内存
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labview使用中内存的问题
学习使用labview已有将近2年时间，由于一直都是编写比较小的数据采集程序，所以没有考虑过数据内存的问题，最近在编写一个使用内部工具较多，而且使用word报表模版生成最后的测试报告程序，总是遇到VI无法导入和无法
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全都是泡沫？内存价格预计明年将下跌25%
终于，内存条价格要降了。据DRAMeXchange报道，内存价格在2019年将降低15~25%。报道称，第四季度的DRAM芯片合同价的谈判已开始，虽然PC DRAM保持稳定，但随着DRAM需求全面放缓，图形显卡的DRAM价格已经下滑。目前，
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调查显示：DRAM价格已近高点
观察全球DRAM大厂营收表现，三星稳坐产业龙头，营收再创历史新高，来到112.1亿美元，季增8.2%;SK海力士受惠于位元成长显著，营收较前季大幅成长19.5%，达76.9亿美元，亦帮助SK海力士于第二季夺回部分市占。两大韩厂第二季营收市占率分别为43.6%与29.9%，合计约73.5%。
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博通发布10万兆“网卡” ，支持双通道DDR4-2400 ECC内存
博通今天发布的这个Stingra PS1100R网卡可以归类于家里有矿系列了，因为这是一个100Gbe的10万兆网络适配器，核心的BCM58804H处理器集成了4个Cortex-A72核心，支持双通道DDR4-2400 ECC内存。
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第二季DRAM供给吃紧，报价上扬，营收再创新高
2018年第二季由于供给吃紧情况延续，带动整体DRAM报价走扬，DRAM总营收较上季成长11.3%，再创新高。除了绘图用内存(graphic DRAM)仍受惠于虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显著上涨外，其余各应用别的内存季涨幅约在3%左右。
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2018年DRAM芯片产值将突破1000亿美元！三星成最大赢家
内存芯片产值高，受益最高的就是韩国企业了，尤其是三星电子，三星在DRAM内存占据全球市场份额的45%，NAND闪存占37%。
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内存芯片产值将破千亿美元,韩国独占四分之三
这两年DRAM内存、NAND闪存行业的疯狂激荡大家都看在眼里。内存尤其夸张，价格持续飙升。闪存方面倒是基本稳定了，但市场需求持续异常旺盛。两大行业空前火热，从业者自然也是赚得盆满钵满。根据市调机构IC Insight的
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内存是块肥田！2018年全球DRAM销售额有望突破1000亿美元大关
报告称，今年全球半导体销售总额将达4280亿美元，其中DRAM所占比重将达24%，若加上NAND闪存的市场份额，两大存储器在半导体市场上占比将高达38%。
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国之骄傲！清华紫光自主研发的内存芯片，将在美国硅谷首次公开
韩媒称，中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片，将在美国硅谷首次公开。中美贸易战之下，中国半导体企业宣布进军市场。
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STM32使用DMA从串口读数据到内存
使用DMA从串口读数据到内存和从内存搬数据到串口一样，只是要注意所使用的DMA通道不一样。当配置好后，如果串口上有数据传输，DMA就自动把数据搬到内存中。当工作在正常模式，DMA搬运了设定长度的数据后，会产生中断
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NAND闪存价格还要连跌10%！大容量SSD将加速普及！
3D NAND闪存产能持续增加，预计Q3、Q4两个季度中NAND价格都会下跌10%，不用过这也加速了大容量SSD硬盘的普及，未来2-3内512GB将成为主流之选。
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SK Hynix斥资15万亿韩元建设DRAM工厂
SK Hynix日前宣布了新的投资计划，将斥资15万亿韩元，约合134亿美元或者916亿人民币在韩国总部京畿道利川市3.5万平方米的场地上建设新的工厂，编号M16。
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存储企业是赢家！西数Q4财季净利大涨170%
由于西数已经收购了Sandisk闪迪公司，所以他们的业务中不再以HDD硬盘为绝对主力，Q4季度中营收51.17亿美元，相比去年同期的548.4亿美元增长5.7%。运营利润8.43亿美元，净利润7.56亿美元，而去年同期运营利润、净利润分别是6.52亿美元、2.8亿美元，分别上涨了29%、170%。
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国产要自强！紫光预计年底可DDR4内存颗粒推向市场
近年来，我国对集成电路、存储等半导体领域投资加大，成效也渐渐凸显出来，紫光在存储领域的发展也非常迅速，预计今年年底可以将DDR4内存颗粒推向市场，再过些时日，我国或摆脱对国外存储产品的严重依赖。
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三星第二代10nm工艺LPDDR4X内存量产 性能不变更省电
内存涨价给三星带来了利润的飙升，也促使三星加快内存产品的推出和量产。现在智能手机都免不了日日充这一尴尬局面，所以手机产品对功耗的要求也是越来越高，三星第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存已经量产，在性能方面和第一代相当，但功耗大降10%，整体封装厚度减少20%，非常贴合现在智能手机的发展趋势。
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STM32的内存地址映射与IAP下载
stm32的flash地址起始于0x08000000，结束地址是0x080000000加上芯片实际的flash大小，不同的芯片flash大小不同。RAM起始地址上0x200000000，结束地址是0x20000000加上芯片的RAM大小。STM32将外设等都映射为地址的形式
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明年内存铁定要降价!中国三大存储公司将量产内存、闪存
对于关注国产内存、闪存的用户来说，从明年开始将会有实质性的成果，因为长江存储、晋华集成电路以及合肥Innotro存储都将量产。据台湾电子时报报道称，2019年，中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产。目前，
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大动作来袭！韩国加大对内存芯片研发支持 应对中国竞争对手
韩国贸易、工业和能源部长白云揆(Paik Un-gyu)日前表示，韩国政府将加大对大型研发项目的支持，以开发尖端内存芯片，应对中国竞争对手的崛起。
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2018年全球半导体产值将首次突破5000亿美元！闪存、内存涨价居首功
2018年全球电子系统产值将达到1.62万亿美元，其中半导体市场产值将达到5091亿美元，也是全球半导体产值首次突破5000亿美元大关，同比增长14%，原因跟DRAM内存、NAND闪存均价大幅增长有关。
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两条4GB内存应如何升级？直接加根8GB可行吗？
只加一条8GB，这样既可以拥有16GB的内存容量又可以保留升级潜力，而且这也是最省钱的方法，只是插三条内存不知道会不会有什么负面影响。
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