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压力引入的突发噪声：陶瓷电容器中的颤噪
在设计一个低噪声放大器电路时，我的注意力被某些有意思的运行方式所吸引。在我的工作台上随意移动印刷电路板 (PCB) 使得输出电压突然变化!由于感到很有意思，我决定进行一个测试：我重复轻轻敲打PCB，与此同时观察
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建立FETching分立式放大器的一些提示
简介用于光电二极管、压电以及其他仪器仪表应用的低噪声放大器所要求的电路参数一般是：极高的输入阻抗、低1/f噪声或亚皮安偏置电流等，而提供的集成产品无法满足这些要求。本文讨论使用分立元器件设计低噪声放大器
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英飞凌低噪声放大器在无线数据接收中的应用
【引言】本文详细阐述了英飞凌低噪声放大器BGA7x1N6如何有效地降低系统噪声系数，提升信道容量，并分析了低噪放性能和电路仿真以及实测结果，结果表明，使用LTE LNA可提高接收灵敏度约3dB，提高数据速率约最高可到
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基站对高集成度低噪声放大器的要求
随着无线宽带系统的频率带宽越来越宽，基站性能的要求也越来越高。低噪放，作为基站塔放中的关键器件之一，它不仅影响基站的覆盖范围，而且也决定了其他邻近基站的发射
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超小信号低噪声放大器（增益大小10dB）
系统简介：某款接收机接收来至WIFI发射的信号，由于WIFI信号比较小(大约在-90db到-60db左右)，需要通过一种低噪声的放大器，来放大有用信号，提高接收机的灵敏度。实验目的：更具协议要求放大WIFI小信号。中心频率：
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低噪声放大器
低噪声放大器
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调谐电路的基本组成方框图
调谐电路的基本组成方框图
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利用ADS设计低噪声放大器
低噪声放大器性能指标及设计步骤低噪声放大器的性能指标频率范围: 2. 0 ～2. 25 GHz;信号源阻抗: 50Ω;增益> 10 dB;噪声系数< 2 dB;稳定性: Unconditional。设计步骤放
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射频低噪声放大器电路的结构设计
1、射频LNA设计要求低噪声放大器(LNA)作为射频信号传输链路的第一级，它的噪声系数特性决定了整个射频电路前端的噪声性能，因此作为高性能射频接收电路的第一级LNA的设计必
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基于功耗限制的CMOS低曝声放大器最优化设计
在无线射频接收机中，射频信号要经过诸如滤波器、低噪声放大器及中频放大器等单元模块进行传输。由于每个单元都有固有噪声，从而造成输出信噪比变差。采用多级级联的系统
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采用PLL技术的接收机射频前端的设计
射频前端模块性能关系到整个接收机的性能。本文通过对接收机进行研究，分析了超外差接收机的特点，提出了一种采用PLL技术的接收机的射频前端方 案，及对射频前端的关键技术指标进行了分析。并通过软硬件平台进行验证
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基于WCDMA接收机系统的低噪声放大器设计
摘要 介绍了低噪声放大器的基本工作原理，并对噪声源进行了分析。提出了采用先进的TSMC90 nm工艺，设计了一种基于WCDMA接收机系统的全差分拓扑共源共栅型低噪声放大器。该放大器片内集成了电感、电容。片外配置匹配
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英飞凌新型LTE低噪声放大器LNA Bank让智能手机数据速率提升96%
21ic讯 英飞凌科技股份公司近日推出旨在提高智能手机数据速率的全新系列LTE低噪声放大器(LNA)和四频LNA Bank。LTE(也称为4G)是无线通信最新标准，支持高达300 Mbit/s的数据速率，而最新的UMTS (3G) 版本仅支持 56 M
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英飞凌推出全新系列LTE低噪声放大器(LNA)和四频LNA Bank
21ic讯 英飞凌科技股份公司近日推出旨在提高智能手机数据速率的全新系列LTE低噪声放大器(LNA)和四频LNA Bank。LTE(也称为4G)是无线通信最新标准，支持高达300 Mbit/s的数据速率，而最新的UMTS (3G) 版本仅支持 56 M
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基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计研究
摘要：低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF35176晶体管，设计了一种应用于5．5～6．5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放
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用电阻噪声确定一个低噪声放大器的特性
如果知道或可以估计出一款低噪声放大器的增益或噪声带宽，只使用几只电阻和一只交流电压表，就可以测出其它的规格。本例使用了Johnson方程，它描述的是一只电阻所生成的噪声
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稳定低噪声放大器中晶体管工作点的设计方法(上)
多数情况下有用信号都是非常微弱的，在这些应用中噪声系数成了表征晶体管性能优劣的主要参数。本文讨论了一种添加并联电阻来稳定低噪声放大电路中晶体管工作点的设计方法。
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稳定低噪声放大器中晶体管工作点的设计方法(下)
多数情况下有用信号都是非常微弱的，在这些应用中噪声系数成了表征晶体管性能优劣的主要参数。本文讨论了一种添加并联电阻来稳定低噪声放大电路中晶体管工作点的设计方法。
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用于高阻抗电路的低失真、低噪声放大器
用于高阻抗电路的低失真、低噪声放大器
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2～4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计
摘要：利用pHEMT工艺设计了一个2～4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管，电路采用二级级联放大的结构形式，利用微带电路实现输入输出和级间
