3月24日消息,据外媒报道,三星电子缩小了与芯片巨头英特尔的差距,其市场份额差从5.3%缩小到4.3%。据市场研究公司IHSiSuppli调查显示,三星去年发布338亿美元销售收入,排名第2。在内存和系统芯片领域比前一年上涨8
据美国彭博社3月23日消息,韩国企业在全球市值500强企业中的排名下跌,三星电子从去年的第22名跌至第26名。据报道,韩国企业排名出现下滑。三星电子从去年的第22名跌至第26名,现代汽车从第204名跌至第209名,现代摩
3月24日消息,据外媒报道,三星电子缩小了与芯片巨头英特尔的差距,其市场份额差从5.3%缩小到4.3%。据市场研究公司IHSiSuppli调查显示,三星去年发布338亿美元销售收入,排名第2。在内存和系统芯片领域比前一年上涨8
21ic电子网讯:每年3月是三星电子中国总部发布年度员工晋升名单的日子,也是三星中国总部所在的招商局大厦周围的饭店、酒吧生意最好的时候。随着三星电子去年在中国的业绩达到创纪录的1500亿,三星中国员工的晋升力度
3月11日,三星电子中国区总经理唐国庆一行来到深圳市洲明科技股份有限公司进行参观考察,双方高层就战略合作展开了座谈会议,合作主要在LED照明业务领域展开。 三星此次到访洲明,是继去年12月在杭州招
据韩联社报导,三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产,SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实,往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制
21ic讯 空气产品公司(Air Products) 宣布公司再次赢得了三星电子有限公司的一项重要合同,为后者在西安的芯片厂提供全套大宗特种气体以及化学品输送系统。根据合同,空气产品公司设计并建造大宗特种气体供应系统,并
消息人士周四透露,美国白宫正在测试三星电子和LG电子的智能手机手机用于内部使用,这威胁到黑莓最后、最备受瞩目的势力范围。据悉,白宫内部技术团队和白宫通信机构(负责奥巴马总统通讯的军事部门)正在对相关的设
据韩联社报导,三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产,SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实,往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制
LED半导体照明网讯 3月11日,三星电子中国区总经理唐国庆一行来到深圳市洲明科技股份有限公司进行参观考察,双方高层就战略合作展开了座谈会议,合作主要在LED照明业务领域展开。 三星此次到访洲明,是继去
显示器经过前几年的沉寂之后,现在步入了多飞速发展期,各类显示器如雨后春笋般涌入市场。显示器的应用面变的非常广泛,同时显示器的针对性也比较强了。显示器的各大部件都有所改变,面板、屏幕都有很好的提高,分辨
据韩联社报导,三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产,SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实,往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制
来自业内的消息,随着品牌和白牌手机厂商为了提升中低端手机市场份额而采用4核芯片,8核处理器在所有手机处理器中所占比例仍然很低。该消息称,虽然三星电子对其8核手机的销量持乐观态度,Galaxy S5的出货量是否能赶
3月17日消息,据台湾电子时报报道,来自业内的消息,随着品牌和白牌手机厂商为了提升中低端手机市场份额而采用4核芯片,8核处理器在所有手机处理器中所占比例仍然很低。该消息称,虽然三星电子对其8核手机的销量持乐
3月11日,三星电子中国区总经理唐国庆一行来到深圳市洲明科技股份有限公司进行参观考察,双方高层就战略合作展开了座谈会议,合作主要在LED照明业务领域展开。 洲明科技携手三星电子达成战略合作 三星此次到访洲明,
作为尖端半导体解决方案的全球领先企业,三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4GbDDR3DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机,克服了20纳米DRAM微细化的技术限制,开创了内存存
由于大陆触控面板市场快速成长,大陆业者采用新材料的速度又比南韩快,加上在智慧型手机与平板电脑领域大陆业者逐渐占有一席之地,这使得南韩材料与设备业者,也开始向大陆集结。ETNews引述南韩业界消息,指出三星电
三星电子成功量产20纳米DRAM,展示了在半导体领域的主导地位。三星电子3月11日发布称“公司在全球率先启动了20纳米4Gb DDR3 DRAM的量产工作”。1纳米等于十亿分之一米,20纳米仅相当于头发丝粗细的2500分之
1、三星电子量产20纳米4Gb DDR3三星电子近日宣布正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机,克服了20纳米DRAM微细化的技术限制,创新性地研发出“改良版双重照
三星电子日前宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。 三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机,克服了20纳米DRAM微细化的技术限制。NAND闪存的基本存储单元由一个晶体管构