
LEDinside综合报导 LED背光照明仍是LED增长的主要驱动力,2012年将是增长“峰年”。2012年LED用于背光照明依旧是LED产值的最大贡献应用领域,预计占LED产值总比例将达到最大,约53.5%(此处指中大尺寸背光照明-NetBoo
电机驱动的最大难点在于成本和算法,其算法和精度及可靠性又密切相关。此外,电机能耗占世界能耗的一半左右,电机效率的提高,符合节能减排的要求。德州仪器(TI)公司半导体事业部市场推广经理李志林(图1)强调,电机控
运算放大器设计基础
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计,在4.5V下导通电阻
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计,在4.5V下导通电阻
21ic讯 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 日前宣布推出车用600V IC AUIRS2334S,适合包括高压压缩机(HVAC)和风扇在内的三相变频电机驱动应用。AUIRS2334S具备一个先进的输入滤波器,从而提升器件
矽恩的SN3340是一个连续模式电感降压转换器,设计用于从一个高于LED的电压源高效率地驱动单个或多个串联LED。该器件的输入电压范围在6V到18V之间,并提供一个外部可调的高达750mA的恒定输出电流。取决于电源电压和
本文详述电源电路的最新发展状况。文中还将介绍数款器件,说明电路架构与封装技术的进步如何促成体积更小的电源解决方案。把不同功能集成到同一芯片是PDA、便携式导航系统 (GPS) 和智能型手机等便携式产品的发展趋
在测量过程中采用正确的测量方法是非常重要的,它直接关系到测量工作能否正常进行及测量数据的有效性。应根据测量任务的要求,进行认真分析,确定切实可行的测量方法,然后选择合适的测量仪器组成测量系弘,进行实际
一、焊盘的重叠1、焊盘(除表面贴焊盘外)的重叠,意味孔的重叠,在钻孔工序会因为在一处多次钻孔导致断钻头,导致孔的损伤。 2、多层板中两个孔重叠,如一个孔位为隔离盘,另一孔位为连接盘(花焊盘),这样绘出底
当所设计的芯片需要满足经常不一致的规格要求时,先进的工艺和设计技术也会带来艰巨的挑战。在纳米级设计中,功耗已经成为限制性能的主要因素。纳米工艺中使用的材料和结构极易增加泄漏功率并降低热传导。所有这些效
LED背光照明仍是LED增长的主要驱动力,2012年将是增长“峰年”。2012年LED用于背光照明依旧是LED产值的最大贡献应用领域,预计占LED产值总比例将达到最大,约53.5%(此处指中大尺寸背光照明-NetBook、NB、M
近日,作为模拟、高带宽通信及以太网集成电路(IC)解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司宣布,在关于2011年第四季度向一家全球领先微机电系统(MEMS)设计制造商提供服务和产品情况的报告中,该公司获得了98%的服
如果您使用触摸屏手机,那么您一定有机会感受到触觉反馈(Haptics)技术的魔力,它让游戏机、触摸屏设备和移动电子产品的用户体验上升到一个全新的水平。人们为什么会给一种如此“酷”的功能性技术取一个如
21ic讯 瑞萨电子株式会社(以下简称“瑞萨电子”) 的子公司——高级无线通信半导体解决方案与平台供应商瑞萨移动公司(Renesas Mobile Corporation)将向您展示:借助其“smarter by desi
高等动物中枢神经系统内存在复杂的反射性神经保护机制,在局部脑血流(rCBF)降到生理必须阈值以下之前,通过一系列反射,对全身循环加以调整,从而实现机体的自我神经保护。近十余年来,由于电刺激小脑顶核(FNS)导
随着工信部宽带“十二五”规划建设的出台消息,化工科技紧随大势,开始调整产业结构,借助光纤网络业务的发展,进一步提高光通信器件、敏感元器件等产品占公司主营业务中的比重,使四大板块均衡发展。据了解,《宽带
随着汽车中使用的电子元件数量不断快速增多,我们可以预期电源转换集成电路会面临更多设计挑战:有些器件需要稳定的电压输入、低静态电流和低噪声,而另一些器件则需要为满足LED照明等特定应用的需求而专门定制,所有
LED背光照明仍是LED增长的主要驱动力,2012年将是增长“峰年”。2012年LED用于背光照明依旧是LED产值的最大贡献应用领域,预计占LED产值总比例将达到最大,约53.5%(此处指中大尺寸背光照明-NetBook、NB、M
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A~36A电流,采用多种封装。日前发布的D系列MOSFET基