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Nexperia与三菱电机就SiC MOSFET分立产品达成战略合作伙伴关系
此次合作将利用双方的协同优势进一步提升碳化硅(SiC)技术
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使用高压功率器件封装的设计说明
尽管宽禁带器件近年来已经开始进入商业市场，但其封装设计尚未成熟，尤其是在高温高压应用方面。在本文中，将介绍为此目的而制造的 5 kV 双面冷却 GaN 功率模块(作为由高级研究计划署 - 能源资助的研究的一部分)。
