电容

分析师：揭露22纳米制程面临的15大挑战

在不久前于美国旧金山举行的国际电子组件会议(IEDM)上，不少有关先进逻辑制程技术的论文发表都着重在32纳米节点，只有IBM等少数公司发表了几篇22纳米技术论文；事实上，不少领先半导体大厂都在进行22纳米制程的研发，究竟在这个领域有哪些技术挑战？

分析师：揭露22纳米制程面临的15大挑战

在不久前于美国旧金山举行的国际电子组件会议(IEDM)上，不少有关先进逻辑制程技术的论文发表都着重在32纳米节点，只有IBM等少数公司发表了几篇22纳米技术论文；事实上，不少领先半导体大厂都在进行22纳米制程的研发，究竟在这个领域有哪些技术挑战？

两款低电容及漏电流的ESD保护阵列器件（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款具有低电容及漏电流的最新小型ESD 保护阵列--- 2 线路的 VBUS052CD-FAH 和 4 线路的 VBUS054CD-FHI，这些器件可保护高速数据线，以防止瞬态电压信号。 具有 0.6 mm 超

用于静电容量式触摸面板亮相(图)

美国风险企业Cambrios Technologies在“FPD International 2008”（2008年10月29～31日，太平洋横滨会展中心）上展出了卷状塑料底板，使用了通过溶液加工的透明导电膜。将用于静电容量式触摸面板。目前静电容量式触

2线总线上升时间加速电路

全新电容性触摸屏控制器IC（Atmel）

全新电容性触摸屏控制器IC（Atmel）

全新电容性触摸屏控制器IC（Atmel）

高速积分器(LM101A、LM108)

如图所示为高速积分电路。该电路中积分时间常数RtCt有较大的变化范围。如果不考虑积分电容Ct，A2是一个具有正反馈补偿的宽带交流放大器。A2的负反馈回路中加上电容Ct，则构成积分器。由于输入信号的低频和直流部分通

实用微分器

如图所示为实用微分电路。该电路为由通用运放构成。当微分器输入一个三角波时，其输出为方波，而输入信号频率由电路中电阻R1、R2和电容C决定。本电路要求R1的值约为R2的十分之一，即： R1=R2/10 而电容C的值由R2的值

与非门组成的宽延时触发器

如图所示是一个负脉冲触发的宽延时单稳态触发器，它提供了数秒的延时时间，用于定时精度要求不高的场合。图中延时主要决定于电容C。对于TTL电路来说，R的阻值一般为5～10kΩ。下表中列出了R=5.1kΩ时，延时的实测数

利用电容来降低截止频率的电路图(宽带应变信号调理器1B31)

通过外部电容CSEL1、CSEL2可将低通滤波器的截止频率设置在1kHz以下，以满足窄带应用的需要，电路如图所示。电容量的计算公式如下：

放大器市场与应用发展趋势与特点

从模拟及混合信号芯片，尤其是放大器类产品发展趋势来看，高集成度、兼顾速度与精度、低功耗、较宽的温度范围，以及软件可控等性能，将是未来各个模拟器件供应商的新产品呈现的新特点。对于某些中、低端电子产品的成