满足新能源汽车动力系统不断提升的技术需求
节省空间的LFPAK56D半桥产品可以帮助动力系统、电机控制和DC/DC应用减少60%的寄生电感并改善散热性能
通过新投资支持全球战略，满足不断增长的功率半导体需求并提升GaN工艺技术
面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系统稳健性
器件可完全避免尖峰和脉冲的影响
双MOSFET器件通过节省空间、减少器件数量和提高可靠性，简化汽车电磁阀控制电路。
兼容AOI;出色的RF性能
展览面积在200平方米以上的Nexperia展台位于4.1馆，展位号为4.1A4-002
“ASFET”采用专为特定应用量身定制的MOSFET参数
符合AEC-Q101标准的DFN2020D-6器件可节省90%PCB空间;可焊性侧面可实现自动光学检测(AOI)并提高可靠性
具有超宽差分通带的高效组合功能的器件
Nijmegen -- 符合AEC-Q101标准的120 V、150 V和200 V设备兼具肖特基和快速恢复二极管的最佳属性
具备行业基准性能的器件，符合AEC-Q101标准，可保护信息娱乐、多媒体和ADAS系统。
参与有关GaN、锗化硅、汽车应用、先进封装等等主题的现场讨论;观看点播视频演示
相比现有SMD器件可节省90%空间，支持AOI检测
