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三星电子筹划晶圆代工大跃进
日前召开的ARM技术大会上，三星电子传出消息，计划大力推动高-K介质的32nm制程。 今年6月，韩国三星表示自己的代工厂已经可以使用高-K/金属栅极技术，满足制造32nm低功耗制程的要求。三星即将成为首家符合高-k/金
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IBM晶圆厂联盟否认遭遇高介电/金属栅极制程问题
成员包括GlobalFoundries、Samsung等厂商的IBM晶圆厂联盟，反驳了业界传言该联盟在高介电/金属栅极(high-k/metal-gate)遭遇困难的传言。根据Barclays Bank分析师Andrew Lu的一篇报告指出，由于可减少栅极漏电流，高介
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摄像管栅极降压保护电路
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非一般的晶体管
“一个蝴蝶可以刮起一阵风，一个士兵可以开始一场战争”，那么一项伟大的发明呢？1947年12月，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。于是乎，大名鼎鼎的、
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台积电：微缩化与大口径我们都要领先
目前，在代工业界具有压倒优势的是台湾台积电。台积电2009年的销售额约达90亿美元，占了约一半的市场份额，把第二位以后的企业远远甩在身后。该公司2010年宣布将进行有史以来最大的设备投资，明显地要进一步扩大其竞
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AMD与Intel的制程工艺差距正在扩大？
当AMD在去年出售位于纽约北部的制造工厂GLOBALFOUNDRIES时，AMD宣称此举是为了“缩小与Intel的差距”。AMD制造系统技术副总裁Tom Sonderman表示：“我们在45nm技术上与Intel相差一年，这一差距将在32nm技术上大幅缩小
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台积电研究发展资深副总经理蒋尚义：微缩化与大口径我们都要领先
目前，在代工业界具有压倒优势的是台湾台积电。台积电2009年的销售额约达90亿美元，占了约一半的市场份额，把第二位以后的企业远远甩在身后。该公司2010年宣布将进行有史以来最大的设备投资，明显地要进一步扩大其竞
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台积电副总经理蒋尚义：微缩化与大口径我们都要领先
目前，在代工业界具有压倒优势的是台湾台积电。台积电2009年的销售额约达90亿美元，占了约一半的市场份额，把第二位以后的企业远远甩在身后。该公司2010年宣布将进行有史以来最大的设备投资，明显地要进一步扩大其
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首款单栅极逻辑产品（Diodes）
Diodes 公司推出旗下首款单栅极逻辑产品阵营。其74LVC1Gxx 系列采用先进的5V CMOS 技术，性能比现有的同类产品更为出色，该系列为用户提供八个最受欢迎的标准逻辑功能并设有SOT25 和 SOT353 两种封装选择。74LVCE1Gx
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IBM瞄准10nm以下工艺
美国IBM T.J.华生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半导体制造技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，试制出了采用最小直径为3nm的硅纳米线FET的25级CMOS环形振荡器，并实际确
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先栅极还是后栅极 业界争论高K技术
随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first
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先栅极还是后栅极 业界争论高K技术
随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first
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先栅极还是后栅极 业界争论高K技术
随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first
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先栅极还是后栅极 业界争论高K技术
先栅极还是后栅极 业界争论高K技术
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IBM确认瞄准10nm以下工艺
美国IBMT.J.华生研究中心（IBMT.J.WatsonResearchCenter）在半导体制造技术相关国际会议“2010SymposiumonVLSITechnology”上宣布，试制出了采用最小直径为3nm的硅纳米线FET的25级CMOS环形振荡器，并实际确认了工作情
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IBM采用直径3nm FET25级环形振荡器动作，瞄准10nm以下工艺
美国IBM T.J.华生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半导体制造技术相关国际会议“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布，试制出了采用最小直径为3nm的硅纳米线FET的25级CMOS环形振荡器，并实际确认
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GlobalFoundries宣布开发20nm工艺与22nm共存
GlobalFoundries近日宣布将会开发20nm半导体制造工艺，但与台积电不同，新工艺将与 22nm共存，而且GF认为这种半代工艺并不会消失。 台积电不久前刚刚宣布，将跳过22nm工艺，改而直接上马更先进的20nm工艺，采用增强型
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GlobalFoundries宣布开发20nm工艺 与22nm共存
GlobalFoundries今天宣布将会开发20nm半导体制造工艺，但与台积电不同，新工艺将与22nm共存，而且GF认为这种半代工艺并不会消失。 台积电不久前刚刚宣布，将跳过22nm工艺，改而直接上马更先进的20nm工艺，采用增强
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直接上20nm? 台积电玩火又要坑NV+AMD
为了在竞争激烈的半导体代工行业中提供最先进的制造技术，台积电已经决定跳过22nm工艺的研发，直接上马更高级的20nm工艺。 有趣的是，台积电和GlobalFoundries这两大代工厂此前已经不约而同地先后取消了32nm Bul
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台积电转守为攻
接收本杂志访问的台积电蒋尚义（摄影：山田 慎二） 台湾台积电（TSMC）推出了通过设备投资和技术开发超越竞争对手的战略。该公司2009年实现了31％的营业利润率，2010年将实施大幅超过其他竞争对手的48亿美元设备投资
