EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管
如何使用原厂选型工具,选择 MOSFET
UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
EPC扩大了 40 V eGaN®FET的产品陈容, 新产品是高功率密度电信、网通和计算解决方案的理想器件
场效应管主要参数及与其他管子的对比
EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容
你知道锂电池保护板起什么作用以及激活方法吗?
性能更高而同时成本更低的两款200 V eGaN FET解析
用于48VDC/DC转换的EPC9148和EPC9153演示板
面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管