IBM晶圆厂联盟否认遭遇高介电/金属栅极制程问题
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根据Barclays Bank分析师Andrew Lu的一篇报告指出，由于可减少栅极漏电流，高介电/金属栅极技术能降低晶体管的待机耗电，不过现在该领域出现了该采用“前栅极(gate-first)”或“后栅极(gate-last)”的争议；所谓的前或后，指的是金属栅极是在半导体制程中的高温活化退火程序(high-temperature activation anneals)之前或之后，沉积到晶圆片上。
包括英特尔(Intel)、台积电(TSMC)等厂商是后栅极技术的支持者；其中英特尔是从45纳米节点开始生产高介电制程处理器，迄今已经推出两代高介电制程产品。而IBM的晶圆厂联盟则是采用前栅极技术，但到目前为止，该联盟成员都尚未量产高介电制程芯片；采用IBM制程的AMD可望在2011推出第一代高介电处理器。
“具我们了解，前栅极技术支持者(包括Sematech以及IBM、Infineon、NEC、Globalfoundries、Samsung、ST与Toshiba)都面临包括散热不稳定(thermal instability)、阈值电压飘移(threshold voltage shifts)，以及栅堆栈重新生长(re-growth in the gate stack)等等问题，这对微缩电氧化层厚度的pMOS组件来说是很严重的。”Lu表示。
此外Barclays Bank的报告预期，台积电可望成为28纳米节点前栅极高介电/金属栅极技术领域的领导者。
但针对以上报告，IBM晶圆厂联盟成员GlobalFoundries提出反驳，甚至表示，由于该公司并非上市公司，并未与Barclays Bank等财经市场分析机构定期接触，因此该报告的一些消息可能不是最新的。GlobalFoundries表示，该公司的32纳米高介电/金属栅极制程，目前正在Fab 1进行初步生产。
而Samsung也回应指出，在6月初，该公司已经宣布其32纳米高介电/金属栅极制程通过质量验证，包括1,000小时的高温运作寿命(HTOL)，也没有遭遇相关问题。
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