是,金属锂在循环过程中会产生锂树枝状晶体,这不仅会减少可用于插入/脱附的锂的数量,还会严重引起安全问题,例如短路。 另外,金属锂非常活泼并且容易与空气中的氧气和水分反应,并且金属锂不能承受高温,这给电池的组装和应用带来了困难。添加其他金属和锂以形成合金是解决上述问题的主要方法之一。这些合金材料通常具有较高的理论容量,并且其他金属的添加降低了金属锂的活性,这可以有效地控制锂枝晶的形成和形成。电化学副反应的出现促进了界面的稳定性。然而,锂合金负极具有一些明显的缺陷。主要原因是电极体积在循环过程中发生很大变化。在严重的情况下,电极粉会失效,循环性能会大大降低。同时,由于锂仍然是电极的活性材料,因此仍然存在相应的安全隐患。 碳基负极材料 具有碳基团的碳基,硅基和锡基材料是用于全固态电池的另一重要负极材料。碳基材料通常以石墨材料为代表。石墨碳具有适合锂离子插入和提取的层状结构,具有良好的电压平台,充放电效率超过90%。但是,低的理论容量(仅372mAh / g)是此类材料的最大缺点。目前的实际应用已基本达到理论极限,不能满足高能量密度的要求。 氧化物阳极材料 主要包括金属氧化物,金属基复合氧化物和其他氧化物。这些氧化物均具有较高的理论比容量。然而,在从氧化物代替元素金属的过程中,消耗大量的锂,导致巨大的容量损失,并且循环过程伴随着巨大的体积变化,这导致电池碳基材料的失败。这个问题可以改善。

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  • 用固态电解质代替液体电解质的固态电池概况分析

    用固态电解质代替液体电解质的固态电池概况分析

    人类社会的进步离不开社会各界的努力,而各种电子产品的升级离不开设计师的努力。实际上,很多人不了解电子产品的组成,例如固态电池。二次电池的发展已从早期的铅酸电池发展到后来的镍镉和镍氢电池,再到商业化的二次锂离子电池和钠硫电池以存储电网能量。锂电池使用锂作为能量传输的存储介质。锂的轻量级和低氧化还原电势使锂离子电池比其他类型的电池获得更高的输出电压和能量密度。 用固体电解质代替液体电解质是获得所有具有高能量密度,安全性和长循环寿命的固态电池的基本方法。全固态电池可以避免液体电解质的负面影响,并提高电池安全性和使用寿命。因此,固态电池研究已成为今年锂电池的流行方向。 固态电池是诸如液体电池(包括主流的磷酸铁锂,三元,钛酸锂等)等大型电池的总称。核心功能是使用固体电极和固体电解质。传统的液态锂电池也被科学家形象地称为“摇椅电池”。摇椅的两端是电池的正极和负极,中间是电解液(液体)。锂离子就像一个出色的运动员,在摇椅的两端来回奔跑。在锂离子从正极向负极然后向正极移动的过程中,完成了电池的充电和放电过程。 固态电池的原理是相同的,区别在于其电解质是固体,其密度和结构允许更多的带电离子聚集在一端,传导更多的电流,然后增加电池容量。因此,在相同的功率下,固态电池的体积将变小。不仅如此,由于固态电池中没有电解质,因此更容易密封。当用在诸如汽车的大型设备中时,不需要添加额外的冷却管,电子控制装置等,这不仅节省了成本,而且有效地减轻了重量。 使用固体电解质代替液体电解质可以将正极和负极之间的距离缩短至仅几至十微米,从而大大减小了电池的厚度。因此,全固态电池技术是继电池小型化和薄膜化之后的唯一途径。不仅如此,许多通过物理/化学气相沉积(PVD / CVD)制备的全固态电池的总厚度可能只有几十微米,因此它们可以制成非常小的功率器件并集成到MEMS中。(微机电系统)。在该领域。制造非常小的电池的能力也是所有固态电池技术的主要特征。它可以促进电池在各种新型小型智能电子设备中的应用,而此时传统的锂离子电池技术很难实现。 固体电解质是不易燃,不腐蚀,不挥发的,并且没有泄漏问题。在传统锂电池的充电和放电过程中,锂枝晶的生长很容易刺穿隔膜,导致电池短路并构成安全隐患。固态电解质是不易燃,不腐蚀,不挥发的,并且不存在液体泄漏的问题。它还克服了锂枝晶现象,因此全固态电池具有极高的安全性。 功能化全固态电池的潜力远远超过了上述柔性电池。在优化电池材料结构之后,可以将它们制成透明电池或拉伸范围高达300%的可拉伸电池,也可以将它们与光伏设备集成在一起以生成功率存储集成设备。全固态电池为功能创新应用提供了许多前景。在这方面,研究人员和工程师的想象力将带给我们越来越多的惊喜。 这是电压平台的改进,并且电池的能量密度将增加。有机电解质的电化学窗口有限,并且难以与锂金属阳极和新开发的高电势阴极材料兼容。然而,固体电解质通常具有比有机电解质更宽的电化学窗口,这有助于进一步增加电池的能量密度。其次,固体电解质可以防止锂树枝状晶体的生长,大大提高了材料应用系统的范围,并为具有更高能量密度空间的新型锂电池技术奠定了基础。 固态电池市场中“大蛋糕”的“蛋糕胚”已经完成,仍然有许多问题需要解决,包括固态电池的高成本,复杂和不成熟的制备过程,另一方面,固态电池的整体倍率性能低,内阻较大。在不久的将来很难实现快速充电,因此固态电池仍有一段路要走。本文只能使您对固态电池有一个初步的了解。这对您入门很有帮助。同时,您需要继续进行总结,以便提高您的专业技能。也欢迎您讨论本文的一些知识点。

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