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赛灵思推出行业第一个可扩展处理平台 Zynq-7000 产品系列
赛灵思推出行业第一个可扩展处理平台 Zynq-7000 产品系列
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Zynq-7000 EPP：广播摄像机应用
Zynq-7000 EPP 器件能够提供超高比特率带宽，从而能在广播及摄像机系统中实现高精度的视频处理和分析。
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数码语音温度计设计
摘 要: 针对水银温度计不便读数、响应速度慢、在普通家庭中使用面狭窄的特点， 提出了数码语音温度计的设计方案。选择不锈钢封装的DS18B20 作温度传感器、ISD1720 进行语音录放、STC89C52 单片机进行温度信号采
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潍坊光电特色产业基地被选为中国国家火炬计划特色产业基地
近日，依讬潍坊高新区而建的潍坊光电特色产业基地入围中国科技部火炬中心新认定的11家国家火炬计划特色产业基地。 近两年，潍坊高新区以创建国家创新型科技园区和新兴高端产业聚集区、核心区、示范区为契机，加快创新
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如何实现放大器与ADC之间的共模融合
当我们拼命折腾自己，藐视摩尔定律，不断实现更小的几何尺寸和IC工艺时，供电或偏置轨也要走这条路了。大部分器件都用单边电源给元件供电，但我们可以看到大部分信号仍是双极性形式。为了给放大器和转换器建立新&ld
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Semtech推出两款1A/2A稳压器件SC171和SC172
21ic讯 升特公司（Semtech）发布了两款降压稳压器SC171和SC172。这两款输出电流分别为1A和2A的降压稳压器件是该公司EcoSpeed™ DC-DC转换器平台中的最新成员，目前该平台能够提供从1A至30A输出电流的广泛选择。
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一种200V/100A VDMOS 器件开发
摘 要：分析了功率MOSFET 最大额定电流与导通电阻的关系，讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑，提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度，以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧
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一种200V/100A VDMOS 器件开发
摘 要：分析了功率MOSFET 最大额定电流与导通电阻的关系，讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑，提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度，以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧
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新一代maXTouch解决方案 （爱特梅尔）
爱特梅尔公司(Atmel® Corporation)宣布推出面向2至12英寸触摸屏应用的maXTouch™ E系列单芯片电容式触摸屏控制器。新推出的E系列产品包括mXT224E、mXT384E、mXT540E和mXT768E器件，采用第三代电容式触摸引擎
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IDT展示先进混合信号产品
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.)将于2011年2月24至26日在深圳会展中心举行的IIC-China展示其最新产品。产品演示将在主展厅的2
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LED恒流驱动器件MOSFET选择
常用的是NMOS.原因是导通电阻小,应用较为广泛,也符合LED驱动设计要求.所以开关电源和LED恒流驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主. 功率MOSFET的开关特性:MOSFET功率场效应晶体管是用栅极电压来
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LED恒流驱动器件MOSFET选择
常用的是NMOS.原因是导通电阻小,应用较为广泛,也符合LED驱动设计要求.所以开关电源和LED恒流驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主. 功率MOSFET的开关特性:MOSFET功率场效应晶体管是用栅极电压来
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工程师如何选择LED恒流源周边器件
在设计LED恒流源时为保持严格的滞环电流控制,电感必须足够大,保证在HO,ON 期间,能向负载供应能量,避免负载电流显著下降,导致平均电流跌到期望值以下.首先,我们来看一下电感的影响,假设没有输出电容(COUT)的存在,这样
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ST在2011年移动通信世界大会上展出最新创新成果
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST），将在2011年2月14 ~17日，于西班牙巴塞罗那的移动通信世界大会（Mobile World Congress）7A馆106展位展出最新的创新成果。现场将展示可为下一代手机和便携产品实现自然
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Altera为MoSys串行高密度带宽引擎器件提供接口
Altera公司今天宣布，公司成功完成了StratixIV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine器件在串行存储器应用中的互操作性测试。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip接口实现与MoSys带宽引擎器件的互操作性，为数据流量管理和
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新型DirectFETplus功率MOSFET系列（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技术，可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。IRF6811和
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TOPSwitch器件在电源中的应用
摘要：采用PWM控制器和MOSFET功率开关一体化的集成控制芯片是新一代开关电源设计的重要特点和趋势。本文介绍美国功率集成公司（PowerIntegrationsInc.）于九十年代中期研制推出的三端PWM/MOSFET二合一集成控制器件TO
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TOPSwitch器件在电源中的应用
摘要：采用PWM控制器和MOSFET功率开关一体化的集成控制芯片是新一代开关电源设计的重要特点和趋势。本文介绍美国功率集成公司（PowerIntegrationsInc.）于九十年代中期研制推出的三端PWM/MOSFET二合一集成控制器件TO
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TOPSwitch器件在电源中的应用
摘要：采用PWM控制器和MOSFET功率开关一体化的集成控制芯片是新一代开关电源设计的重要特点和趋势。本文介绍美国功率集成公司（PowerIntegrationsInc.）于九十年代中期研制推出的三端PWM/MOSFET二合一集成控制器件TO
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TOPSwitch器件在电源中的应用
摘要：采用PWM控制器和MOSFET功率开关一体化的集成控制芯片是新一代开关电源设计的重要特点和趋势。本文介绍美国功率集成公司（PowerIntegrationsInc.）于九十年代中期研制推出的三端PWM/MOSFET二合一集成控制器件TO
