DDR4内存标准关键属性大公开：电压仅1.2V

JEDEC固态技术协会今天公布了DDR4内存标准中的部分关键属性，并宣布将在2012年年中正式发布新一代内存标准规范，相比于DDR3取得重大性能提升，同时继续降低功耗。

JEDEC固态技术协会宣称，DDR4将具备一系列创新特性，可带来更快的运行速度和广泛的实用性，包括服务器、笔记本、台式机、消费电子产品等等，其频率、电压和架构也都在进行重新定义，目标是简化新标准的迁移和部署。

提议中的路线图显示，DDR4内存的VDDQ电压将设定在仅仅1.2V，并在未来进一步降低VDD电压，此外还会保证I/O电压的稳定。相比之下，DDR3标准版电压为1.5V，低压版也有1.35V。

DDR4内存每个针脚的数据传输率将达到1.6Gbps，最高会冲击3.2Gbps。考虑到DDR3就有望冲破 1.6GT/s的极限，DDR4在未来应该还会具备更高的性能水准。其它提议中的性能改进还包括：DQ总线伪开漏接口(pesudo open drain interface)、2667MHz及更高数据率的低速档模式(geardown mode)、bank分组架构(bank group)、内部生成VreDQ电压、训练模式(training mode)改进。

DDR4架构上采用了8n预取的bank分组，包括使用两个或者四个可选择的bank分组，这将使得DDR4内存的每个bank分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽，尤其是在使用较小的内存粒度(memory granularity)的时候。

在此之前，三星和海力士已经分别造出了试验性的DDR4内存条。预计DDR4内存将于2014年投入商用，2015年即迅速普及。

DDR4其它正在开发中的特性：

- 三种数据带宽选择：x4、x8、x16

- 新的JEDEC POD12接口标准(1.2V)

- 时钟与闸门的差分信号

- 新的终端机制：DQ总线负责控制VDDQ终端，即使VDD电压衰减也能保持稳定。

- 常规和动态ODT：ODT协议的改进和新的停放模式(Park Mode)可以实现常规终端和动态写入终端，而无需惊动ODT针脚。

- 突发长度8，突发突变4。

- 数据屏蔽(data masking)

- DBI：帮助降低功耗、改进数据型号完整性，通知DRAM应该保存真正的还是倒置的数据。

- 新的数据总线CRC(错误校验)：支持数据传输的错误校验功能，尤其有利于写入操作和非ECC内存应用。

- 新的指令/数据总线CA对等：一个新的低成本防范，用于指令和数据沿链接传输期间所有操作完整性的检验。

- 支持DLL关闭模式(DLL of mode)

(专业词汇翻译谬误之处敬请指正)