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光学量子计算机芯片首次执行运算
英国布里斯托尔大学的研究人员们ijnri制作了一颗光学量子计算机芯片的样品，而且第一次执行了数学运算，向实用性量子计算机又迈出了重要的一步。 这个光学量子计算芯片非常小，之上搭载了更加迷你的二氧化硅波导。
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台积电准备明年初提供28nm全代工艺
台积电研发副总裁Jack Sun在日本举行的一次研讨会上宣布，28nm低功耗生产技术已经研发成功，将在2010年初作为全代(full node)工艺为客户提供代工服务，并可选高性能和低功耗两种应用类别。 台积电表示，借助双/三栅
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Schiltron与Entrepix合作利用CMP达成3-D闪存制造新架构
3-D Flash新创公司Schiltron Corporation与专门提供化学机械抛光设备及代工服务的领先供应商Entrepix合作发展使用现有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，从而利用简单直接的方式扩大产量。 Schiltron 3-D Flas
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Schiltron与Entrepix合作利用CMP达成3-D闪存制造新架构?
3-D Flash新创公司Schiltron Corporation与专门提供化学机械抛光设备及代工服务的领先供应商Entrepix合作发展使用现有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，从而利用简单直接的方式扩大产量。 Schiltron 3-D Flas
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数字可编程增益放大器应用发散指数曲线
DPGA（数字可编程增益放大器）是一种实用的信号处理元件，在模数转换器必须获取广泛动态范围内的信号时应用。如果不能容纳输入信号振幅以便匹配和有效地利用模数转换器跨度，低输入可能不能以足够的分辨率数字化，高
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数字可编程增益放大器应用发散指数曲线
DPGA（数字可编程增益放大器）是一种实用的信号处理元件，在模数转换器必须获取广泛动态范围内的信号时应用。如果不能容纳输入信号振幅以便匹配和有效地利用模数转换器跨度，低输入可能不能以足够的分辨率数字化，高
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数字可编程增益放大器应用发散指数曲线
DPGA（数字可编程增益放大器）是一种实用的信号处理元件，在模数转换器必须获取广泛动态范围内的信号时应用。如果不能容纳输入信号振幅以便匹配和有效地利用模数转换器跨度，低输入可能不能以足够的分辨率数字化，高
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ASM高k原子层淀积工具获台湾晶圆厂选用
ASM International N.V. 宣布一家台湾晶圆厂为其28 纳米节点high-k栅极介电层量产制程选择ASM的Pulsar® 原子层沉积技术(ALD)工具。 除此之外，此家晶圆厂也将与ASM针对最新世代的high-k栅极技术进行制程开发活
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联华试制采用high-k金属栅极的45nm工艺SRAM
台湾联华电子（United Microelectronics，UMC）采用high-k栅极绝缘膜和金属栅极技术，试制出45nm工艺的SRAM英文发布资料。至此，实现32/28nm工艺用high-k/金属栅极技术的第一阶段已完成。该公司2008年10月试制出了2
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IBM制造出22nm SRAM单元
IBM研究小组声称，他们已与联合行业及大学开发伙伴共同制造出世界最小的SRAM位单元。该SRAM位单元采用22nm设计规则制造，大小仅0.1mm2。 此款SRAM是IBM与AMD、飞思卡尔、意法半导体、东芝以及纽约的奥尔巴尼大学纳
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电子管SRPP倒相电路
SRPP电子管共阴极倒相电路： SRPP电子管共栅极倒相电路：
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2.5G和3G基站用功率放大器的监控
蜂窝通信的发展与先进调制方案的关系日益密切。在最新一代(2.5G和3G)基站中，设计策略包括实现高线性度同时把功耗减至最小的方法。
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技术探秘：英特尔45纳米高k金属栅极工艺
英特尔出货采用高k金属栅极技术的首款45纳米微处理器。不论是为了突出这件事的重要意义，还是为了强调其著名定律仍然有效，摩尔已成为英特尔45纳米技术营销活动的主角。摩尔称这项创新是“20世纪60年代多晶硅栅极MOS
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技术探秘：英特尔45纳米高k金属栅极工艺
技术探秘：英特尔45纳米高k金属栅极工艺
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台积电将为AMD代工制造45纳米工艺芯片
台积电CEO蔡力行(RickTsai)向分析人士表示，台积电将在2008年为尚未公布名字的客户制造处理器。 他说，我们预计将于明年下半年开始制造处理器，这一交易将对台积电的收入做出重大贡献。 蔡力行没有披露更多细节，但表
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英特尔45纳米高-k金属栅极处理器全面无铅化
英特尔45纳米高-k金属栅极处理器全面无铅化
