有人问如何解决上海新昇第2、3期的投资支出,担心上海新阳在上海新昇的股权比例会进一步稀释。对此,上海新阳表示,上海新昇第2、3期的投资采用什么方式、何时投资尚在讨论沟通中,就上海新阳而言,任何的决定都会考虑有利于上海新昇的发展。
有投资者就传闻“大硅片已通过中芯国际认证”向上海新阳求证。
日前,苏州晶瑞化学股份在互动平台表示,公司i线光刻胶已通过中芯国际集成电路制造(天津)有限公司上线测试并取得供货订单。
上海市委副书记、市长应勇5日调研本市重大投资项目建设情况时指出,要深入学习贯彻习近平总书记在首届中国国际进口博览会开幕式上的主旨演讲和考察上海时的重要讲话精神,按照市委、市政府部署,在提高城市经济密度、提高投入产出效率上下功夫,在提升配置全球资源能力上下功夫,在增强创新策源能力上下功夫,大力发展先进制造业和战略性新兴产业,加快建成一批引领性强、带动性大、成长性好的重大项目,着力提升实体经济发展质量和能级,走稳走实走好新时代上海高质量发展之路。
中芯国际日前发出警语,指出行业的复苏期预计要到 2019 年第 2 季,暗示目前行业正在“过冬期”,然而公司从上到下仍是积极拼业绩、抢订单,从 CO-CEO 赵海军在 11 月初身体力行亲自赴台湾拜访 IC 设计客户,展现积极决心!
中芯国际发布公告。根据公告,其第三季营收8.51亿美元,环比下降4.5%,同比上升10.5%;净利2655.90万美元,环比下降48.5%,同比上涨2.5%。中芯国际使用了非公认准则的营运结果测量。
第三季度毛利为1.745亿美元,与上一季度2.178亿美元(不含技术授权收入影响为1.675亿美元),去年第三季度1.773亿美元。第三季度毛利率为20.5%,上一季度为24.5%(不含技术授权收入影响为19.7%),去年第三季度为23%。
近日,芯动科技有限公司CTO Roger Mao带领团队拜访芯恩(青岛)集成电路有限公司,就充分发挥双方技术资源优势,实现合作共赢展开深入的交流,芯恩董事长,中芯国际创始人张汝京博士率高管层出席会议。
10月24日,有台湾媒体称,梁孟松已从中芯离职,打算自己另起炉灶,用自己的团队建构一家新的晶圆代工公司。
美国对于中国实施的加征关税以及封杀中兴通讯(ZTE)之举,惹怒了中国的中产阶级,他们越来越热衷于支持政府投资技术以独立于美国的措施。
在10月22日召开的2018年北京微电子国际研讨会暨IC World大会上,北京市经济技术开发区管委会副主任张继红介绍,2017年北京亦庄以集成电路为代表的电子信息产业实现产值723亿元,增长了16.5%,已经初步形成集成电路设计、制造、关键设备生产、投融资等更完备的产业生态体系。
近日,中国电子科技集团有限公司所属中电科电子装备集团有限公司正式发布了“SEMICORE烁科”系列品牌,旨在整合公司在国家电子工艺装备研发、制造及服务领域的技术能力,继承军工科研院所传统优势资源,集中力量攻关集成电路制造装备核心技术。
自从中国2014年设立规模220亿美元的中国国家集成电路产业投资基金以来,大约有1300名台湾工程师登“陆”成功。台湾猎头机构智理管顾的经理林裕轩(Lin Yu-Hsuan,音译)称,仅管大陆也挖角日韩工程师,但语言相通的台湾工程师更有吸引力。
日前,长电科技公告宣布,其非公开发行新增股份已完成登记手续,募集资金总额为36.19亿元,发行后国家大基金成为第一大股东、中芯国际成为第二大股东。
2018 年的中国半导体产业发展被形容为在敌人的隆隆炮火下匍匐前进,虽低调却始终有沉稳且惊喜的突破,如近期中芯国际的 14 纳米研发成功,以及长江存储提出惊艳国际的 Xtacking 技术,好消息是接二连三,而即将接下第三棒喜迎“芯”事的半导体大厂,将是上海华力微电子。这也是中国芯片产业 1 年内在高阶技术“连下三城”的重大进展。
中芯目前仍处于过渡时期,但整体运营状况优于预期。目前已经在14nm FinFET技术开发上获得重大进展,第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。28nm工艺方面,28nm HKC版本产量持续上升,良率达到业界水平.
8月10日消息,据香港媒体报道,中芯国际(SMIC)发表声明,称公司第二季度营收增长势头强劲,并在14纳米FinFET技术开发上取得巨大进展。在中美贸易战的当头,中国大陆的芯片厂商传出这样的消息是让国人为之振奋。
根据媒体报导,中国晶圆代工厂商中芯国际的天津厂,日前举行了 P2 Full Flow 扩产计划的首台设备进驻仪式。而检测设备大厂柯磊国际 (KLA-Tencor China) 的 RS200 型检测设备,就是该次中芯国际天津厂的首台进驻设备。
中国大陆存储器业者的生产计划包括福建晋华、合肥长鑫、长江存储、紫光集团,预定投产时间介于2018年下半年-2019年,主要产品包括DRAM、利基型存储器、NAND Flash,初期产能介于2-5万片,未来最大产能可望上冲4-10万片,中长期计划更将扩大至12.5-30万片的规模。但是由于短期内国际购并案推行不易,技术、人才取得受阻,导致短期内中国大陆发展存储器产业仍需克服专利及人力等重重障碍。
近日,中国科学院大学微电子学院与中芯国际集成电路制造有限公司在产学研合作中取得新进展,成功在光刻工艺模块中建立了极坐标系下规避显影缺陷的物理模型。通过该模型可有效减小浸没式光刻中的显影缺陷,帮助缩短显影研发周期,节省研发成本,为确定不同条件下最优工艺参数提供建议。该成果已在国际光刻领域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS发表。