茂德近日表示其未来的业务重心将逐渐从PC DRAM芯片领域转移,其长远目标是逐渐淘汰PC内存业务。茂德高层透露,随着公司即将进行的资本重组,茂德将进一步专注于利基市场的内
JEDEC固态技术协会今天公布了DDR4内存标准中的部分关键属性,并宣布将在2012年年中正式发布新一代内存标准规范,相比于DDR3取得重大性能提升,同时继续降低功耗。JEDEC固态
日本地震导致全球用于生产半导体的四分之一硅晶圆生产中止。信越化学工业株式会社的白河工厂已经停产。MEMC Electronic Materials Inc.的宇都宫工厂也停产。这两家工厂的合
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PCI Express半高卡平台具有确定性、低延迟、高速内存共享等特点 弗吉尼亚州夏洛茨维尔市,2011年1月12日讯-GE智能平台宣布推出半高卡PCIE-5565PIORC PCI Express反射内存
摘要:针对部分特殊场合对频谱分析仪使用需要多通道、便携等需求,设计了一种通道数最多支持64通道的手持多通道频谱分析仪。该频谱分析仪以美国德州仪器公司推出的DSP+ARM双核CPU芯片OMAP-L138为平台,采用多通道A/D
三星电子今天宣布,已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发,并采用30nm级工艺制造了首批样品。时至今日,DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDI
据国外媒体报道,IBM的研究人员最近证实,Racetrack内存理论是正确的,可以用于指导这类内存芯片的生产。 采用Racetrack芯片,移动设备的存储容量将增加逾100倍,可以存储
小米今天举行新品发布会,而华为荣耀也准备了新产品和开放购买活动应对,两家真的是要死磕到底了。对于明天的新产品,华为官方再次给出了一个新海报,对于即将发布的新产品,他们给出了“混血”的描述,到
内存技术授权公司Mosaid Technologies宣布其与IBM公司之间的专利纠纷已达成和解。Mosaid公司称IBM已经与自己签署了专利授权协议,双方并签署了不再就有关 的专利进行官司
在这个日趋复杂的世界,对于嵌入式处理器的要求也愈来愈高。去年也许使用128k的程序及4个实时处理绪列便足以执行应用程序,但是今年的产品规格已将所需内存提升为两倍,中断
3D IC内存和所有2.5D/3D技术终于离全面商业化更近一步了!在上周于美国加州伯林盖姆市(Burlingame)召开的RTI 3D ASIP会议上,AMD和Hynix共同宣布了两家公司将携手开发HBM(高带宽内存)技术的消息。AMD高级研究员兼3D项
之前曝光的三星新旗舰GALAXY F又有新的谍照现身,此前有消息称该机将会采用金属材质机身,从最新曝光的照片来看,这款三星新机的边缘采用了切角的设计,金属的质感非常明显,可以基本确定材质为金属。配置方面,三星
磁阻内存的概念几乎是和磁盘记录技术同时被提出来的。但是众所周知,内存读写的速度需要达到磁盘读写的速度的100万倍,所以不能直接使用磁盘记录技术来生产内存。磁阻内存的设计看起来并不复杂,但是对材料的要求比较
1概述当今计算机系统DDR3存储器技术已得到广泛应用,数据传输率一再被提升,现已高达1866Mbps.在这种高速总线条件下,要保证数据传输质量的可靠性和满足并行总线的时序要求,对设计实现提出了极大的挑战。本文主要使
Intel将在未来一年内连续推出两套14nm工艺主流处理器,其中Broadwell主打笔记本移动平台,Skylake则会为桌面平台带来全新升级,无论架构、技术都将有质的飞跃,尤其是支持DDR4。今天,我们又获悉了关于Skylake的大量
21ic讯 All Programmable 技术和器件的全球领先企业赛灵思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))和同为混合内存立方体联盟(HMCC)成员的Pico Computing公司,今天共同宣布携手推出业界首款针对All Programmable UltraS
计算机内存供电电路(NCP5201)
笔记本电脑的内存供电电路(0.9-1.8V)
索尼笔记本电脑内存供电电路(SC486)