存储器
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DRAM台日5家联手抗韩 隐见TIMC身影
尽管台湾创新存储器公司TIMC在立院紧急喊卡，但最近与TIMC洽谈合作的日商尔必达，仍是与台湾的茂德、华邦电进行业务合作，如果加上力晶和瑞晶，也形成台日5家DRAM厂，联手抗韩的局面，尔必达系统厂商，未来的市占率和
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台湾“立法院”要求“经济部”停止推动DRAM产业再造计划
台“经济部”力推「DRAM产业再造方案计画」，在宣布台湾创新存储器公司(TIMC)已获审查通过后，“立法院”经济委员会11日提出重要决议，要求“经济部”停止推动DRAM产业再造计画，等同禁止“经济部”协助TIMC获得国发
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基于FPGA嵌入式的多比特自相关器设计
该设计利用FPGA的嵌入式软核NiosⅡ处理器，通过嵌入式操作系统μC／OS-Ⅱ，实现了在FPGA内的自相关计算器；利用FPGA强大的并行运算功能和自带存储器实现的“乒乓”RAM，通过软核NiosⅡ输出控制字实时切换调用两个“乒乓”RAM的存储和读取功能，使之同时完成对采集数据的缓冲存储和向乘法器提供计算数据的功能，使芯片的整个数字处理链路连续化。另外，采用多比特进行自相关运算较之于现在天文台使用的1 b量化自相关器，能有效地提高SNR退化比。
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基于FPGA嵌入式的多比特自相关器设计
该设计利用FPGA的嵌入式软核NiosⅡ处理器，通过嵌入式操作系统μC／OS-Ⅱ，实现了在FPGA内的自相关计算器；利用FPGA强大的并行运算功能和自带存储器实现的“乒乓”RAM，通过软核NiosⅡ输出控制字实时切换调用两个“乒乓”RAM的存储和读取功能，使之同时完成对采集数据的缓冲存储和向乘法器提供计算数据的功能，使芯片的整个数字处理链路连续化。另外，采用多比特进行自相关运算较之于现在天文台使用的1 b量化自相关器，能有效地提高SNR退化比。
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基于FPGA嵌入式的多比特自相关器设计
基于FPGA嵌入式的多比特自相关器设计
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台系DRAM厂3Q亏损175亿元 4Q可望飞越损平点
受惠DRAM价格谷底翻身，台系DRAM厂第3季亏损金额大幅缩小，合计力晶、茂德、南亚科和华亚科4家DRAM厂共亏新台币175亿元，累计前3季亏损731亿元，其中茂德亏损最多，华亚科亏损金额最小，展望第4季，DRAM价格持续走强
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宣明智：DRAM年年都要过冬 该做的就做
尽管上周南亚科及华亚科法说会时，公司对于DRAM市场多抱持乐观看法，不过台湾创新存储器公司(TIMC)董事长宣明智26日上午参观台湾宽频通讯展时却表达保守看法，认为DRAM年年都要过冬，对DRAM景气没有那么乐观，针对DR
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基于闪烁存储器的TMS320VC5409 DSP并行引导装载方法
闪烁存储器Am29LV400B的主要特点及编程方法；通过把FLASH的前32K映射到DSP TMS320VC5409的数据空间，按照自举表（Boottable）的格式在FLASH中存储程序代码，由DSP引导装载（Bootloader）程序实现了FLASH的16位并行引导装载；结合实例介绍了该引导装载方法的实现过程。
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基于闪烁存储器的TMS320VC5409 DSP并行引导装载方法
基于闪烁存储器的TMS320VC5409 DSP并行引导装载方法
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1-Mbit串行非易失性静态随机存取存储器（赛普拉斯）
赛普拉斯半导体日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM)系列，以及新的拥有集成实时时钟（RTC）的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。赛普拉斯的nvSRAM是基于其S8™ 0.13-微米 SONOS（Silicon Ox
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华邦电退出 台塑集团DRAM整合计划书难产
台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科的DRAM整合策略再度大转弯，从原本坚持一定要送件，以争取与台湾创新存储器公司(TIMC)同等待遇的补助款，19日改口考虑不一定会送件；业者透露，原本台塑在计划书中提议要整合的对象
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DRAM报价高档不坠 尔必达8季以来首次获利
日系DRAM大厂尔必达(Elpida) 2010会计年度第2季(7~9月)出现连亏8季以来的首度由亏转盈，营收960亿日圆(约10.66亿美元)，营业利益5亿日圆，加上日前1Gb容量 DDR2价格冲上2.5美元价位， DRAM厂营运状况大幅转好，更开始
