
赛普拉斯半导体公司日前宣布新推出一款高性能单芯片TrueTouch™解决方案,用于大尺寸多点触摸屏,最高可支持11.6英寸的屏幕尺寸。全新的CY8CTMA884系列具有60个感应I/O通道,最多可支持884个屏上节点,这比任何
Altera公司日前宣布,公司成功完成了Stratix IV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine器件在串行存储器应用中的互操作性测试。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip接口实现与MoSys带宽引擎器件的互操作性,为数据流量管
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列,适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术,包括 55V 和 150V 标准栅极驱动
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用抛物线型透镜实现±3°极窄半强角的新款850nm红外发射器--- VSLY5850,扩充其光电子产品组合。基于独特的表面发射器芯片技术,VSLY5850在100mA驱动电流下
摘要:介绍一种计量电池容量的方法,即对电池充进能量和放出能量进行计算并乘以相应的损失系数从而指示电池的容量。采用对电流变换后的脉冲计数的方法,实现适用多数充放电情况的电池容量计量。研究实施该方法的技术
读过《明朝那些事儿》的人应该还记得,朱元璋有个做人的哲学方法,“要么不做,要么做绝”。对待贪官,要么不理,兄弟关系怪好不错的,贪个差不多就自己知趣点收手算了,如果过分了,直接就砍了,甚至株连
Altera公司日前宣布,公司成功完成了Stratix® IV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine®器件在串行存储器应用中的互操作性测试。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip™接口实现与MoSys带宽引擎器件的互操作性
安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET,用于汽车模块,采用小型扁平引脚(FL)封装。这些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封装及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封装,占位面积比业界
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列,适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术,包括 55V 和 150V 标准栅极驱动
安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET,用于汽车模块,采用小型扁平引脚(FL)封装。这些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封装及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封装,占位面积比业界
安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET,用于汽车模块,采用小型扁平引脚(FL)封装。这些器件采用5 mm x 6 mm SO-8FL封装及3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8封装,占位面积比业界
本文提供的解决方案可防止FPGA设计被拷贝,即使配置比特流被捕获,也可以保证FPGA设计的安全性。通过在握手令牌由MAX II器件传送给FPGA之前,禁止用户设计功能来实现这种安全性。选用MAX II器件来产生握手令牌,这是因为该器件具有非易失性,关电时可保持配置数据。而且,对于这种应用,MAX II器件是最具成本效益的CPLD。本文还介绍了采用这种方案的一个参考设计。
低成本和中端应用对于成本和功耗等因素的考量素来严谨,Altera新发布的28nm器件系列产品将为这类应用提供理想选择,最新的Cyclone V FPGA和Arria V FPGA系列将其28nm工艺推进到了中低端产品领域。对于电机控制、显示
为满足用户的多种设计需求,Altera公司日前发布其28-nm器件系列产品,为业界提供最全面的器件选择。Altera在Cyclone® V和Arria® V FPGA新系列、最新扩展的Stratix® V FPGA以及此前发布的HardCopy® V
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款提供eSMP®表面贴装和轴向引线封装选项的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045,扩大其用于太阳能电池旁路应用的TMBS® Trench MO
近日,雷曼光电公告称,该公司董事会决议,将以现金增资的方式向全资子公司惠州雷曼光电科技有限公司增资 4,000 万元人民币,该项增资主要用于公司高亮度 LED封装器件扩建项目和高端 LED 显示屏及 LED 照明节能产品扩
开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识,开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET™ II MOSFET,新产品
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
雷曼光电1月20日午间公告称,董事会同意公司以现金增资的方式向全资子公司惠州雷曼光电科技有限公司增资4000万元。 据悉,该项增资主要用于公司募集资金投资项目——高亮度LED封装器件扩建项目和高端LED显示屏及LED照
先进的半导体技术正为体积越来越小、功能愈加强大的家用医疗设备的发展铺平道路。对于病人来说,更小的便携式设备带来的好处是更容易进行保健、更少去医院以及进一步降低医疗费用。为了能够在家庭环境中发挥更有效