当前位置:首页 > 厂商动态 > 宜普电源转换公司
[导读]宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。

宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。

全球行业领先供应商宜普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路,新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管,为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。

EPC2066的低损耗和小尺寸使其成为用于最新服务器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/DC转换器次级侧的理想开关器件。它也是电源供电和银盒数据中心服务器中次级侧同步整流至12 V的理想器件,而且适用于24 V~32V的高密度电机驱动应用。氮化镓场效应晶体管可在高频工作、具有高效率和13.9mm2的超小尺寸等优势,可以实现最高功率密度。

EPC2066的设计与EPC第4代产品EPC2024兼容。第五代产品在面积乘以导通电阻方面的改进使EPC2066在相同面积下的导通电阻降低了27%。

EPC公司的联合创始人兼首席执行官Alex Lidow说:"在以上提及的导通电阻条件下,EPC2066的尺寸要比市场上任何其他场效应晶体管都要小得多。它与较早前推出的EPC2071匹配,用于高功率密度计算应用的LLC DC/DC转换器。”

参考设计

EPC9174参考设计板是一个1.2kW、48 V输入、12V输出的LLC转换器。它采用EPC2071作为初级侧全桥器件和EPC2066作为次级侧器件。在22.9 mm x 58.4 mm x 10 mm的小尺寸内,实现1 MHz的开关频率和1.2 kW的功率(功率密度为1472 W/in3)。550 W时的峰值效率为97.3%,12 V时的满载效率为96.3%,可提供100 A输出功率。

EPC2066用卷带包装,以1000片为单位批量购买,每片价格为3.75美元。EPC9174开发板的单价为780美元,可从Digi-Key立即发货,有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用 EPC GaN Power Bench 的交叉参考工具,根据您所需的特定工作条件,我们会推荐合适的替代方案。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

DrMOS,全称Driver-MOSFET,是一种由Intel在2004年推出的高效节能技术。它通过将MOSFET和MOS驱动器集成到同一封装中,实现了尺寸和功效的优化。

关键字: 全桥 驱动芯片 MOSFET

【2024年4月15日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。...

关键字: MOSFET 导通电阻 电动汽车

【2024年4月12日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出...

关键字: MOSFET DCDC转换器 无刷直流驱动器

门驱动器,作为电力电子技术中的关键组件,是连接控制系统与功率半导体器件之间的重要桥梁。它的主要功能是将微控制器或控制电路发出的低电平控制信号转化为能够驱动大功率半导体器件(如绝缘栅双极型晶体管IGBT、金属氧化物半导体场...

关键字: 门驱动器 MOSFET

在电子科技日新月异的今天,各类电子元器件的性能和参数成为了研究和应用的关键。其中,2N7002作为一种广泛应用的N沟道MOSFET,其导通电压是众多工程师和技术人员关注的焦点。那么,2N7002的导通电压究竟是多少?它又...

关键字: MOSFET 电子元器件 2n7002

MOSFET是一种场效应晶体管(FET),全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

关键字: MOSFET 电子元件 场效应晶体管

2024 年 3 月 28 日,中国– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。

关键字: MOSFET 硅片 DC/DC转换器

【2024年3月20日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合...

关键字: MOSFET 半导体 电池管理系统

【2024年3月14日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增...

关键字: MOSFET SiC 车载充电器

【2024年3月13日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能...

关键字: MOSFET 碳化硅 电动汽车
关闭