电容
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表面电容触控技术更得笔记型电脑青睐
虽然目前在个人电脑(PC)市场上，绝大多数桌上型电脑产品均采用光学式触控实现多点触控功能，但对笔记型电脑而言，光学式架构的厚度仍是制造商导入时的一大顾忌。这片真空地带已引发电容式触控厂商投入角逐，惟考量触
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超级大电容模式结构框图及再生接收电路原理
超级电容模式是针对以上两种结构的局限而产生的，因为前两种结构的最大输出电流受到电池使用规格的限制。如果假定工作电流均可以达到1A，且输出电压是输入电压的2倍，根据前面给出的效率表达式，假定各自的平均效率可
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CH341与USB接口的基本连接
P4是USB 端口，USB 总线包括一对5V 电源线和一对数据信号线，通常，+5V 电源线是红色，接 地线是黑色，D+信号线是绿色，D-信号线是白色。USB 总线提供的电源电流最大可以达到500mA，一般情况下，CH341 芯片和低功耗
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CX20106 内部结构框图
考虑到调制解调时可靠性，利用红外线专用接收集成芯片CX20106 进行调制解调，其 内部结构框图如下图 所示。 前置电路将接收到的信号，转换成 CX2010 可以接收的标准数字信号，送到CX20106 的①脚，CX20106 的总放
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采用UC3846实现交错并联控制
变换器若能实现并联模块的交错运行，就可以减小总的电压和电流纹渡以及电磁干扰。因此，随着电子信息技术的发展。交错并联供电方式在通信电源、航空等领域中应用的越来越广泛。为此，本文在采用UC3846为控制芯片时，通过使用晶振、反相器和脉冲计数器来共同产生振荡频率。从而在两路电源并行工作时很好地解决了交错并联时的同步问题。
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允许USB旁路大电容的限流器
USB（通用串行总线）规格要求，一个连接的USB设备对主机或集线器给出一个与44Ω并联的不大于10μF的负载，它包含了通过器件稳压器的所有可见旁路电容。这个限制可避免当浪涌电流为电容充电时，设备上有过高的压降。
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三点式振荡电路能否振荡的判别方法
0 引言 在模拟电子技术课程中，判别振荡电路能否产生振荡的步骤的是：先看直流通路，看放大器件是否工作在放大区；再看交流通路，看是台满足振荡条件。RC振荡也好，LC振荡电路也好，振荡条件为： AF=1
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极低电容静电放电保护设备PicoGuard CM1227（California Micro Devices）
California Micro Devices (CAMD) 近日宣布针对最先进的数字消费品和计算机应用推出一款超低电容静电放电 (ESD) 装置 PicoGuard CM1227。 CM1227 提供四通道+/-15kV 接触静电放电保护，并且超越了 IEC61000-4-2的四级
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上海海尔举发成功，微芯科技在台专利被撤
2008年年底，上海海尔集成电路有限公司委托律师事务所对美国微芯科技公司在台湾的专利发动大规模专利举发攻势，历时近一年的审查，目前已取得实质进展。上海海尔集成电路有限公司已于近日收到台湾“经济部智慧财
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PLC在充磁机控制系统的设计
充磁机存储电容脉冲放电，最大瞬间放电电流可达到30ka以上，在10ms时间内产生极高强度的磁场，不会对电网造成冲击影响。配合合适的充磁线圈，在瞬间产生30000 oe(奥斯特)以上的磁场，针对钕铁硼等高矫顽力磁体，充磁效果更好。充磁和磁通检测为一体适合流水线作业，具有高效、可靠、抗干扰的特点，但是，减少电力电子器件在通断时对周围影响待于进一步研究。
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一种减少VDMOS寄生电容的新结构
分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数，为了减少寄生电容，提高开关速度，在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条，并利用多晶硅作掩模注入P型区，改变VDMOS栅下耗尽区形状，减小寄生电容。在此增加了neck区宽度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟，结果表明：这种新型结构与传统VDMOS相比，能有效减小器件的寄生电容，减少栅电荷量，提高开关时间，提高器件的动态性能。
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英飞凌参与欧洲合作“MaxCaps”，提高电子设备效率
国际电子商情讯 英飞凌科技股份公司近日被指定为参与欧洲合作研究项目MaxCaps 的德国五家合作伙伴的项目协调人，该项目旨在使电子设备变得更紧凑、更高效。共有来自半导体和汽车行业的17家公司和科研机构参与MaxCaps
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达虹投资触控面板新生产线 友达8.5代线新厂复工
面板大厂友达持续强化在台湾中科的布局。继LED厂隆达通过将以300亿元在中科兴建LED晶粒厂，旗下彩色滤光片触控面板厂达虹也将计划投资250亿元在中科投资兴建新厂，用于生产投射式电容触控面板，第一阶段投资金额预估
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英飞凌参与欧洲合作研究项目“MaxCaps”，利用片上电容提高电子设备效率
英飞凌科技股份公司近日被指定为参与欧洲合作研究项目MaxCaps 的德国五家合作伙伴的项目协调人，该项目旨在使电子设备变得更紧凑、更高效。共有来自半导体和汽车行业的17家公司和科研机构参与MaxCaps项目，开发“适用
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一种减少VDMOS寄生电容的新结构
分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数，为了减少寄生电容，提高开关速度，在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条，并利用多晶硅作掩模注入P型区，改变VDMOS栅下耗尽区形状，减小寄生电容。在此增加了neck区宽度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟，结果表明：这种新型结构与传统VDMOS相比，能有效减小器件的寄生电容，减少栅电荷量，提高开关时间，提高器件的动态性能。
