针对DC-DC电源管理系统中所必须的欠压锁存(UVLO)功能,提出一种改进的欠压锁存电路。所设计的电路在不使用额外的带隙基准电压源作为比较基准的情况下,实现了阈值点电位、比较器的滞回区间等参量的稳定。整个电路采用CSMC0.5 μm BCD工艺设计,使用HSpice软件仿真,结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、反应灵敏、温度漂移小、功耗低等特点。
通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件,在其内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作没有问题。但是,当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响,以及各个晶胞单元等效电路模型,就会发现,上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立,而在开关转化的瞬态过程中,上述理论并不成立,因此在实际的应用中会产生一些问题,本文将详细地论述这些问题,以纠正传统认识的局限性和片面性。
通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有正的温度系数导通电阻也增加,因此流过的电流减小,温度降低,从而实现自动的均流达到平衡。同样对于一个功率MOSFET器件,在其内部也是有许多小晶胞并联而成,晶胞的导通电阻具有正的温度系数,因此并联工作没有问题。但是,当深入理解功率MOSFET的传输特性和温度对其传输特性的影响,以及各个晶胞单元等效电路模型,就会发现,上述的理论只有在MOSFET进入稳态导通的状态下才能成立,而在
据国外媒体报道,美国科学家已经研制出用另一种名叫镓的元素替代半导体芯片中硅的方法。这种元素可以产生更快的电流。将铟、镓和砷这三种金属混合而成的晶体管比半导体芯片的导电速度快10倍。 镓,尤其是砷化镓(
1 引言 DP(DisplayPort)接口标准旨在寻求代替计算机的数字视频接口DVI(Digital Visual Interface)、LCD显示器的低压差分信号LVDS(Low Voltage Differential Signal),作为设备间和设备内的工业标准,并在若干领
1 引言 MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性,可自动调节电流,因而易于并联应用。但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因,并联应用功率MOSFET管会产生电流分配不均的问题,关于此问题,
随绿色经济的兴起,节能降耗已成潮流。在现代化生活中,人们已离不开电能。为解决“地球变暖”问题,电能消耗约占人类总耗能的七成,提高电力利用效率被提至重要地位。据统计,60%至70%的电能是在低能耗系
生产商:日置电机株式会社 HIOKI 产品说明: 3291-50和3293-50是继3291&3293之后的升级版折叠式钳表。 产品特点:在狭小的地方也能测量、真有效值RMS测量、可翻转设计,测量值便于读取、白色LED背光可在暗处
生产商:日置电机株式会社 HIOKI 产品说明: 3291-50和3293-50是继3291&3293之后的升级版折叠式钳表。 产品特点:在狭小的地方也能测量、真有效值RMS测量、可翻转设计,测量值便于读取、白色LED背光可在暗处
目前市场上的存储器种类非常多,主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND闪存、铁电存储器(FeRAM)和新兴的磁性存储器(MRAM),那么MRAM会成为下一代存储器吗?有没有可能未来市场上下一
Maxim推出带有跟踪控制的低成本、4通道、吸入/源出电流DAC DS4426。该器件是由I²C总线控制的7位电流型DAC,具有4个输出通道,专为电源裕量控制和调节而设计。其中的3个DAC输出通道带有额外的电路,提供电源排序
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