由TA7335P组成的调谐电路
本例描述了一个用于电路问题诊断(如过热元件和热失控)的双晶体管热探针。虽然探针并不能提供精确的温度测量,但可以用探测二极管简单地试探某个可疑元件,从而对潜在的
本文主要针对用于ESD防护的SCR结构进行了研究。通过对其ESD泄放能力和工作机理的研究,为纳米工艺下的IC设计提供ESD保护。本文的研究主要集中在两种常见的SCR上,低触发电压SCR(LVTSCR)与二极管辅助触发SCR(DTSCR)。本文也对以上两种SCR结构进行了改进,使得其能够在不同工作环境和相应电压域下达到相应的ESD防护等级。本文的测试与分析基于传输线脉冲测试仪(TLP)与TCAD仿真进行,通过对SCR中的正反馈工作机理的阐述,证明了SCR结构是一种新颖有效的ESD防护器件。
结合自己做项目的经验,下载和大家聊聊我对二极管应用中需要注意的地方。1、对二极管来说,任何时候都不要超过他的实际反压,否则,反向电流急剧变大,或损坏.2、设计时一定要留余量,至少要80-90%以下.可以参考一些大的电
灭蚊灯电路
白炽灯降压电路
让您的最新逻辑电路运行起来,一切都按设计要求运行。然后关掉电源,电路却依然工作。这是怎么回事? 在当今世界,使用的都是即插即用型器件而且强调省电,因此通常有
全波桥式整流器可将交流信号转换为全波直流信号。 通常,由四个二极管组成的电桥可实现全波整流。 图1所示为以串联对排列的四个二极管,其中每半个周期内有两个二极管传导电流。 在任意给定时刻,两个二极管正向偏
摘要 文中以常见的斩波电路为研究对象,通过对电路的电流、电压和功率要素的分析与计算,将各要素用占空比D表示,井从占空比的角度分析以上要素的极值与范围,从而体现占空比对器件要素性能的最优控制及影响,为用
随着功率电子和半导体技术的快速进步,各类电力电子应用都开始要求用专门、专业的半导体开关器件,以实现成本和性能的共赢。与传统的非穿通(NPT) IGBT相比,场截止(FS)
对模拟电路的掌握分为三个层次:初级层次:是熟练记住这二十个电路,清楚这二十个电路的作用。只要是电子爱好者,只要是学习自动化、电子等电控类专业的人士都应该且能够记住这二十个基本模拟电路。中级层次:是能
如图,这里取Vss = 0v,不取-10v1、当Ua=Ub=0v时,D1,D2都截至,那么y点为0v.2、当Ua=3v,Ub=0v时,此时D1导通,Uy=3-0.7=2.3v,D2则截至同理Ua=0v,Ub=3v时,D2导通,D1截至,Uy=2.3v.3、当Ua=Ub=3v时,此时D1,D2都
所示为DTL反相器电路的内部结构(M5936P).输入端采用二极管,信号处理为晶体管, 电源为+5V。当输入端A为高电平(数字“I”)时,二极管VDI截止,晶体管VTI导通,晶体管VT2 导通输出为低电平(数字&ldqu
混频电路
Vishay推出超小型双向对称单线ESD保护二极管日前,Vishay推出采用LLP006封装的新款双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具
计算大多数半导体器件结温的过程广为人知。通常情况下,外壳或引脚温度已知。测量裸片的功率耗散,并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示),以计算外壳至结点的温升
缓冲放大器
7月5日—7月8日,被台商称为进入华东市场 “最稳当踏板“的第五届昆山电子电机暨设备博览会在昆山拉开序幕。20多个国家和地区的海外参观团前来接洽,536家参展企业悉数展示最新产品。华强展团集中展示近20家会员企业
21ic讯 意法半导体的新系列场效应整流二极管(FERD)完美解决了低正向压降(VF)与低漏电流(IR)之间不可兼得的矛盾关系,让充电器和笔记本适配器等设备的设计人员在无需使用成本更高的同步整流管的前提下满足要求最严格的
晶闸管截止式延时电路之六